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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N965C-1 | 4.8600 |  | 1523 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N965 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||
 | CDll3016a | 16.1100 | | 7805 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3016 | 1 w | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||
 | JantX1N5520CUR-1 | 37.7850 | | 9632 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5520 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 3,9 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||
 | SMBJ5935CE3/TR13 | 1.3350 | | 4178 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5935 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 20,6 V | 27 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1N4614-1 | 3.4650 | | 2172 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N4614 | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3,5 µa @ 1 V | 1,8 v | 1200 Ohm | ||||||||||||||||
 | JANS1N5620US | 57.3900 | | 7086 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/427 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | Standard | A, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 2 µs | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||
 | 1N3825A-1 | 6.5400 | | 6513 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3825 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||
 | CDLL3016B/Tr | 14.4571 | | 2693 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll3016b/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5,2 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||
 | JANSR2N2218A | 114.6304 | | 3781 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/251 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N2218 | 800 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||
 | 1N7054-1 | 7.1700 | | 9096 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N7054 | 250 MW | Do-7 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 4,8 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||
| JANS1N3156UR-1 | - - - | | 4693 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/158 | Schüttgut | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 5,5 V | 8.4 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||
 | 1n2837b | 94.8900 | | 4183 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | To-204ad | 1N2837 | 50 w | To-204ad (to-3) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µA @ 69.2 V. | 91 V | 15 Ohm | ||||||||||||||||
| CDll4569a | 82.8750 | | 7123 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 100 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | CDLL4569 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 200 Ohm | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n4124ur-1 | 11.2500 | | 3708 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4124 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 32.7 V. | 43 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N4737P/TR8 | 1.8600 | | 8693 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4737 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||
| Jantxv2N3501 | 15.8403 | | 6528 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/366 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3501 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 300 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||
| CDLL5239B | 2.8650 | | 7875 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL5239 | 10 MW | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N5923p/TR12 | 1.8600 | | 3561 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5923 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||
| Jantxv1n1186r | 120.7200 | | 8721 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/297 | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1186 | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 110 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 35a | - - - | |||||||||||||||
| Jantxv1n4118dur-1 | 36.0000 | | 2768 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4118 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 20,5 V. | 27 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||
| Jan1N5520C-1 | 14.1300 | | 7352 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5520 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 3,9 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N4728aur | 3.4650 | | 7228 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 1N4728 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
| Jan2N5005 | 416.0520 | | 8867 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/535 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chassis, Stollenberg | To-210aa, to-59-4, Stud | 2n5005 | 2 w | To-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||
| CDLL5245D/Tr | 8.4150 | | 7983 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 10 MW | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5245d/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 113 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||||
| 1n5533d | 14.2050 | | 3778 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5533d | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 11.7 V. | 13 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||
| Jankca1n751c | - - - | | 6949 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jankca1N751C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||
| Jan1N4475CUS | 27.6750 | | 9210 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1N4475 | 1,5 w | D-5a | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 21.6 v | 27 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||
 | 1n5988b | 3.0900 | | 2871 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5988 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1N5988BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||
| 1N5417-1/tr | 5.0250 | | 6540 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Axial | Standard, Umgekehrte Polarität | B | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5417-1/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 188 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,5 V @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||
| 1N4758ce3/tr13 | 1.1700 | | 7578 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4758 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 42,6 V. | 56 v | 110 Ohm |
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