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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDll4749a | 3.5400 | ![]() | 2493 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4749 | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18,2 V. | 24 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSC010SDA070B | 3.5400 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | MSC010 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 700 V | 1,8 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 700 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 24a | 353PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CD935 | 10.3950 | ![]() | 6099 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD935 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6636US | - - - | ![]() | 5827 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 20 µa @ 1 V | 4,7 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||
Jantxv2N4029 | - - - | ![]() | 7145 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/512 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4978CUS/Tr | 24.7500 | ![]() | 9391 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4978cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 51,7 V | 68 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5346AE3/TR13 | 0,8100 | ![]() | 4942 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5346 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 7,5 µa @ 6,6 V | 9.1 v | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||
JantX1N4105C-1 | 16.0500 | ![]() | 4202 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4105 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8,5 V | 11 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4128CE3/TR7 | 0,4950 | ![]() | 6989 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.00128 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 45.6 V. | 60 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5370A/TR8 | - - - | ![]() | 3135 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5370 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 V. | 56 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3499UB/Tr | 21.6657 | ![]() | 5033 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv2N3499UB/Tr | 100 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3326b | - - - | ![]() | 9083 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 27,4 V | 36 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4720 | 47.3250 | ![]() | 2255 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Axial | 1N4720 | Standard | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 3 a | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||
2N718a | 31.0821 | ![]() | 4800 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2266-2n718a | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
1N5805us | 9.6300 | ![]() | 3504 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | D-5a | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5805us | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 135 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 125 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5285ur-1/Tr | 38.4300 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5285 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5285ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297 µA | 1V | |||||||||||||||||||||
![]() | UFR3150 | 94.5300 | ![]() | 6793 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,25 V @ 30 a | 50 ns | 175 ° C (max) | 30a | 115PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
JANS1N4967DUS/Tr | 429.6722 | ![]() | 2507 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4967dus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 18,2 V. | 24 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N7049-1 | 7.6500 | ![]() | 5159 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | Jan1N7049 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N2222Aub | 5.7000 | ![]() | 1270 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N2222 | 500 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||
Jan1N983B-1 | 2.2500 | ![]() | 2176 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N983 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 62 V. | 82 v | 330 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3009RB | 40.3200 | ![]() | 7109 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3009 | 10 w | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 98,8 V | 130 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4370aur-1 | 7.2600 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4370 | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||
Jantxv1n4965us | 15.9750 | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N4965 | 5 w | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 15,2 V | 20 v | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5812r | 246.3300 | ![]() | 6150 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/478 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mV @ 20 a | 35 ns | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 300PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4737CE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 3692 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAJ4737 | 2 w | Do-214AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5253D/Tr | 8.5950 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5253d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 110 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1N5622 | 5.9200 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N5622 | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 3 a | 2 µs | 500 NA @ 1000 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||
JantX1N4942/Tr | 5.4600 | ![]() | 4668 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/359 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | A, axial | Standard | A, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4942/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3912R | - - - | ![]() | 8767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/308 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,4 V @ 50 a | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - |
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