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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1N3020D-1 | 25.4550 | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1n3020 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N5938APE3/TR8 | 0,9150 | ![]() | 5066 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5938 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 27,4 V | 36 v | 38 Ohm | ||||||||||||||||
Jantxv1N4122-1/Tr | 8.1662 | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N4122-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 27,4 V. | 36 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
JANS1N4576A-1 | 142.3350 | ![]() | 3039 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5420/Tr | 55.8450 | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5420/Tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 9 a | 400 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||
1N5229b | 1.8600 | ![]() | 4299 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5229 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 1N5229BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | JANS1N4127UR-1 | 48.9900 | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT4102E3/TR7 | 0,4950 | ![]() | 6556 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 1PMT4102 | 1 w | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,61 V | 8,7 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JantX1N4131DUR-1/Tr | 27.0921 | ![]() | 7328 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4131dur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||
JantX1N747C-1/Tr | 5.2668 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N747C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL200 | 22.0950 | ![]() | 9458 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDLL20 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll200 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N5543D-1/Tr | 12.3823 | ![]() | 6269 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5543D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 v | 25 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
1N6331 | 8.4150 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6331 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 15 V | 20 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||||
Jantxv1n5822us | 124,5000 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/620 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Schottky | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3821aur-1 | 15.9000 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N3821 | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N5416 | 6.6300 | ![]() | 4320 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/411 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | B, axial | 1N5416 | Standard | B, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||
![]() | JANSF2N5151U3 | 232.1916 | ![]() | 6374 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,16 w | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansf2N5151U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3305a | 49.3800 | ![]() | 4793 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3305 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 300 µa @ 4,5 V | 6,8 v | 0,2 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jantxv1N6910utk2as | - - - | ![]() | 9230 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/723 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Thinkey ™ 2 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 15 v | 520 mv @ 25 a | 1,2 mA @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 2000pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | MSASC75W80FS/Tr | - - - | ![]() | 5625 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC75W80FS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N3501UB | 21.2534 | ![]() | 3573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N3501 | 500 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||
![]() | 1N4743CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 2733 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4743 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
UES706HR2 | - - - | ![]() | 4701 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 20 a | 50 ns | 50 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||||||
Jan2n1893s | 24.1129 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/182 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n1893 | 3 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 5v @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||
![]() | CDLL7048 | 68.1450 | ![]() | 4378 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | CDLL70 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll7048 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6310dus | 55.6050 | ![]() | 9991 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6310 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 60 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | CD4482 | 4.3624 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4482 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
Jankccg2N3501 | - - - | ![]() | 7370 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankccg2N3501 | 100 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | CDLL5231a/tr | 2.7132 | ![]() | 6797 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5231a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 2N2432UB/Tr | 20.3850 | ![]() | 8442 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 360 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N2432UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 30 v | 100 ma | 10na | Npn | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 1ma, 5v | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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