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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Emb3fhat2r | 0,3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb3fhat2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzlvte-17150 | 0,3000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzlvte | 200 MW | SOD-323FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 NA @ 120 V | 150 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6018JNXC7G | 5.0700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6018 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 18a (TC) | 15 v | 286mohm @ 9a, 15V | 7v @ 4.2 mA | 42 NC @ 15 V | ± 30 v | 1300 PF @ 100 V | - - - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020Enxc7g | 5.3400 | ![]() | 956 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6020Enxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 20a (ta) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4v @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XEFRATL | 0,2300 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB886Y9HKT2R | - - - | ![]() | 3406 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB886Y9HKT2RTR | Veraltet | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 15 v | 10 Ma (DC) | 350 mv @ 1 mA | 120 µa @ 5 V | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGSX5TS65EHRC11 | 11.7500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGSX5TS65 | Standard | 404 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGSX5TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | 116 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 114 a | 225 a | 2,15 V @ 15V, 75A | 3,44 MJ (EIN), 1,9mj (AUS) | 79 NC | 43ns/113ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTR5.1B | 0,3800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | KDZV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZVTR5.1 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µa @ 1 V | 5.4 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX53-16T100 | 0,7600 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX53 | Mpt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521G-40FHT2R | - - - | ![]() | 5117 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-723 | RB521 | Schottky | VMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 610 mv @ 100 mA | 100 µa @ 40 V | 125 ° C (max) | 100 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400T9TE61 | - - - | ![]() | 4375 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 1SS400 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-1SS400T9TE61TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGPR20NS43HRTL | 1.8900 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RGPR20 | Standard | 107 w | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V, 8a, 100 Ohm, 5 V | - - - | 460 V | 20 a | 2,0 V @ 5v, 10a | - - - | 14 NC | 500 ns/4 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S-30FJTE61 | - - - | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB521 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB521S-30FJTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B13VLYT116 | 0,4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,31% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZTR24B | 0,5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Kdz | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZTR24 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 19 V | 25,3 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA015EEBEBTL | 0,0351 | ![]() | 1768 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA015 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 20 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rzl035p01tr | 0,2801 | ![]() | 4909 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | Rzl035 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 36mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | ± 10 V | 1940 PF @ 6 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B20VLT116 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143XCAT116 | 0,2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6003Knd3tl1 | 1.6800 | ![]() | 117 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6003 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 3a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1a, 10 V. | 5,5 V @ 1ma | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 185 PF @ 25 V. | - - - | 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080AlHRC11 | 21.0800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT3080 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 30a (TC) | 18V | 104mohm @ 10a, 18V | 5,6 V @ 5ma | 48 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 571 PF @ 500 V | - - - | 134W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX205lam30TFTR | 0,4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RSX205 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB541VM-40TE-17 | 0,3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | RB541 | Schottky | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 610 mv @ 100 mA | 100 µa @ 40 V | 125 ° C (max) | 200 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZT2RA6.2B | 0,0841 | ![]() | 8045 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 µa @ 3 V | 6.2 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMP11T110 | 0,1756 | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | Imp11 | Standard | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS60TS65GC13 | 4.9800 | ![]() | 3173 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS60 | Standard | 156 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS60TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 51 a | 90 a | 2v @ 15V, 30a | 500 µJ (EIN), 450 µJ (AUS) | 58 NC | 32ns/91ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1133c | - - - | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 Na @ 25 V. | 31.1 v | 65 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF051va2str | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RF051 | Standard | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 500 mA | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | 500 mA | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RE1J002YNTCL | 0,3600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RE1J002 | MOSFET (Metalloxid) | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 0,9 V, 4,5 V. | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 800 mV @ 1ma | ± 8 v | 26 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tfzvtr18b | 0,3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzvtr18 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 13 v | 18 v | 23 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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