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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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JantX2N2605 | 22.0248 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/354 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 2n2605 | 400 MW | To-46 (to-206ab) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10na | PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10ma, 5V | - - - | |||||||||||||||
JANS1N6620US | 108.4800 | ![]() | 9508 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,6 V @ 2 a | 45 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4970/Tr | 74.9802 | ![]() | 1129 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4970/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4755P/TR8 | - - - | ![]() | 1550 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4755 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N3893a | 44.6400 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/304 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3893 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 38 a | 150 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||||
![]() | JANS2N5796 | 403.6818 | ![]() | 7195 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/496 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N5796 | 600 MW | To-78-6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||
![]() | 1N3336a | 49.3800 | ![]() | 7238 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3336 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 51,7 V | 68 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan2n5793a | - - - | ![]() | 1750 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/495 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Bis 78-6 Metalldose | 2N5793 | 600 MW | To-78-6 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||
Jan1N4123-1 | 4.1100 | ![]() | 1968 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4123 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.7 V. | 39 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1N2974B | - - - | ![]() | 6290 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 25 µa @ 7,6 V | 10 v | 3 Ohm | ||||||||||||||||||
JantX1N6315dus | 55.6050 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6315 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 V | 4.3 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | S2520 | 33.4500 | ![]() | 7950 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | S25 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | S252 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 30 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 25a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | S25160 | 33.4500 | ![]() | 5471 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | S25 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | S251 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,1 V @ 30 a | 10 µa @ 1600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 25a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | 1N5358AE3/TR13 | 0,9900 | ![]() | 9817 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5358 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 15,8 V. | 22 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CD4574 | 20.5800 | ![]() | 7068 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4574 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4554RB | 54.1050 | ![]() | 3734 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N4554 | 500 MW | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 20 µa @ 2 V | 6.2 v | 0,14 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX2N3867p | 36.7878 | ![]() | 3857 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/350 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx2N3867p | 1 | 40 v | 3 a | 1 µA | PNP | 1,5 V @ 250 mA, 2,5a | 50 @ 500 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||
CDll752a | 3.5250 | ![]() | 6577 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL752 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 11 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | JANS1N5712UB | 159.5850 | ![]() | 2380 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 V @ 35 mA | 150 ° C (max) | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
JANS1N4130D-1/Tr | 94.7000 | ![]() | 4268 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4130D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 51,7 V. | 68 v | 700 Ohm | ||||||||||||||||||
Jan1N4100D-1 | 13.1400 | ![]() | 5955 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4100 | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1N6023a | 1.9950 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6023 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 56 v | 91 V | 400 Ohm | ||||||||||||||||
Jantxv1n4114-1 | 9.0450 | ![]() | 5846 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4114 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | 150 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Jan1N7054ur-1 | 9.1500 | ![]() | 3064 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N7054 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N753CUR-1 | 19.1700 | ![]() | 8071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N753 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3,5 V | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||
Jantxv1n4946 | 13.7700 | ![]() | 6070 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/359 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N4946 | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 12v, 1 MHz | |||||||||||||||
Jan1N5538B-1 | - - - | ![]() | 2463 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 16.2 V. | 18 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
Jans1N5417us | 71.2650 | ![]() | 2763 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | DSB5817/Tr | - - - | ![]() | 7080 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | Schottky, Umgekehrte Polarität | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-dsb5817/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 258 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 600 mv @ 1 a | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||
1N6330 | 8.4150 | ![]() | 4779 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6330 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 14 v | 18 v | 14 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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