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Diskette HalblerProdukte (41164)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	Feuchtigitesempfindlich (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
Jankce1N5807	- - -	RFQ	5186	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/477	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	Sterben		Standard			Sterben	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jankce1N5807	Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	50 v	875 mv @ 4 a	30 ns	5 µa @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	3a	60pf @ 10v, 1 MHz
SMBJ4730/TR13	- - -	RFQ	8965	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	SMBJ4730		2 w		Smbj (do-214aa)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000				1,2 V @ 200 Ma		50 µa @ 1 V										3,9 v	9 Ohm
Janhca1n980d	- - -	RFQ	4837	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Sterben			500 MW		Sterben	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1n980d	Ear99	8541.10.0050	100				1,1 V @ 200 Ma		5 µA @ 47,1 V.										62 v	185 Ohm
1N5252BUR-1/Tr	2.7132	RFQ	7044	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)			500 MW		Do-213aa	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-1n5252bur-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,5 V @ 200 Ma		100 Na @ 18 V.										24 v	33 Ohm
JANS1N6335D	350.3400	RFQ	9339	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N6335d	Ear99	8541.10.0050	1				1,4 V @ 1 a		50 na @ 23 v										30 v	32 Ohm
SG2023DW	- - -	RFQ	4850	Mikrochip -technologie	- - -	Rohr	Aktiv		0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe)	SG2023		- - -		16-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-SG2023DW	Ear99	8541.29.0095	46											95 V	500 mA		- - -					7 NPN Darlington	1,6 V @ 500 µA, 350 mA	1000 @ 350 mA, 2V	- - -
Janhca1n975b	8.5785	RFQ	4110	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial			500 MW		DO-7 (DO-204AA)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1n975b	Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		5 µA @ 29.7 V.										39 v	80 Ohm
JantX1N751DUR-1	16.9050	RFQ	4772	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/127	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa	1N751		500 MW		Do-213aa	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		5 µa @ 2 V.										5.1 v	17 Ohm
Jan1n3020d-1/tr	22.7164	RFQ	9071	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/115	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1 w		Do-41	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N3020D-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,2 V @ 200 Ma		25 µa @ 7,6 V										10 v	7 Ohm
Jantxv1n4569a-1/tr	107.1300	RFQ	1056	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/452	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1N4569A-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1						2 µa @ 3 V										6.4 v	200 Ohm
CDS5538BUR-1/Tr	- - -	RFQ	5100	Mikrochip -technologie	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv										- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-CDS5538BUR-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	50
Jan1N6771	- - -	RFQ	3540	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-257-3		Standard			To-257	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	200 v	1,06 V @ 8 a	35 ns	10 µa @ 160 V	- - -	8a	150pf @ 5v, 1 MHz
1N5260	2.1000	RFQ	5545	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1n5260	Ear99	8541.10.0050	1				1,5 V @ 200 Ma		100 na @ 31 v										43 v	93 Ohm
1N3070-1	7.0200	RFQ	135	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial	1n3070	Standard			Do-7	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit	175 v	1 V @ 100 mA	50 ns		-65 ° C ~ 175 ° C.	100 ma	- - -
1n5753b	1.8600	RFQ	3993	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N5753		500 MW		Do-35	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				900 mv @ 10 mA		100 na @ 36 v										51 v	180 Ohm
SMBJ5954CE3/TR13	1.3350	RFQ	2666	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	SMBJ5954		2 w		Smbj (do-214aa)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000				1,2 V @ 200 Ma		1 µA @ 121,6 V.										160 v	700 Ohm
CDS750A-1/Tr	- - -	RFQ	8465	Mikrochip -technologie	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv										- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-CDS750A-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	50
1N5921BP/TR8	1.8900	RFQ	3083	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	1N5921		1,5 w		DO-204AL (DO-41)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1.500				1,2 V @ 200 Ma		5 µA @ 5,2 V.										6,8 v	2,5 Ohm
1N4752AE3	3.3300	RFQ	6628	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial			1 w		Do-41	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-1N4752AE3	Ear99	8541.10.0050	1				1,2 V @ 200 Ma		5 µA @ 25,1 V.										33 v	45 Ohm
1N4712	3.9300	RFQ	1632	Mikrochip -technologie	MIL-PRF-19500	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N4712		500 MW		DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		10 Na @ 21,2 V.										28 v
1N1347	45.3600	RFQ	3551	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Bolzenhalterung	DO-203AA, DO-4, Stud	1N1347	Standard			DO-4 (DO-203AA)	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	500 V	1,3 V @ 30 a		10 µa @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	16a	- - -
CDLL5242a	2.8650	RFQ	5661	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf	CDLL5242		10 MW		Do-213ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		1 µa @ 9,1 V										12 v	30 Ohm
JantX1N976D-1/Tr	8.0199	RFQ	2539	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW		DO-35 (Do-204AH)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-JantX1N976D-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1				1,1 V @ 200 Ma		500 na @ 33 v										43 v	93 Ohm
Jan1N6348CUS	63.7050	RFQ	8372	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			500 MW		B, SQ-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jan1N6348CUS	Ear99	8541.10.0050	1				1,4 V @ 1 a		50 na @ 76 V										100 v	340 Ohm
APTGT50SK170TG	94.9808	RFQ	2019	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Sp4	APTGT50		312 w	Standard	Sp4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzel									TRABENFELD STOPP	1700 v	75 a	2,4 V @ 15V, 50a	250 µA	Ja			4.4 NF @ 25 V
2N5150	19.4400	RFQ	3899	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv		- - -	K. Loch	To-205aa, bis 5-3 Metalldose			7 w		To-5aa	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-2N5150	Ear99	8541.29.0095	1											80 v	2 a		- - -					PNP	- - -	- - -	- - -
JANS1N6348CUS	527.5650	RFQ	1427	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			500 MW		B, SQ-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N6348CUS	Ear99	8541.10.0050	1				1,4 V @ 1 a		50 na @ 76 V										100 v	340 Ohm
SMAJ5935E3/TR13	0,6450	RFQ	2271	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-214AC, SMA	SMAJ5935		3 w		Do-214AC (SMAJ)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	7.500				1,2 V @ 200 Ma		1 µA @ 20,6 V										27 v	23 Ohm
Jantxv2N6301	39.5675	RFQ	6984	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/539	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	To-213aa, to-66-2	2N6301		75 w		To-66	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1											80 v	8 a		500 ähm					PNP - Darlington	3v @ 80 Ma, 8a	750 @ 4a, 3v	- - -
1N5940BUR-1	4.5300	RFQ	5929	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf	1N5940		1,25 w		Do-213ab	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1				1,2 V @ 200 Ma		1 µA @ 32,7 V.										43 v	53 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (41164)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²