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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | CDS5518BUR-1 | - - - | ![]() | 2314 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5518bur-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n5520b-1 | 5.5200 | ![]() | 8464 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5520 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1 V | 3,9 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N3040C-1/Tr | 15.5078 | ![]() | 4631 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3040C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µA @ 51,7 V | 68 v | 150 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5940BE3/TR13 | 0,7350 | ![]() | 7510 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5940 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 32,7 V. | 43 v | 53 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
JantX2N3419s | 18.9791 | ![]() | 6416 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/393 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N3419 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 3 a | 5 ähm | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 20 @ 1a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4127d | - - - | ![]() | 5699 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N4127d | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 42.6 V. | 56 v | 300 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30D100BHBG | 6.2900 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Apt30 | Standard | To-247 [b] | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1000 v | 18a | 2,3 V @ 30 a | 290 ns | 250 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
1N5269 | 2.1000 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5269 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 65 V | 87 v | 370 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n5302 | - - - | ![]() | 3785 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N5302 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1,65 Ma | 1,6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5231bur-1e3 | 3.0600 | ![]() | 6546 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5231 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1N5231BUR-1E3MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N3824A-1 | 6.7650 | ![]() | 2608 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N3824 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N3772 | 553.2800 | ![]() | 6920 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/518 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N3772 | 6 w | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 20 a | 5ma | Npn | 4v @ 4a, 20a | 15 @ 10a, 4V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3049dur-1 | - - - | ![]() | 1596 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5924BE3/TR13 | 0,3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5924 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 7 V. | 9.1 v | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
JantXV1N4132-1 | 9.0450 | ![]() | 8782 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4132 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 62.4 V. | 82 v | 800 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N3957 | 6.6150 | ![]() | 6164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/228 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N3957 | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4479CUS/TR | 283.9800 | ![]() | 4573 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jans1n4479cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 31.2 V. | 39 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ5220 | 32.2650 | ![]() | 7135 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-uz5220 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µa @ 144 V | 200 v | 500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5535B | 2.0349 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5535b | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 Na @ 13,5 V. | 15 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
MQ2N4858 | 54.6231 | ![]() | 6574 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 360 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-MQ2N4858 | 1 | N-Kanal | 40 v | 18pf @ 10v | 40 v | 8 ma @ 15 V | 800 MV @ 500 PA | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3343a | 49.3800 | ![]() | 6879 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3343 | 50 w | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 91,2 V | 120 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5308ur-1/tr | 36.8400 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5308 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N5308ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2,97 Ma | 2.15 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N336a | - - - | ![]() | 6478 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N937BUR-1/Tr | - - - | ![]() | 1461 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/156 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N937BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µa @ 6 V | 9 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3838 | - - - | ![]() | 1077 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/421 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Flatpack | 2N3838 | 350 MW | 6-Flatpack | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv2N4239 | 45.9249 | ![]() | 7957 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/581 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N4239 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 30 @ 250 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4573aur-1/Tr | 24.1050 | ![]() | 2921 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n4573aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
JantX1N6312C | 31.8300 | ![]() | 9863 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6312 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 27 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3019b-1/tr | 10.6799 | ![]() | 4510 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n3019b-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 25 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4120 | 2.4450 | ![]() | 7752 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 1N4120 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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