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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | ARF466fl | 148.7910 | ![]() | 6881 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 1000 v | - - - | ARF466 | 40,68 MHz | Mosfet | T3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-Kanal | 13a | 150W | 16 dB | - - - | 150 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4755CE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 9360 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ4755 | 2 w | Do-214AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ARF460BG | 56.6600 | ![]() | 8272 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | 500 V | To-247-3 | ARF460 | 40,68 MHz | Mosfet | To-247cs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 30 | N-Kanal | 14a | 50 ma | - - - | 15 dB | - - - | 125 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5301 | 19.4400 | ![]() | 3036 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | CD530 | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5301 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1,54 Ma | 1,55 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3295r | - - - | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/246 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1,55 V @ 310 a | 10 mA @ 1000 v | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5295-1/Tr | 34.1550 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5295 | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5295-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1,25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4742A/TR13 | 0,8850 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4742 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 9,1 V | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5300ur-1/Tr | - - - | ![]() | 6661 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | CDS53 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5300ur-1/Tr | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5314-1/Tr | 32.2200 | ![]() | 1653 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5314 | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5314-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17 Ma | 2,9 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5301 | 18.6000 | ![]() | 9245 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C. | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5301 | 475 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5301 | 1 | 100V | 1,54 Ma | 1,55 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DN2540N5-G | 1.7600 | ![]() | 495 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | DN2540 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 500 mA (TJ) | 0V | 25ohm @ 120 mA, 0V | - - - | ± 20 V | 300 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 15W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5305/Tr | 25.2900 | ![]() | 1012 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | CDLL53 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5305/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.2 ma | 1,85 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N5314ur-1/Tr | 36.8400 | ![]() | 1944 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5314 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5314ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17 Ma | 2,9 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n5283 | - - - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N5283 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µa | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jankca1n5287 | - - - | ![]() | 8195 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5287/tr | 18.7950 | ![]() | 5800 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5287 | 500 MW | Do-7 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5287/tr | 100 | 100V | 363 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5287 | 18.6000 | ![]() | 8711 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5287 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5289/Tr | 25.2900 | ![]() | 4104 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | CDLL52 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5289/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 473 µA | 1,05 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3051B-1 | - - - | ![]() | 5141 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL251/Tr | 28.5000 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | CDLL25 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll251/tr | 100 | 80V | 6.16 Ma | 4.03V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n2137ra | 74.5200 | ![]() | 4777 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2137ra | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N5712UB | 65.0700 | ![]() | 7433 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | Schottky | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 V @ 35 mA | - - - | - - - | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANS1N3154-1 | - - - | ![]() | 5581 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/158 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 5,5 V | 8,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1n825e3/tr | 5.6100 | ![]() | 9188 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n825e3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 169 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N647-1/tr | 1.6891 | ![]() | 3702 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n647-1/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 400 mA | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1N5532BUR-1/Tr | 17.2900 | ![]() | 9733 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N5532BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.8 V | 12 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N938a | 9.7400 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N938 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N937/tr | 9.2700 | ![]() | 9771 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n937/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS2N6988 | 185.0406 | ![]() | 2158 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/558 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 2N6988 | 400 MW | To-116 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N5303-1/Tr | 31.6650 | ![]() | 9679 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N5303 | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5303-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1,76 Ma | 1,65 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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