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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | RAQ045P01MGTCR | 0,1693 | ![]() | 7544 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Raq045 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS110AMC | - - - | ![]() | 8147 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS110 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (max) | 10a | 430pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ035N03HZGTR | 0,6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 62mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 290 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFVS8TG6SGC9 | 0,5871 | ![]() | 5321 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | RFVS8 | Standard | To-220ACFP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RFVS8TG6SGC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3 V @ 8 a | 40 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ10BGE65ATL | 1.4500 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBQ10 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 65 V | 10a | 690 mv @ 5 a | 70 µa @ 65 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E200GNTB | 0,8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1080 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 25,1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS670T116 | 0,5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Optimos® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SST3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 650 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 680MOHM @ 650 mA, 10V | 2 V @ 10 µA | ± 20 V | 47 PF @ 30 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5L035GNTCL | 0,7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5L035 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 3,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 2,7 V @ 50 µA | 7.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 375 PF @ 30 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B11VLT116 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB218T-30NZC9 | 1.5400 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB218 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 20a | 720 mv @ 10 a | 5 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65EHRC11 | 7.1200 | ![]() | 5127 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW60TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 146 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 64 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 84 NC | 37ns/101ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD050N06TL | 0,2999 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD050 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 109mohm @ 5a, 10V | 3V @ 1ma | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 290 PF @ 10 V. | - - - | 15W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6047KNZ4C13 | 14.2000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6047 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6047Knz4c13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 25.8a, 10V | 5v @ 1ma | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 4300 PF @ 25 V. | - - - | 481W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR293PT100 | 0,1856 | ![]() | 7739 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR293 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS63AHZGT116 | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS63 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 30 @ 25ma, 1V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB500SM-30FHT2R | 0,2000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | RB500 | Schottky | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 450 mv @ 10 mA | 500 na @ 10 v | 150 ° C (max) | 100 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA24B | 0,4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2,21% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 100 na @ 19 V | 24.25 V. | 120 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ2W18000L | - - - | ![]() | 7208 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-DZ2W18000LTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6K13TCR | - - - | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MP6K13 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 31mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5nc @ 5v | 350pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0LT116 | 0,2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,67% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020JNZ4C13 | 8.4500 | ![]() | 355 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 15 v | 234mohm @ 10a, 15V | 7v @ 3,5 mA | 45 NC @ 15 V | ± 30 v | 1500 PF @ 100 V | - - - | 252W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTQ045N03HZGTR | 0,7400 | ![]() | 4765 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 43mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 10.7 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 540 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
R6535Knzc17 | 7.8500 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6535 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6535Knzc17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 35a (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10V | 5 V @ 1,21 Ma | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 102W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6024Enxc7g | 5.5800 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6024 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6024Exc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 24a (ta) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 1ma | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1650 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX101MM-30TR | 0,4400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RSX101 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 390 mv @ 1 a | 200 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SARA41CHZGT116R | 0,5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2Sara41 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH61T2R | 0,4700 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH61 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 50 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6025ANZFL1C8 | - - - | ![]() | 8796 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6025 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6025ANZFL1C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 150 MOHM @ 12.5A, 10V | 4,5 V @ 1ma | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 3250 PF @ 10 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ015P10HZGTR | 0,8100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ015 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 1,5a (ta) | 4 V, 10V | 470MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 17 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 25 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068lam100tftr | 0,6000 | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RB068 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 810 mv @ 2 a | 1,5 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | 2a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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