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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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JantX2N2904 | - - - | ![]() | 6818 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/290 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 40 v | 600 mA | 1 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||
JantX1N5537B-1/Tr | 6.2111 | ![]() | 2071 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-JantX1N5537B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantXV1N6486C | - - - | ![]() | 4423 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JantX1N3823CUR-1/Tr | 36.2292 | ![]() | 4131 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n3823cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N6025B | 2.7750 | ![]() | 7921 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6025 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 84 v | 110 v | 650 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Jan1N4130CUR-1/Tr | 19.9367 | ![]() | 6886 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4130CUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 51,7 V. | 68 v | 700 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4907 | 58.6200 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 150 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N4907 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 10 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5927A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 3636 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5927 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 6,5 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CDLL4623 | 3.9450 | ![]() | 3687 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4623 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 4.3 v | 1600 Ohm | ||||||||||||||||
1n5528d | 5.6850 | ![]() | 3619 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5528d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 7,5 V. | 8.2 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N713a | 1.9200 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N713 | 250 MW | Do-35 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||
JantXV1N4622D-1 | 18.4650 | ![]() | 7530 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4622 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2,5 µa @ 2 V | 3,9 v | 1650 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | CDS5536BUR-1 | - - - | ![]() | 2339 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5536BUR-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
JantXV1N756A-1 | - - - | ![]() | 9301 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 6 V | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | UZ7709V | 468.9900 | ![]() | 8639 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | Zucht | 10 w | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-UZ7709V | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 150 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 1 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5195/Tr | - - - | ![]() | 2351 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/118 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n5195/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 180 v | 1 V @ 100 mA | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||||||||||
![]() | JANS1N6328C | 358.7400 | ![]() | 4789 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 500 MW | B, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 11 v | 15 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5936BE3/TR13 | 0,7350 | ![]() | 7438 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5936 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 22,8 V. | 30 v | 28 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N4447 | 1.1850 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4447 | Standard | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N4447MS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 20 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||||
Jankca1n5527c | - - - | ![]() | 3952 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1n5527c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 6.8 V. | 7,5 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N3338RB | 49.3800 | ![]() | 6940 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3338 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 62,2 V. | 82 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CDS759A-1 | - - - | ![]() | 3210 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS759A-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4495cus/tr | 45.2850 | ![]() | 5164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantxv1n4495cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 144 v | 180 v | 1300 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4736age3 | 3.3300 | ![]() | 3913 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1 w | Do-41 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4736age3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4475D | 258.8850 | ![]() | 4493 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,5 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 21.6 v | 27 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5952B/TR13 | 2.2200 | ![]() | 1913 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5952 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 98,8 V | 130 v | 450 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | JANSL2N2222AUBC | 279.1520 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansL2N2222ABC | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | LSM130GE3/TR13 | 0,6450 | ![]() | 4180 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | LSM130 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
JANKCCD2N3499 | - - - | ![]() | 6995 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankccd2N3499 | 100 | 100 v | 500 mA | 10 µA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | MSASC75W45FR | - - - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky, Umgekehrte Polarität | Thinkey ™ 3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSASC75W45FR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 760 mv @ 75 a | 750 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 75a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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