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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Spannung - Anode - Kathode (VAK) (max) | Reglerstrom (max) | Spannung - Begrenzung (max) |
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![]() | SBR8050 | 131.4300 | ![]() | 7579 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | SBR8050 | Schottky | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SBR8050-NDR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 740 mv @ 80 a | 2 ma @ 50 v | 80a | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N6941utk3 | - - - | ![]() | 6447 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 50 a | 5 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150a | 7500PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan1N973CUR-1 | 11.3850 | ![]() | 2629 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N973 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||||||||
JantXV1N6312DUS/Tr | - - - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6312 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,4 V @ 1 a | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 27 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5188/tr | 8.2800 | ![]() | 5564 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5188/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,5 V @ 9 a | 250 ns | 2 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | JantX1N4470CUS/Tr | 28.3050 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantx1n4470Cus/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 NA @ 12,8 V. | 16 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5373CE3/TR8 | 3.3900 | ![]() | 3987 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5373 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 49 V | 68 v | 44 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n990dur-1 | - - - | ![]() | 7418 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 122 V. | 160 v | 1700 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5084 | 23.4000 | ![]() | 5914 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Axial | 3 w | Axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5084 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4133 | 1.3699 | ![]() | 3629 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4133 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 NA @ 66.12 V. | 87 v | 1000 Ohm | |||||||||||||||||||||
Jan1N6334us | 13.3800 | ![]() | 4047 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6334 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 21 v | 27 v | 27 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4976CUS/Tr | 18.8700 | ![]() | 2602 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 2 µA @ 42,6 V. | 56 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4926a/tr | 85,5000 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4926a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19,2 v | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC25H30KV | - - - | ![]() | 5389 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3528a | 2.4900 | ![]() | 7495 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N3528 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 27 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N4300 | 10.7065 | ![]() | 8311 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N4300 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv2N5682 | 26.9059 | ![]() | 2944 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/583 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 10 µA | 10 µA | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 250 mA, 2V | - - - | ||||||||||||||||||||||
JantXV1N5537D-1/Tr | 26.0414 | ![]() | 3783 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n5537d-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 15.3 V. | 17 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5521a/tr | 5.9052 | ![]() | 7110 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll5521a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 18 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | JantX1N5305ur-1/Tr | 36.1950 | ![]() | 8520 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/463 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N5305 | 500 MW | Do-213AB (Melf, LL41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N5305ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2 ma | 1,85 v | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5289 | 519.0900 | ![]() | 2065 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 116 w | To-61 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5289 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 10 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6633D | - - - | ![]() | 7960 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | E, axial | 5 w | E, axial | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 250 µa @ 1 V | 3.6 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5945BE3/TR13 | 0,8850 | ![]() | 1602 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5945 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 51,2 V. | 68 v | 120 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5918BE3/TR13 | 0,8850 | ![]() | 4524 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5918 | 2 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4617c | - - - | ![]() | 4859 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JanHCA1N4617C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 2,4 v | 1400 Ohm | ||||||||||||||||||||||
JantX1N4120D-1/Tr | 16.3856 | ![]() | 1859 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/435 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4120D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 NA @ 22,8 V. | 30 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3996 | 151.6998 | ![]() | 2896 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/374 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-111-4, Stud | 2 w | To-111 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2266-Jantxv2N3996 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 µA | 10 µA | Npn | 2v @ 500 mA, 5a | 40 @ 1a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5925PE3/TR12 | 0,9150 | ![]() | 9454 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5925 | 1,5 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8 V. | 10 v | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL966A/Tr | 2.7132 | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | 500 MW | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll966a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||
JantX1N6340us | 18.0900 | ![]() | 2627 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6340 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 36 v | 47 v | 75 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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