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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | UFS515JE3/TR13 | 1.8900 | ![]() | 6347 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | UFS515 | Standard | Do-214AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 30 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n2980b | - - - | ![]() | 2559 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2980 | 10 w | Do-213aa (do-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 12,2 V | 16 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6677ur-1 | 9.4000 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N6677 | Schottky | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 500 MV @ 200 Ma | 5 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4967CUS/Tr | 24.7500 | ![]() | 8185 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantx1n4967cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 18,2 V. | 24 v | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n2830a | 94.8900 | ![]() | 6737 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2830 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 38 V | 50 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5956be3 | 3.5850 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1,19 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5956be3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 152 V | 200 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5361C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMBG5361 | 5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 19.4 V. | 27 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
CDLL3021B | 14.7300 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3021 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
1n5535/tr | 1.9950 | ![]() | 5102 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5535/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 12,5 V. | 15 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DT-2350/Tr | - - - | ![]() | 9021 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-DT-2350/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5664 | 41.5891 | ![]() | 1295 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2N5664 | 2,5 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 5 a | 200na | Npn | 400mv @ 300 mA, 3a | 40 @ 1a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2429 | 102.2400 | ![]() | 7688 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n2429 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
Jantxv2N5153 | 15.6408 | ![]() | 6024 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 µA | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5373A/TR12 | 2.6250 | ![]() | 9258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5373 | 5 w | T-18 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 49 V | 68 v | 44 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
JANS1N6317D/Tr | 448.5900 | ![]() | 4093 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6317 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6020b/tr | 2.0083 | ![]() | 9353 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6020b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 v | 68 v | 240 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6910utk2cs/tr | 259.3500 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Thinkey ™ 2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n6910utk2cs/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 520 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 2000pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3341a | 49.3800 | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3341 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 83 V | 105 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n978dur-1 | 14.2500 | ![]() | 6422 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N978 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 39 V | 51 v | 125 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6015a | 1.9950 | ![]() | 4900 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6015 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 43 v | 180 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
CDll5248a | 2.8650 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5248 | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5417 | 55.8450 | ![]() | 6373 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||
CDLL4131 | 3.5850 | ![]() | 6938 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL4131 | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1190ar | 74.5200 | ![]() | 4705 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1190 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N1190arm | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,19 V @ 90 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5550/Tr | 81.3000 | ![]() | 3048 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5550/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N6354d | - - - | ![]() | 5385 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 137 v | 180 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM120HM063AG | 855.2300 | ![]() | 3293 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | MSCSM120 | Silziumkarbid (sic) | 873W (TC) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSCSM120HM063AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 N-Kanal (Volle Brucke) | 1200 V (1,2 kV) | 333a (TC) | 7.8mohm @ 80A, 20V | 2,8 V @ 12 Ma | 928nc @ 20V | 12000PF @ 1000V | - - - | |||||||||||||||||||
JANS1N4619-1 | 59.3250 | ![]() | 1561 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
1N4986us/tr | 11.6641 | ![]() | 4917 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4986us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 114 V | 150 v | 330 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD965B | 1.5162 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD965b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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