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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6050Jnzc8 | - - - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6050 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6050Jnzc8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 50a (TC) | 15 v | 83mohm @ 25a, 15V | 7v @ 5ma | 120 NC @ 15 V | ± 30 v | 4500 PF @ 100 V | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umg5ntr | 0,3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Umg5 | 150 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1111a | - - - | ![]() | 2262 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 8 v | 11 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tfzvtr3.3b | 0,3700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzvtr3.3 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µa @ 1 V | 3.3 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB523YETL | 0,4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB523 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1122c | - - - | ![]() | 4413 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1122 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 17 V | 21.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB238T100NZC9 | 2.7600 | ![]() | 864 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB238 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 40a | 860 mv @ 20 a | 20 µa @ 100 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB162MM-60TFTR | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB162 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 1 a | 100 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTV00TS65GC11 | 6.2400 | ![]() | 6096 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTV00 | Standard | 276 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 95 a | 200 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 1,17MJ (EIN), 940 µJ (AUS) | 104 NC | 41ns/142ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZFTE615.6B | - - - | ![]() | 2823 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Edzft | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-edzfe615.6btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TK65DGVC11 | 6.3500 | ![]() | 3728 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | RGW40 | Standard | 61 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW40TK65DGVC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 92 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 27 a | 80 a | 1,9 V @ 15V, 20a | - - - | 59 NC | 33ns/76ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6T4TR | 0,2120 | ![]() | 2784 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | US6T4 | 1 w | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 30 mA, 1,5a | 270 @ 500 mA, 2V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114YU3T106 | 0,2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BU3HZGT106 | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-113.9b | - - - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µa @ 1 V | 3,9 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSL12TR | 0,6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QSL12 | 500 MW | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN + Diode (Isolier) | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6J12TCR | 0,6100 | ![]() | 8977 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | US6J12 | MOSFET (Metalloxid) | 910 MW (TA) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 2a (ta) | 105mohm @ 2a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 7.6nc @ 4.5V | 850pf @ 6v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB051MS-2YTR | - - - | ![]() | 9176 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF051va2str | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RF051 | Standard | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 500 mA | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | 500 mA | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521G-40FHT2R | - - - | ![]() | 5117 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-723 | RB521 | Schottky | VMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 610 mv @ 100 mA | 100 µa @ 40 V | 125 ° C (max) | 100 ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B20VLT116 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6003Knd3tl1 | 1.6800 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6003 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1a, 10 V. | 5,5 V @ 1ma | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 185 PF @ 25 V. | - - - | 44W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR10NS30AFHTL | 0,5979 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RBR10 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 10a | 550 mV @ 5 a | 100 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C12VLYFHT116 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,42% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8KE7TB1 | 2.1000 | ![]() | 2067 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Sh8ke7 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | - - - | 1 (unbegrenzt) | 2.500 | 2 N-Kanal | 100V | 8a (ta) | 20,9mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 19.8nc @ 10v | 1110pf @ 50V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-722.7b | - - - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mtzjt722.7b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 2,7 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMT18NTR | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umt18 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 260 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6077VNZ4C13 | 14.2100 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6077 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6077VNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 77a (TC) | 10V, 15 V | 51Mohm @ 23a, 15V | 6,5 V @ 1,9 Ma | 108 NC @ 10 V | ± 30 v | 5200 PF @ 100 V | - - - | 781W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT8TM65DGC9 | 2.1000 | ![]() | 897 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RGT8TM65 | Standard | 16 w | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 4a, 50 Ohm, 15 V | 40 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 5 a | 12 a | 2,1 V @ 15V, 4a | - - - | 13.5 NC | 17ns/69ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1774EBTLS | 0,0683 | ![]() | 2250 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | 2SA1774 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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Lagerhaus