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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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JantX1N3045B-1 | 10.0650 | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n3045 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 83,6 V | 110 v | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4110C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 3731 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00110 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12.15 V. | 16 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5929B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 7520 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5929 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 11,4 V | 15 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
JantX1N4103-1 | 5.2800 | ![]() | 2044 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4103 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7 V. | 9.1 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4976dus/tr | 51.2700 | ![]() | 7350 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantxv1n4976dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 42,6 V. | 56 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5542dur-1/Tr | 55.0221 | ![]() | 1423 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5542dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 v | 24 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
JANS1N6663US | - - - | ![]() | 6179 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/587 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 400 mA | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N6910UTK2CS | - - - | ![]() | 9367 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/723 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 15 v | 520 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 2000pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5952B/TR13 | 2.2200 | ![]() | 1913 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5952 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 98,8 V | 130 v | 450 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5322 | 17.8486 | ![]() | 2515 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 10 w | To-5 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2N5322m | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 V | 2 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2501N8-G | 1.2500 | ![]() | 8478 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | TN2501 | MOSFET (Metalloxid) | To-243aa (SOT-89) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 18 v | 400 mA (TJ) | 1,2 V, 3v | 2,5 Ohm @ 200 Ma, 3V | 1v @ 1ma | ± 20 V | 110 PF @ 15 V | - - - | 1.6W (TC) | |||||||||||||||||||||
Jantx1n5822us/tr | 65.7450 | ![]() | 3235 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/620 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N5822 | Schottky | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
Jan1n6352dus/tr | - - - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | 150-Jan1N6352DUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 114 v | 150 v | 1000 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5355A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5355 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 na @ 13 v | 18 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1N6620 | 13.1100 | ![]() | 5007 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/585 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N6620 | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 220 V | 1,4 V @ 1,2 a | 30 ns | 500 NA @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5347A/TR13 | 1.6350 | ![]() | 6400 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5347 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 5 µa @ 7,2 V | 10 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5943C/TR7 | 2.7600 | ![]() | 4845 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5943 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5942b | 3.4050 | ![]() | 2933 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5942 | 1,25 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 38,8 V. | 51 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3170R | - - - | ![]() | 8784 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/211 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,55 V @ 940 a | 10 mA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4758ce3/tr13 | 1.1700 | ![]() | 7578 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4758 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 42,6 V. | 56 v | 110 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4100CE3/TR13 | 0,4950 | ![]() | 9224 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00100 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n3017b-1 | 11.8800 | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3017 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N3340RB | - - - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 76 V | 100 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansm2N5002 | - - - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/534 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 2 w | To-59 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 50 µA | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
CDLL986 | 8.1150 | ![]() | 5879 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL986 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 84 V | 110 v | 750 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM580JE3/TR13 | 0,9750 | ![]() | 1456 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | HSM580 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 800 mV @ 5 a | 250 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
JantXV1N4621C-1/Tr | 13.2335 | ![]() | 8641 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4621C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3,5 µa @ 2 V | 3.6 V | 1700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS3030B-1/Tr | - - - | ![]() | 5027 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cds3030b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5523BUR-1 | - - - | ![]() | 2724 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5523bur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4482dus | 56.4150 | ![]() | 1109 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4482dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 40,8 V. | 51 v | 60 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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