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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
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![]() | APT2X31D40J | 20.8000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT2X31 | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 400 V | 30a | 1,5 V @ 30 a | 32 ns | 250 µa @ 400 V | |||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4128C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 7872 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00128 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 45.6 V. | 60 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jan1N4573A-1/Tr | 9.0150 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4573A-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5344B/TR12 | 2.6850 | ![]() | 5472 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5344 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 10 µa @ 5,9 V | 8.2 v | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jantxv1n6348 | 14.6700 | ![]() | 3977 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6348 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 76 V | 100 v | 340 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N6857ur-1 | - - - | ![]() | 3485 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 16 v | 750 MV @ 35 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 4.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3170r | - - - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/211 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | Standard | DO-205AB (DO-9) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,55 V @ 940 a | 10 mA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4735P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4735 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 6.2 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jantxv1N4122C-1/Tr | 20.6815 | ![]() | 4661 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4122C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 27,4 V. | 36 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||
Jan1N5553us | 9.9900 | ![]() | 9015 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/420 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N5553 | Standard | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 9 a | 2 µs | 1 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170HRM451AG | 149.6700 | ![]() | 9909 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | Silziumkarbid (sic) | 319W (TC), 395W (TC) | - - - | - - - | 150-MSCSM170HRM451AG | 1 | 4 N-Kanal (Drei-Level-Wechselrichter) | 1700 V (1,7 kV), 1200 V (1,2 kV) | 64a (TC), 89a (TC) | 45mohm @ 30a, 20V, 31mohm @ 40a, 20V | 3,2 V @ 2,5 mA, 2,8 V @ 3ma | 178nc @ 20v, 232nc @ 20V | 3300PF @ 1000V, 3020pf @ 1000V | Silziumkarbid (sic) | |||||||||||||||||||||
![]() | 1n5919d | 7.5450 | ![]() | 9866 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1N5919 | 1,19 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3168R | 201.6150 | ![]() | 3170 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3168 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3168RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,55 V @ 940 a | 10 mA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4737CPE3/TR12 | 1.1550 | ![]() | 2366 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4737 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||
JantX1N4102C-1/Tr | 12.1695 | ![]() | 9410 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4102C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.7 V. | 8,7 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC75W80F/Tr | - - - | ![]() | 7988 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC75W80F/Tr | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N4614C-1 | - - - | ![]() | 6253 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 1,8 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4904/Tr | 183.6600 | ![]() | 7910 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4904/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µa @ 8 V | 12,8 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||
CDLL4758 | 3.4650 | ![]() | 4850 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4758 | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 NA @ 42.6 V. | 56 v | 110 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n2979b | - - - | ![]() | 6968 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2979 | 10 w | Do-213aa (do-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 11,4 V | 15 v | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jan1N821-1 | - - - | ![]() | 6879 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/159 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 3 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT5017SVRG | 13.3800 | ![]() | 2486 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | APT5017 | MOSFET (Metalloxid) | D3 [s] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 30a (TC) | 170 MOHM @ 500 mA, 10V | 4v @ 1ma | 300 NC @ 10 V. | 5280 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N759a | 2.0400 | ![]() | 355 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n759a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9 V | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||
JANS1N4124D-1/Tr | 94.7000 | ![]() | 2739 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4124D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 32.7 V. | 43 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | MNS1N4567AUR-1/Tr | 13.0500 | ![]() | 7708 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150 MnS1N4567AUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µa @ 3 V | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4117C/TR13 | 1.2450 | ![]() | 7388 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00 UHR 4117 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jantx1n6631us | 19.1850 | ![]() | 4745 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/590 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N6631 | Standard | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1100 v | 1,6 V @ 1,4 a | 60 ns | 4 µa @ 1100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.4a | 40pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6634C | - - - | ![]() | 2341 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 175 µa @ 1 V | 3,9 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5255B/Tr | 2.1014 | ![]() | 6206 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5255b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n983dur-1 | 24.2250 | ![]() | 1750 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N983 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 330 Ohm |
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