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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB550VM-30TE-17 | 0,3900 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | RB550 | Schottky | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 590 mv @ 500 mA | 35 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 500 mA | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1576U3HZGT106Q | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS116HYFHT116 | 0,3900 | ![]() | 880 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas116 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C. | 215 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R8005anjfrgtl | 3.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R8005 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 2,1OHM @ 2,5a, 10 V. | 5v @ 1ma | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 500 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Gdz8ept2r6.2 | - - - | ![]() | 2269 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-Gdz8ept2R6.2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB715FM-40T106 | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RB715 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 30 ma | 370 mv @ 1 mA | 1 µa @ 10 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RW1A030APT2CR | - - - | ![]() | 3626 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RW1A030 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 42mohm @ 3a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 22 NC @ 4,5 V. | -8v | 2700 PF @ 6 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RB520ASA-40FHT2RB | 0,4600 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-882 | RB520 | Schottky | DFN1006-2W | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 550 mV @ 100 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS230KE2GC11 | 19.7300 | ![]() | 9057 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SCS230 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCS230KE2GC11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 15a (DC) | 1,6 V @ 15 a | 0 ns | 300 µa @ 1200 V | 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn1lam7stftr | 0,6000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Rfn1lam7 | Standard | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 700 V | 1,5 V @ 800 mA | 80 ns | 1 µa @ 700 V | 150 ° C (max) | 800 mA | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-114.7a | - - - | ![]() | 4105 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µa @ 1 V | 4,7 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX071VAM30TR | 0,3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RSX071 | Schottky | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 420 MV @ 700 Ma | 9.6 ns | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | 700 Ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB751S-40FHTE61 | - - - | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB751 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB751S-40FHTE61TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX205L-30TE25 | 0,1154 | ![]() | 9637 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RSX205 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 490 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088lam100TR | 0,6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RB088 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 870 mv @ 5 a | 3 µa @ 100 V. | 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB078RSM15STL1 | 1.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | RB078 | Schottky | To-277a | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 870 mv @ 5 a | 2,1 µa bei 150 V | 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSS070N05FW4TB1 | - - - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RSS070N05FW4TB1TR | Veraltet | 2.500 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB541SM-40T2R | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | RB541 | Schottky | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 610 mv @ 100 mA | 100 µa @ 40 V | 125 ° C. | 200 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B6V2LYFHT116 | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1,94% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzwte-1733b | - - - | ![]() | 3809 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSM002N06T2L | 0,4300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RSM002 | MOSFET (Metalloxid) | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 60 v | 250 mA (TA) | 2,5 V, 10 V. | 2,4OHM @ 250 mA, 10V | 2,3 V @ 1ma | ± 20 V | 15 PF @ 25 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-173.6B | 0,2700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 1 V | 3.6 V | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB557WMFHTL | 0,4300 | ![]() | 140 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RB557 | Schottky | EMD3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 100 ma | 490 mv @ 100 mA | 10 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS205KGHRC | - - - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS205 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 5 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (max) | 5a | 270pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160QS-40T18R | 0,4400 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | RB160 | Schottky | SMD1006 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 18.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 650 mV @ 1,5 a | 20 µa @ 40 V | 150 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085T-60NZC9 | 2.0200 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB085 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB085T-60NZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 580 mv @ 5 a | 300 µa @ 60 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3L30BDDTE25 | 0,6600 | ![]() | 837 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RBR3L30 | Schottky | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 530 mv @ 3 a | 80 µa @ 30 V | 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400LDTE61 | - - - | ![]() | 7529 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-1SS400LDTE61TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54AHMFHT116 | - - - | ![]() | 6813 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 50 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6015enjtl | 4.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5a, 10V | 4v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 910 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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