Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB160MM-40TFTR | 0,4600 | ![]() | 742 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RB160 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 510 mv @ 1 a | 30 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF601T2D | 0,4951 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RF601 | Standard | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RF601T2D | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 3a | 930 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMD9NTR | 0,4700 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMD9 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFUH10NS4stl | 0,8430 | ![]() | 7561 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RFUH10 | Standard | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 430 v | 1,7 V @ 10 a | 25 ns | 10 µa @ 430 V | 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVFHT2R5.6B | 0,2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,13% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Edzvfht2 | 150 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 µa @ 2,5 V | 5.61 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB480YFHT2R | - - - | ![]() | 9831 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB480YFHT2RTR | Veraltet | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 30 v | 100 ma | 530 mv @ 100 mA | 1 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVFHTE-17110 | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,45% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UDZLVFHTE-17110 | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 84 v | 110 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB751S-40GTE61 | - - - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB751 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB751S-40GTE61TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tt8k11tcr | 0,5400 | ![]() | 4210 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | TT8K11 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-TSST | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 3a | 71Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1a | 2,5nc @ 5v | 140pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 4V Laufwerk | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DB4X501K0R | - - - | ![]() | 4170 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-DB4X501K0RTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rrd07mm4str | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RRD07 | Standard | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 980 mv @ 700 mA | 1 µa @ 400 V | 150 ° C (max) | 700 Ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068LB100TBR1 | 0,8300 | ![]() | 9409 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RB068 | Schottky | SMBP | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 810 mv @ 2 a | 1,5 µa @ 100 V. | 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-1720B | 0,3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,18% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 85 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8K26TR | 0,9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8K26 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W (TA) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 7a (ta) | 38mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 2,9nc @ 5v | 275PF @ 20V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1733TLP | - - - | ![]() | 7916 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1733 | 10 w | CPT3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 120 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168VWM100TFTR | 0,5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB168 | Schottky | PMDE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 840 mv @ 1 a | 300 na @ 100 v | 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta124xmt2l | 0,3900 | ![]() | 6292 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta124 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 50 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068VWM150TFTR | 0,5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB068 | Schottky | PMDE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 960 mv @ 2 a | 1 µA @ 150 V | 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-727.5c | - - - | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mtzjt727.5c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085T-60Hzc9 | 1.0900 | ![]() | 7886 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB085 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 580 mv @ 5 a | 9.3 ns | 300 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn10bge3stl | 1.1400 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RFN10 | Standard | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 350 V | 1,5 V @ 10 a | 30 ns | 10 µa @ 350 V | 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4026DRHRC15 | 22.9800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4026DRHRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 750 V | 56a (TC) | 18V | 34mohm @ 29a, 18V | 4,8 V @ 15,4 mA | 94 NC @ 18 V | +21V, -4v | 2320 PF @ 500 V | - - - | 176W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS210AGC17 | 5.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCS210AGC17 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175 ° C. | 10a | 365PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTFTE2516B | 0,6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,09% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µa @ 12 V | 17.25 v | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30FSTE61 | - - - | ![]() | 7772 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB520 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB520S-30FSTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB751S-40SPTE61 | - - - | ![]() | 5962 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB751 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB751S-40SPTE61TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR20BM40ATL | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBR20 | Schottky | To-252 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 10a | 550 mV @ 10 a | 360 µa @ 40 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRH040P03TB1 | 0,9800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRH040 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4 V, 10V | 75mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 650 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta114yubtl | 0,2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dta114 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1G201ATTB1 | 2.8600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1G | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 20A (TA), 78A (TC) | 5.2mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 6890 PF @ 20 V | - - - | 3W (TA), 40W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus