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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | YFZVFHTR27B | 0,3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,52% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | YFZVFHTR27 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 21 V | 25.62 v | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB215T-60 | - - - | ![]() | 2644 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB215 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | RB215T60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 580 mv @ 10 a | 600 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0LT116 | 0,2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,67% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144VCAT116 | 0,3500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC144 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114YU3T106 | 0,2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gdzt2R8.2 | - - - | ![]() | 9566 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Gdz | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Gdzt2r | 100 MW | GMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 500 NA @ 5 V. | 8.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edzhte616.8b | - - - | ![]() | 7621 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | EDZHT | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-edzhte616.8btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R3.6B | 0,2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 10 µa @ 1 V | 3.6 V | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTFTE252.7B | 0,4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,41% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 200 µa @ 1 V | 2,9 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM64378S-VA | 30.6800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | 25-Powerdip-Modul (1.134 ", 28,80 mm) | IGBT | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-BM64378S-VA | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 Phase Wechselrichter | 35 a | 600 V | 1500 VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7711c | - - - | ![]() | 4647 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 500 MW | MSD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 200 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114YE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTA114ye3HZgtltr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RR255M-400TR | 0,2940 | ![]() | 5287 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-123 | RR255 | Standard | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 980 mv @ 700 mA | 1 µa @ 400 V | 150 ° C (max) | 700 Ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768stpq | - - - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 80 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 120 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-174.7b | 0,4000 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µa @ 1 V | 4,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63963S-VC | 22.8600 | ![]() | 6019 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | 25-Powerdip-Modul (1,327 ", 33,70 mm) | IGBT | BM63963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 Phase Wechselrichter | 10 a | 600 V | 1500 VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB743ZMT2L | 0,1035 | ![]() | 3635 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTB743 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMF21T2R | 0,1506 | ![]() | 6462 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMF21 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V, 12 V | 100 mA, 500 mA | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 10 mA, 200 mA | 30 @ 5ma, 5v / 270 @ 10 mA, 2 V | 250 MHz, 260 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P07BBHTL1 | 3.0100 | ![]() | 8402 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P07 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 80A (TA), 70A (TC) | 6 V, 10V | 7.7MOHM @ 70A, 10V | 4v @ 1ma | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 2410 PF @ 50 V | - - - | 89W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2713 | - - - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SK27 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 450 V | 5a (ta) | 10V | 1,4OHM @ 2,5a, 10 V. | 4v @ 1ma | ± 30 v | 600 PF @ 10 V. | - - - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB751S-40FHTE61 | - - - | ![]() | 7867 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB751 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB751S-40FHTE61TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR533PT100 | 0,6000 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR533 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 180 @ 50 Ma, 3V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE2533A | 0,2014 | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | PTZTE2533 | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µa @ 25 V. | 33 v | 18 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65DGC11 | 5.9200 | ![]() | 8274 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 92 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 60 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 480 µJ (EIN), 490 µJ (AUS) | 84 NC | 37ns/114ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1188T100R | 0,6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1188 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 32 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 200 Ma, 2a | 180 @ 500 Ma, 3V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123EETL | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta123 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdztr3.9a | 0,1836 | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Kdz | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Kdztr3.9 | 1 w | PMDU | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 40 µa @ 1 V | 3,9 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sh8m11tb1 | 0,3152 | ![]() | 8795 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Sh8m11 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 3.5a | 98mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 1,9nc @ 5v | 85PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR573D3FRATL | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR573 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | 400mv @ 50 mA, 1a | 180 @ 100 Ma, 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWX5TS65HRC11 | 8.5600 | ![]() | 4632 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWX5TS65 | Standard | 348 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWX5TS65HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 37,5a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 132 a | 300 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 213 NC | 62ns/237ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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