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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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Rlzte-1139c | - - - | ![]() | 3793 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Rlzte-1139 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 30 v | 36,3 v | 85 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH51T2R | 0,3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH51 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63573S-VC | 21.4000 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | 25-Powerdip-Modul (1,327 ", 33,70 mm) | IGBT | BM63573 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-BM63573S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 Phase Wechselrichter | 10 a | 600 V | 1500 VRMs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn20ns3sfhtl | 1.4400 | ![]() | 494 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RFN20 | Standard | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 350 V | 1,35 V @ 20 a | 35 ns | 10 µa @ 350 V | 150 ° C (max) | 20a | 412pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400SMT2R | 0,2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 1SS400 | Standard | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 100 ma | 3PF @ 0,5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-1712B | 0,3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,71% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UFZVFHTE | 500 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 NA @ 9 V | 12 v | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR5lam40atftr | 0,6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RBR5lam40 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 200 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6076ENZ4C13 | 20.3900 | ![]() | 479 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6076 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6076ENZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 42mohm @ 44.4a, 10V | 4v @ 1ma | 260 NC @ 10 V | ± 20 V | 6500 PF @ 25 V. | - - - | 735W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-773.0b | - - - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mtzjt773.0b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 3 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3120ALGC11 | 9.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT3120 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Q12567120 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 21a (TC) | 18V | 156mohm @ 6.7a, 18V | 5,6 V @ 3,33 Ma | 38 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 460 PF @ 500 V | - - - | 103W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6U37TR | 0,2938 | ![]() | 6394 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | US6U37 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 240 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 2,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 80 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84AHZGT116 | 0,4800 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (Metalloxid) | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 230 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5.3OHM @ 230 mA, 10V | 2,5 V @ 100 µA | ± 20 V | 34 PF @ 30 V | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZVTR8.2B | 0,3900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | KDZV | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZVTR8.2 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µa @ 5 V | 8,75 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020Enxc7g | 5.3400 | ![]() | 956 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6020Enxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 20a (ta) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4v @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XEFRATL | 0,2300 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-176.8B | 0,3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UFZVFHTE | 500 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µa @ 3,5 V | 6,8 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB886Y9HKT2R | - - - | ![]() | 3406 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB886Y9HKT2RTR | Veraltet | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 15 v | 10 Ma (DC) | 350 mv @ 1 mA | 120 µa @ 5 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR586D3TL1 | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SCR586 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 100 mA, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C27VLFHT116 | 0,1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 7,04% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 19 V | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7233B | - - - | ![]() | 9818 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mtzjt7233b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 200 Na @ 25 V. | 33 v | 65 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1G150MNTB | 0,9800 | ![]() | 3335 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1G | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10.6mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 930 PF @ 20 V | - - - | 3W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rbs2lam40btr | 0,1360 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RBS2lam40 | Schottky | PMDT | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RBS2lam40BCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 410 mv @ 2 a | 500 µa @ 20 V | 125 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ18NT106 | 0,1075 | ![]() | 3998 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,19% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Umz18 | 200 MW | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 13 v | 18 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSL11tr | 0,2360 | ![]() | 5178 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QSL11 | 900 MW | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB420S-30TE61 | - - - | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB420S-30TE61TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ3RSM10BTL1 | 0,9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 700 mv @ 3 a | 80 µa @ 100 V | 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM400D12P2G003 | 2.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Modul | BSM400 | Silziumkarbid (sic) | 2450W (TC) | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-BSM400D12P2G003 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 1200 V (1,2 kV) | 400A (TC) | - - - | 4v @ 85 mA | - - - | 38000PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB053L-30TE25 | 0,3115 | ![]() | 1811 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RB053 | Schottky | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 420 mv @ 3 a | 200 µA @ 30 V. | 125 ° C (max) | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVFHTE-1710B | 0,3100 | ![]() | 7934 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,77% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UFZVFHTE | 500 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 7 V | 10 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3050TL | - - - | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SK3050 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 2a (ta) | 10V | 5.5OHM @ 1a, 10V | 4v @ 1ma | 25,6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 280 PF @ 10 V. | - - - | 20W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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