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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuell | Stromspannung | Spannung - Isolation | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RSS100N03FU6TB | - - - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4 V, 10V | 13mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 14 NC @ 5 V | 20V | 1070 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63767S-VC | 28.2300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | 25-Powerdip-Modul (1,327 ", 33,70 mm) | IGBT | BM63767 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3 Phase Wechselrichter | 30 a | 600 V | 1500 VRMs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520ZS-40T2R | - - - | ![]() | 5992 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | RB520 | Schottky | GMD2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB520ZS-40T2RTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 480 mv @ 10 mA | 2 µa @ 40 V | 150 ° C. | 100 ma | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB717ft106 | 0,3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RB717 | Schottky | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 30 ma | 370 mv @ 1 mA | 1 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF4C100BCTCR | 0,8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4C100 | MOSFET (Metalloxid) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 15,6 MOHM @ 10A, 4,5 V. | 1,2 V @ 1ma | 23,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1660 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4026DW7TL | 19.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7l | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 750 V | 51a (TJ) | 18V | 34mohm @ 29a, 18V | 4,8 V @ 15,4 mA | 94 NC @ 18 V | +21V, -4v | 2320 PF @ 500 V | - - - | 150W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8KB6TB1 | 0,9100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8KB6 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 8.5a (TA) | 19,4mohm @ 8,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10.6nc @ 10v | 530pf @ 20V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umf17ntr | - - - | ![]() | 6657 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umf17 | 150 MW | Umt6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-umf17ntr | 3.000 | 50V | 100 mA, 150 mA | 500NA, 100NA (ICBO) | 1 NPN - VoreInensmen, 1 PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 500 mV @ 5 mA, 50 mA | 20 @ 20 mA, 5v / 180 @ 1ma, 6v | 250 MHz, 140 MHz | 2.2ko | 2.2ko | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzste-172.4b | 0,3500 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 120 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020ENZ1C9 | - - - | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4v @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160SS-40T2R | - - - | ![]() | 4182 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | RB160 | Schottky | Kmd2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 MV @ 700 Ma | 50 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8J66FRATB | 1.2240 | ![]() | 1793 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8J66 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 9a (ta) | 18,5 MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 1ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA043ZUBTL | 0,3000 | ![]() | 7724 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA043 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E150BNTB | 0,6600 | ![]() | 5410 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E150 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.3mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2072TLQ | 0,3825 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SA2072 | 1 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 100 mA, 2V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tfzgtr15b | 0,4800 | ![]() | 959 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzgtr15 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE258.2B | 0,2014 | ![]() | 7812 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | PTZTE258.2 | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 20 µa @ 5 V | 8,7 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V3LFHT116 | - - - | ![]() | 5512 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6,06% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3l07battl1 | 2.3700 | ![]() | 5558 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3L07 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 70a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12,7mohm @ 70a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 6700 PF @ 30 V | - - - | 101W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rp1e070xntcr | - - - | ![]() | 8467 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RP1E070 | MOSFET (Metalloxid) | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4 V, 10V | 28mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5,8 NC @ 5 V. | ± 20 V | 390 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVFHT2R3.0B | 0,3400 | ![]() | 8768 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 3,5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Edzvfht2 | 150 MW | EMD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 µa @ 1 V | 3 v | 120 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR15BM30AFHTL | 1.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBR15 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 510 MV @ 7,5 a | 200 µA @ 30 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF05vam1str | 0,3900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RF05VAM1 | Standard | Tumd2s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 980 mv @ 500 mA | 25 ns | 10 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | 500 mA | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB495DT146 | 0,5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RB495 | Schottky | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 25 v | 200 ma | 500 MV @ 200 Ma | 70 µa @ 25 V. | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR293PFRAT100 | 0,5000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR293 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tfzgtr22b | 0,4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzgtr22 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 17 V | 22 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QST2TR | 0,7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QST2 | 1,25 w | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 6 a | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 60 mA, 3a | 270 @ 500 mA, 2V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2080KEHRC11 | 39.8900 | ![]() | 9310 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT2080 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SCT2080KEHRC11Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 40a (TC) | 18V | 117mohm @ 10a, 18V | 4v @ 4.4 mA | 106 NC @ 18 V | +22V, -6 v | 2080 PF @ 800 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Qs8m11tcr | 0,9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QS8M11 | - - - | - - - | Tsmt8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 3.5a | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1515STPR | - - - | ![]() | 3279 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 32 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 Ma, 3V | 150 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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