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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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1N4762aur | 3.4650 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N4762 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 62,2 V. | 82 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 5818SMJ/TR13 | 0,6150 | ![]() | 5119 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 5818 | Schottky | Do-214aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||
Jan1N987B-1 | - - - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 91,2 V | 120 v | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6895UTK1 | 259.3500 | ![]() | 3368 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6895utk1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4107DUR-1 | 148.6800 | ![]() | 6303 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.9 V. | 13 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5296ur-1/Tr | 40.4100 | ![]() | 5479 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5296 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5296ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001 ma | 1,29 v | ||||||||||||||||||||
UES1103SM-1/Tr | 22.0950 | ![]() | 7050 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard, Umgekehrte Polarität | A, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-EES1103SM-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 980 mV @ 2,5 a | 25 ns | 2 µa @ 150 V | - - - | 2.5a | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | UFS505J/TR13 | 3.7650 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | UFS505 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4492DUS/Tr | 330.4050 | ![]() | 7896 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jans1n4492dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 104 v | 130 v | 500 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4101dur-1/Tr | 44.5816 | ![]() | 1433 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4101dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.3 V. | 8.2 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3023D-1/Tr | 19.3515 | ![]() | 4801 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3023D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5298 | 25.0950 | ![]() | 2602 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | CDLL52 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1,21 Ma | 1,4 v | |||||||||||||||||||||
JantXV1N6315C | 36.0300 | ![]() | 5840 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6315 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 V | 4.3 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantXV1N6316DUS | 68.5350 | ![]() | 6443 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6316 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1,5 V | 4,7 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5919CPE3/TR12 | 1.2000 | ![]() | 4299 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5919 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||
JantX1N5544C-1/Tr | 17.4496 | ![]() | 8155 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5544c-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 25.2 V. | 28 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N723 | 1.9200 | ![]() | 9809 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N723 | 250 MW | Do-35 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 24 v | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3212 | 65.8800 | ![]() | 7579 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3212 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3212m | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,19 V @ 90 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N968B/tr | 2.0083 | ![]() | 9483 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n968b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N6674R | 201.0900 | ![]() | 5585 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) | 1N6674 | Standard, Umgekehrte Polarität | To-254 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,35 V @ 10 a | 35 ns | 50 µa @ 400 V | - - - | 15a | 150pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | UZ5138 | 32.2650 | ![]() | 3779 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz5138 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 289 V | 380 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4106 | 13.2734 | ![]() | 9471 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4106 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 8.12 V. | 12 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jantxv1n6486dus/tr | - - - | ![]() | 9999 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | 150-Jantxv1n6486dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||
JantX1N6325C | 29.2350 | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N6325c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 1 µA @ 8,5 V. | 11 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1n5224b | 2.4073 | ![]() | 6536 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5224b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 2,8 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4110ur-1/tr | 10.1080 | ![]() | 4101 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4110ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 NA @ 12,2 V. | 16 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N2369AU | 130.1402 | ![]() | 3075 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 500 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N2369au | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
JANS1N4621C-1 | 124.5750 | ![]() | 3405 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3,5 µa @ 2 V | 3.6 V | 1700 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3595ur-1/Tr | 6.1579 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/241 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3595ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 125 v | 920 mv @ 100 mA | 3 µs | 1 na @ 125 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4763CE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 3110 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ4763 | 2 w | Do-214AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 69.2 V. | 91 V | 250 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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