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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | S306AA0f | 49.0050 | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-S306AA0f | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N4574AUR-1/Tr | 30.3450 | ![]() | 5364 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/452 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4574aur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||
Jan1N4105D-1/Tr | 11.7838 | ![]() | 6996 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N4105D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8,5 V | 11 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4489CUS/TR | 283.9800 | ![]() | 9216 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jans1n4489cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1,5 V @ 1 a | 250 na @ 80 V | 100 v | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDS5528B-1 | - - - | ![]() | 8438 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CDS5528B-1 | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4131ur-1 | 9.4950 | ![]() | 4613 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N4131 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 Na @ 57 V | 75 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||
JantXV1N5546D-1/Tr | 26.0414 | ![]() | 2963 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5546d-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 29.7 V. | 33 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N4449UB | 26.1478 | ![]() | 9496 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 400 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan2N4449UB | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N5306-1/Tr | 100.0200 | ![]() | 1606 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 500 MW | Do-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N5306-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42 mA | 1,95 v | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C10/Tr | 4.7250 | ![]() | 3912 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Do-213aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-BZV55C10/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 200 | 1,1 V @ 200 Ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N6329CUS | 63.7050 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6329cus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 12 v | 16 v | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||
Jantxv1n749c-1/tr | 10.2410 | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1N749C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5064 | 23.4000 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Axial | 3 w | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5064 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 300 µA @ 5,7 V | 7,5 v | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n2989b | - - - | ![]() | 1635 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/124 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N2989 | 10 w | Do-213aa (do-4) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µA @ 22,8 V. | 30 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||
JantXV1N4134-1 | 9.0450 | ![]() | 5478 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N4134 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 69.2 V. | 91 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantX1N986BUR-1/Tr | 5.5328 | ![]() | 5386 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N986 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n986bur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 84 V | 110 v | 750 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4551B | 53.5800 | ![]() | 5602 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N4551 | 500 MW | Do-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 100 µa @ 1 V | 4,7 v | 0,12 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N1341 | 45.3600 | ![]() | 8941 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | SR20 | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 30 a | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||||||||||
Jan1N6317d | 30.4350 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6317 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPS120EE3/TR13 | 0,4800 | ![]() | 8599 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-216aa | UPS120 | Schottky | PowerMite | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 530 mv @ 1 a | 10 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4623c | - - - | ![]() | 3136 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCA1N4623C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 4 µa @ 2 V. | 4.3 v | 1600 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | ST3010C | 63,3000 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-204aa, to-3 | ST3010 | Standard | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-St3010c | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 1,2 V @ 15 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 200 ° C. | ||||||||||||||||||||
1N4900A | 25.8900 | ![]() | 7309 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | DO-204AA, DO-7, Axial | 1N4900 | 400 MW | Do-7 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12,8 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||
1N4968 | 6.9150 | ![]() | 9341 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | E, axial | 1N4968 | 5 w | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 2 µa @ 20,6 V | 27 v | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5231bur-1 | 4.8200 | ![]() | 258 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | 1N5231 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5925CP/TR8 | 2.2800 | ![]() | 5490 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5925 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8 V. | 10 v | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
Jan1n6864us/tr | - - - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/620 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | Schottky | B, SQ-Melf | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N6864us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 700 mv @ 3 a | 150 µa @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4464US/Tr | 85.9004 | ![]() | 7607 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4464us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5221 | 2.5650 | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5221 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||
1N4689E3 | 4.5900 | ![]() | 6131 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4689e3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 5.1 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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