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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Max | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | RCD060N25TL | 0,6045 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD060 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 6a (TC) | 10V | 530mohm @ 3a, 10V | 5v @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 840 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta144emfhat2l | 0,2300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta144 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1240TV2Q | - - - | ![]() | 8935 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114ecahzgt116 | 0,1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC114 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2033AT114E | - - - | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | HRT | 2SD2033 | 1,8 w | HRT | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 2v @ 100 mA, 1a | 100 @ 100 Ma, 5V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS390T9TE61 | - - - | ![]() | 7689 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1SS390 | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-1SS390T9TE61TR | Veraltet | 3.000 | 100 ma | 1,2pf @ 6v, 1 MHz | - - - | 35 V | 900MOHM @ 2MA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906T93 | - - - | ![]() | 3700 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N3906 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6LFHT116 | - - - | ![]() | 1314 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 7,14% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB080L-30TE25 | 0,6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RB080 | Schottky | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 510 mv @ 5 a | 150 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR522uBTL | 0,2100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SCR522 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 2v | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCD041N25TL | 0,2664 | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD041 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 4a (TC) | 10V | 1,3OHM @ 2a, 10V | 5,5 V @ 1ma | 8,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 29W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tfzgtr8.2b | 0,0886 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzgtr8.2 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 NA @ 5 V. | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR573D3TL1 | 0,8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SCR573 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 180 @ 100 Ma, 3V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-776.2c | - - - | ![]() | 9462 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 500 MW | MSD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 3 V | 6.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3837KT146p | 0,4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC3837 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 4ma, 20 mA | 82 @ 10 mA, 10 V | 1,5 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA12004BF-E2 | - - - | ![]() | 3056 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) | BA12004 | 620 MW | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 60 v | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
RSS105N03TB | - - - | ![]() | 8424 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS105 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 10.5a (ta) | 4 V, 10V | 11.7mohm @ 10.5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 15 NC @ 5 V | 20V | 1130 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
RSS080N05FU6TB | - - - | ![]() | 2605 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 8a (ta) | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR553RTL | 0,5800 | ![]() | 178 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SAR553 | 1 w | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8M12TCR | 0,3776 | ![]() | 1980 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QS8M12 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 4a | 42mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3.4nc @ 5v | 250pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB543EETL | 0,4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 115 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5H025TNTL | 0,6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5H025 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 45 V | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 130 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 3,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 250 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ400N06TL | 2.6700 | ![]() | 133 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ400 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 40a (ta) | 10V | 16mohm @ 40a, 10V | 3V @ 1ma | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 10 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdztr3.6b | 0,1836 | ![]() | 1595 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Kdz | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZTR3.6 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 60 µa @ 1 V | 3,8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M4FU6TB | - - - | ![]() | 7977 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M4 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 9a, 7a | 18Mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21nc @ 5v | 1190pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD131P10TL | 0,6497 | ![]() | 8158 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD131 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 13a (TC) | 4 V, 10V | 200mohm @ 6.5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSE002N06TL | 0,4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RSE002 | MOSFET (Metalloxid) | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 250 mA (TA) | 2,5 V, 10 V. | 2,4OHM @ 250 mA, 10V | 2,3 V @ 1ma | ± 20 V | 15 PF @ 25 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1733TLQ | 1.0100 | ![]() | 7637 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1733 | 1 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 120 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8JB5TCR | 1.2600 | ![]() | 662 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8JB5 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W (TA) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 40V | 5a (ta) | 41mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 17.2nc @ 10v | 920pf @ 20V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5A030APTL | 0,4400 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5A030 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 62mohm @ 3a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 16 NC @ 4,5 V | -8v | 2000 PF @ 6 V | - - - | 1W (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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