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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMBJ4748/TR13 | 0,8700 |  | 1157 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ4748 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||||
 | JantX1N4550RB | - - - | | 1213 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 150 µA @ 500 mV | 4.3 v | 0,16 Ohm | |||||||||||||||||||
| JantXV1N6910UTK2 | - - - | | 9368 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/723 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n6910utk2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 15 v | 520 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 2000pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||||
 | JantX1N6332 | - - - | | 3696 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 17 v | 22 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4464cus | 30.8850 | | 6412 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4464CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 300 NA @ 5.46 V. | 9.1 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||
| Jankca1n753c | - - - | | 2377 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N753C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||
| JantX1N963CUR-1 | 21.8850 | | 8680 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N963 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 11,5 Ohm | ||||||||||||||||||
 | CD4565a | 4.3050 | | 5656 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4565a | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | 1n5536b/tr | 1.7689 | | 3085 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5536b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 v | 16 v | 103 Ohm | |||||||||||||||||||
| Jan1N5538C-1 | 11.0400 | | 9478 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5538 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 16.2 V. | 18 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
 | JANS1N6325US | 134.8050 | | 1374 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µA @ 8,5 V. | 11 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | 1N825aur-1 | 5.8500 | | 5972 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N825 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||
 | 1 PMT4100CE3/TR7 | 0,4950 | | 1848 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00100 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5,7 V | 7,5 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
| 1 PMT4123E3/TR13 | 0,4950 | | 3877 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00123 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.65 V. | 39 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
| Jan1n969dur-1 | 14.2500 | | 7455 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N969 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29 Ohm | ||||||||||||||||||
| JantX1N7052-1 | 8.8950 | | 2050 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n984bur-1/tr | 6.8495 | | 6194 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n984bur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 69 V | 91 V | 400 Ohm | |||||||||||||||||||
 | JantX1N6857-1 | - - - | | 9714 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/444 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Schottky | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 20 v | 350 mv @ 1 mA | 150 NA @ 16 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | |||||||||||||||||||
 | MSR2N3637UB/Tr | 117.7183 | | 7435 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSR2N3637UB/Tr | 100 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||
 | Jan1N3824CUR-1 | 35.5200 | | 4046 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3824 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||
| JantX1N4622ur-1/Tr | 8.1662 | | 6504 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4622ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2,5 µa @ 2 V | 3,9 v | 1650 Ohm | |||||||||||||||||||
 | S8-4148/TR13 | 3.3600 | | 6314 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | S8-4148 | Standard | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 4 Unabhängig | 75 V | 400 mA (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||
| JantXV1N6355CUS | - - - | | 5845 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 152 v | 200 v | 1800 Ohm | ||||||||||||||||||||
| 1N4581aur-1/tr | 8.9400 | | 6661 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 108 | 2 µa @ 3 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
| JANSD2N2906AUBC | 305.9206 | | 1787 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N2906AUBC | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||
| Jan1N6320/Tr | - - - | | 2266 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6320 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||||
| CD972B | 1.5029 | | 9276 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD972B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | |||||||||||||||||||
 | CDLL5951d | 23.5050 | | 5406 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5951 | 1,25 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 91,2 V. | 120 v | 380 Ohm | ||||||||||||||||||
| 1N5985ur-1 | 3.5850 | | 3710 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N5985 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | JANS1N4963US | 92.9250 | | 9397 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µA @ 12,2 V. | 16 v | 3,5 Ohm |
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