SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
1N6634 Microchip Technology 1N6634 15.5550
RFQ
ECAD 6929 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch E, axial 1N6634 5 w E, axial Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 175 µa @ 1 V 3,9 v 500 Ohm
JAN1N5540DUR-1 Microchip Technology Jan1n5540dur-1 36.1650
RFQ
ECAD 1047 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N5540 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 na @ 18 v 20 v 100 Ohm
DN3535N8-G Microchip Technology DN3535N8-G 0,9000
RFQ
ECAD 200 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DN3535 MOSFET (Metalloxid) To-243aa (SOT-89) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 350 V 230 Ma (TJ) 0V 10ohm @ 150 mA, 0V - - - ± 20 V 360 PF @ 25 V. Depletion -modus 1.6W (TA)
SMBJ5373B/TR13 Microchip Technology SMBJ5373B/TR13 1.6650
RFQ
ECAD 1474 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB SMBJ5373 5 w Smbj (do-214aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 49 V 68 v 44 Ohm
CDLL959 Microchip Technology CDLL959 2.8650
RFQ
ECAD 5360 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf CDLL959 500 MW Do-213ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 5 µA @ 6,2 V 8.2 v 6,5 Ohm
1N5364C/TR8 Microchip Technology 1N5364C/TR8 3.3900
RFQ
ECAD 9877 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5364 5 w T-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 23.8 V. 33 v 10 Ohm
JANS1N6340D Microchip Technology JANS1N6340D 350.3400
RFQ
ECAD 9213 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N6340D Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 36 v 47 v 75 Ohm
JAN1N6338DUS Microchip Technology Jan1n6338dus 49.6800
RFQ
ECAD 4564 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N6338DUS Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 30 v 39 v 55 Ohm
CDLL4475/TR Microchip Technology CDLL4475/Tr 10.3341
RFQ
ECAD 1665 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf 1,5 w Do-213ab - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-cdll4475/tr Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 21.6 v 27 v 18 Ohm
1N4617-1 Microchip Technology 1N4617-1 2.8050
RFQ
ECAD 8325 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch DO-204AA, DO-7, Axial 1N4617 500 MW Do-7 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 1 µa @ 1 V 2,4 v 1400 Ohm
2N744 Microchip Technology 2N744 30.5700
RFQ
ECAD 5238 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N744 1
JAN1N4995 Microchip Technology Jan1N4995 - - -
RFQ
ECAD 2601 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch E, axial 5 w E, axial - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 2 µa @ 274 V 360 V 1400 Ohm
JANS2N5416U4 Microchip Technology JANS2N5416U4 - - -
RFQ
ECAD 8985 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/485 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N5416 1 w U4 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 1 a 1ma PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANTX1N4118D-1/TR Microchip Technology JantX1N4118D-1/Tr 15.1886
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1N4118D-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 Na @ 20,5 V. 27 v 150 Ohm
JANS2N3868 Microchip Technology JANS2N3868 148.2902
RFQ
ECAD 4413 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/350 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 ma 100 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 30 @ 1,5a, 2v - - -
VRF154FL Microchip Technology VRF154FL 431.9900
RFQ
ECAD 8685 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv 170 v T2 VRF154 80MHz Mosfet T2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 4ma 800 mA 600W 17db - - - 50 v
APT31M100L Microchip Technology APT31M100L 17.9000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT31M100 MOSFET (Metalloxid) To-264 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 32a (TC) 10V 400mohm @ 16a, 10V 5 V @ 2,5 mA 260 NC @ 10 V ± 30 v 8500 PF @ 25 V. - - - 1040W (TC)
JANTX1N977BUR-1 Microchip Technology JantX1N977bur-1 6.0900
RFQ
ECAD 8545 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/117 Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N977 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 na @ 36 v 47 v 105 Ohm
JAN1N3039B-1 Microchip Technology Jan1N3039B-1 9.2700
RFQ
ECAD 3005 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/115 Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N3039 1 w Do-41 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,2 V @ 200 Ma 10 µA @ 47,1 V 62 v 125 Ohm
JANS1N4570AUR-1 Microchip Technology JANS1N4570AUR-1 85.9650
RFQ
ECAD 2635 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/452 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 V 6.4 v 100 Ohm
MS8253-150A/TR Microchip Technology MS8253-150A/Tr - - -
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MS8253 - - - UnberÜHrt Ereichen 150 ms8253-150a/tr 1
JANTXV1N5802/TR Microchip Technology Jantxv1n5802/tr 11.4450
RFQ
ECAD 1686 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/477 Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch A, axial Standard A, axial Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n5802/tr Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 25PF @ 10V, 1 MHz
JANTXV1N3047CUR-1 Microchip Technology JantXV1N3047CUR-1 - - -
RFQ
ECAD 8214 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
CD4460 Microchip Technology CD4460 5.7300
RFQ
ECAD 7547 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - - - - Oberflächenhalterung Sterben Sterben - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-CD4460 Ear99 8541.10.0050 1
TN0106N3-G Microchip Technology TN0106N3-G 1.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tasche Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) TN0106 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 350 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 3OHM @ 500 mA, 10V 2v @ 500 ähm ± 20 V 60 PF @ 25 V - - - 1W (TC)
1N943A-1 Microchip Technology 1N943A-1 18.3150
RFQ
ECAD 5108 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 15 µa @ 8 V 11.7 v 30 Ohm
1N5372B/TR12 Microchip Technology 1N5372B/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch T-18, axial 1N5372 5 w T-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 1 a 500 NA @ 44.6 V. 62 v 42 Ohm
JANTXV1N3308B Microchip Technology Jantxv1n3308b - - -
RFQ
ECAD 4413 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/358 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Bolzenhalterung DO-203AB, DO-5, Stud 50 w Do-5 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 10 a 25 µA @ 6,1 V 9.1 v 0,5 Ohm
JANTX2N3636UB Microchip Technology JantX2N3636UB 15.4280
RFQ
ECAD 9870 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N3636 1,5 w 3-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
1N3265 Microchip Technology 1N3265 151.2750
RFQ
ECAD 7510 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv Bolzenhalterung Do-205AB, Do-9, Stud 1N3265 Standard DO-205AB (DO-9) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 1N3265ms Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 300 V 1,3 V @ 300 a 75 µa @ 300 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus