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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | APT25GP90BDQ1G | - - - | ![]() | 3982 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT25GP90 | Standard | 417 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 40a, 4,3 Ohm, 15 V. | Pt | 900 V | 72 a | 110 a | 3,9 V @ 15V, 25a | 370 µj (AUS) | 110 NC | 13ns/55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT2X60D100J | 28.7000 | ![]() | 1522 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT2X60 | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1000 v | 55a | 2,5 V @ 60 a | 280 ns | 250 µa @ 1000 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30GT60BRDQ2G | - - - | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT30GT60 | Standard | 250 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 22 ns | Npt | 600 V | 64 a | 110 a | 2,5 V @ 15V, 30a | 80 µJ (EIN), 605 µJ (AUS) | 7.5 NC | 12ns/225ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT5010B2Fllg | 17.3800 | ![]() | 9102 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | APT5010 | MOSFET (Metalloxid) | T-Max ™ [B2] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 23a, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 95 NC @ 10 V | ± 30 v | 4360 PF @ 25 V. | - - - | 520W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GN60BDQ2G | 7.2700 | ![]() | 8192 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT50GN60 | Standard | 366 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 50A, 4,3 Ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 107 a | 150 a | 1,85 V @ 15V, 50a | 1185 µJ (EIN), 1565 µJ (AUS) | 325 NC | 20ns/230ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GT60BRDQ2G | 11.2700 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Thunderbolt IGBT® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT50GT60 | Standard | 446 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 50a, 5ohm, 15 V. | 22 ns | Npt | 600 V | 110 a | 150 a | 2,5 V @ 15V, 50A | 995 µj (EIN), 1070 µJ (AUS) | 240 NC | 14ns/240ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50M50JVFR | 70.9700 | ![]() | 2022 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power Mos V® | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT50m50 | MOSFET (Metalloxid) | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 77a (TC) | 50MOHM @ 500 mA, 10V | 4v @ 5ma | 1000 nc @ 10 v | 19600 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT50M50L2LLG | 37.7300 | ![]() | 1849 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT50m50 | MOSFET (Metalloxid) | 264 Max ™ [L2] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 89a (TC) | 50MOHM @ 44,5a, 10V | 5v @ 5ma | 200 nc @ 10 v | 10550 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT56M50L | 11.5900 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | APT56m50 | MOSFET (Metalloxid) | To-264 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 56a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 220 NC @ 10 V | ± 30 v | 8800 PF @ 25 V. | - - - | 780W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT200GN60J | 37.2200 | ![]() | 5213 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT200 | 682 w | Standard | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 283 a | 1,85 V @ 15V, 200a | 25 µA | NEIN | 14.1 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT35GA90BD15 | 6.4400 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | APT35GA90 | Standard | 290 w | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 18a, 10ohm, 15 V. | Pt | 900 V | 63 a | 105 a | 3,1 V @ 15V, 18a | 642 µJ (EIN), 382 µJ (AUS) | 84 NC | 12ns/104ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 1799 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3035B-1 | - - - | ![]() | 7278 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3035 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4493us | 15.0600 | ![]() | 5124 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5928CPE3/TR12 | 1.2000 | ![]() | 4786 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5928 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,9 V | 13 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jansm2N3440 | 233.7316 | ![]() | 5578 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3440 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UZ8716 | 22.4400 | ![]() | 3040 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 1 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz8716 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 12.1 V. | 16 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3172 | 216.8850 | ![]() | 6941 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 1N3172 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N3172m | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,55 V @ 940 a | 10 mA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5364AE3/TR13 | 0,8100 | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5364 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 23.8 V. | 33 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5151U3 | 85.8382 | ![]() | 4433 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,16 w | U3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 Ma | 1ma | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL0.2A30 | 3.0191 | ![]() | 4258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL0.2 | Schottky | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 500 MV @ 200 Ma | 5 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 90025-03TX | - - - | ![]() | 4336 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 100 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3891 | 366.6000 | ![]() | 5330 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/304 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 38 a | 200 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 115PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4750age3/tr | 3.1255 | ![]() | 4503 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4750age3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N6342 | 8.4150 | ![]() | 2966 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6342 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 43 v | 56 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1343c | 45.3600 | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1343 | Standard | DO-4 (DO-203AA) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,3 V @ 30 a | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N827-1 | 6.0150 | ![]() | 1369 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N827 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM9601 | - - - | ![]() | 6203 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2-smd | - - - | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-um9601 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7,5 w | 1,2PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 600 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LSM535JE3/TR13 | 0,5850 | ![]() | 1255 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | LSM535 | Schottky | Do-214AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 520 mv @ 5 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N5151L | 98.9702 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N5151L | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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