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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Eingabekapazität (cies) @ vce |
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1n5993d/tr | 4.7747 | ![]() | 6315 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5993d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||
JantX1N6317DUS/Tr | - - - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6317 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4679ur-1/tr | 5.2800 | ![]() | 6333 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4679ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 180 | 1,5 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 2 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4120c | - - - | ![]() | 1692 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCA1N4120C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1n5540c | 11.3550 | ![]() | 8386 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5540c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 v | 20 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||
Jantxv1N972B-1 | 3.4800 | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N972 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N3047B-1 | - - - | ![]() | 8099 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n7054ur-1/tr | 12.9750 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N7054ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4474d | 26.2200 | ![]() | 8914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4474 | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 Na @ 19.2 V. | 24 v | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N6015ur | 3.5850 | ![]() | 5531 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N6015 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3026B/Tr | 13.7522 | ![]() | 9753 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll3026b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 13.7 V. | 18 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N1185R | 74.5200 | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1185 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N1185RMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,19 V @ 90 a | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | |||||||||||||||||||
JANS1N4122-1 | 33.7800 | ![]() | 3614 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 27,4 V. | 36 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5234 | 1.6350 | ![]() | 7606 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5234 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6636us | - - - | ![]() | 5299 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 20 µa @ 1 V | 4,7 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||
1N982B | - - - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 56 V | 75 V | 270 Ohm | ||||||||||||||||||||||
Jantxv1N4624D-1/Tr | 16.5186 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4624D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 4,7 v | 1550 Ohm | ||||||||||||||||||||||
UZ8113 | 22.4400 | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | A, axial | 1 w | A, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz8113 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 NA @ 98,8 V. | 130 v | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N7043CAT1 | 158.2350 | ![]() | 8223 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/730 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-254-3, to-254aa | 1N7043 | Schottky | To-254aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 v | 35a | 1,3 V @ 35 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL937B/Tr | 8.7000 | ![]() | 3552 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll937b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||
JantX1N6312CUS | 44.4750 | ![]() | 4126 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6312 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 27 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200SK60T3AG | 92.6400 | ![]() | 7573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | AptGT200 | 750 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 290 a | 1,9 V @ 15V, 200a | 250 µA | Ja | 12.3 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||
![]() | 1N4683/tr | 3.6575 | ![]() | 8791 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4683/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 800 na @ 1 v | 3 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4571AUR-1/Tr | 163.8300 | ![]() | 4113 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N4571aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5942 | 3.4050 | ![]() | 9920 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1,25 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5942 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 38,8 V. | 51 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1N4901a | 51.6450 | ![]() | 5057 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N4901 | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3000b | - - - | ![]() | 3470 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 10 w | Do-213aa (do-4) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µA @ 47,1 V | 62 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5822 | 6.5700 | ![]() | 1505 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5822 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2050FCTE3/TU | 1.1700 | ![]() | 3934 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Rohr | Aktiv | MBR2050 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N6628us/tr | 19.3500 | ![]() | 3088 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Standard, Umgekehrte Polarität | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6628us/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 660 V | 1,35 V @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1.75a | 40pf @ 10v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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