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Diskette HalblerProdukte (6960)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
RGS80TSX2DHRC11	12.7400	RFQ	856	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	RGS80	Standard		555 w	To-247n	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-RGS80TSX2DHRC11	Ear99	8541.29.0095	30				600 V, 40a, 10ohm, 15 V.															198 ns					TRABENFELD STOPP	1200 V	80 a	120 a	2,1 V @ 15V, 40a	3MJ (EIN), 3,1MJ (AUS)	104 NC	49ns/199ns
R6035Knzc17	7.8500	RFQ	300	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3 Full Pack	R6035		MOSFET (Metalloxid)		To-3Pf	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-R6035Knzc17	Ear99	8541.29.0095	30			N-Kanal		600 V	35a (TC)	10V	102mohm @ 18.1a, 10V	5v @ 1ma	72 NC @ 10 V	± 20 V	3000 PF @ 25 V.	- - -	102W (TC)
DTC143TCAHZGT116	0,2100	RFQ	4328	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DTC143			350 MW	SST3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																									50 v	100 ma						500NA (ICBO)			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 250 ua, 5 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	4.7 Kohms
Bat54Chyfht116	0,5000	RFQ	10	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Bat54		Schottky		SOT-23	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													1 Paar Gemeinsamer Kathode	30 v	200 Ma (DC)	800 mV @ 100 mA	50 ns	2 µa @ 25 V.	150 ° C.
RSQ045N03HZGTR	0,7800	RFQ	39	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	RSQ045		MOSFET (Metalloxid)		TSMT6 (SC-95)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000			N-Kanal		30 v	4,5a (TA)	4 V, 10V	38mohm @ 4,5a, 10V	2,5 V @ 1ma	9,5 NC @ 5 V.	± 20 V	520 PF @ 10 V	- - -	950 MW (TA)
Kdzlvtr68	0,4500	RFQ	3	Rohm Semiconductor	Kdzlv	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5,88%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-123F	Kdzlvtr68			1 w	PMDU	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																				5 µa @ 52 V													68 v	230 Ohm
BZX84C10VLYFHT116	0,3800	RFQ	1	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 6%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3				250 MW	SOT-23	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																				200 na @ 7 V													10 v	20 Ohm
DTA143TU3HZGT106	0,3800	RFQ	2	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	Dta143			200 MW	Umt3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																									50 v	100 ma						500NA (ICBO)			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 250 ua, 5 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	4.7 Kohms
RB851YT2R	- - -	RFQ	9637	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-75-4, SOT-543	RB851y		Schottky		EMD4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	8.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													2 Unabhängig	3 v	30 mA (DC)	460 mv @ 1 mA		700 na @ 1 v	125 ° C (max)
Udzwte-1724b	- - -	RFQ	5940	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F					Umd2	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Veraltet	0000.00.0000	3.000
EDZ9HKTE6116B	- - -	RFQ	8152	Rohm Semiconductor	EDZ	Band & Rollen (TR)	Veraltet	- - -	-55 ° C ~ 125 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523	Edz9hkt			100 MW	EMD2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		846-EDZ9HKTE6116BTR	Ear99	8541.10.0050	3.000
Pdzvtr6.8b	0,4500	RFQ	5	Rohm Semiconductor	Pdzv	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 6,21%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-128	Pdzvtr6.8			1 w	PMDTM	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																				20 µa @ 3,5 V													7.25 V.	6 Ohm
2SCR372PFRAT100R	0,3494	RFQ	5832	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	2SCR372			500 MW	Mpt3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	1.000																									120 v	700 Ma						1 µA (ICBO)			Npn	300 mv @ 50 mA, 500 mA	120 @ 100 mA, 5V	220 MHz
DTB114EKFRAT146	0,1329	RFQ	3579	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DTB114			200 MW	SMT3	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																									50 v	500 mA						500NA			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 2,5 mA, 50 mA	56 @ 50 Ma, 5V	250 MHz	10 Kohms	10 Kohms
Mtzjt-7727c	- - -	RFQ	7118	Rohm Semiconductor	MTZ J.	Band & Box (TB)	Veraltet	± 3%	- - -	K. Loch	Do-204AG, Do-34, axial	Mtzjt-7727			500 MW	MSD	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	5.000																				200 na @ 21 V													27 v	45 Ohm
RSS100N03FU6TB	- - -	RFQ	8244	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	RSS100		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500			N-Kanal		30 v	10a (ta)	4 V, 10V	13mohm @ 10a, 10V	2,5 V @ 1ma	14 NC @ 5 V	20V	1070 PF @ 10 V.	- - -	2W (TA)
RB520ZS-40T2R	- - -	RFQ	5992	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	0201 (0603 Metrik)	RB520		Schottky		GMD2	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-RB520ZS-40T2RTR	Ear99	8541.10.0070	8.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit														40 v		480 mv @ 10 mA		2 µa @ 40 V	150 ° C.	100 ma	- - -
RB717ft106	0,3800	RFQ	9	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	RB717		Schottky		Umd3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													1 Paar -Gemeinsamer -Anode	40 v	30 ma	370 mv @ 1 mA		1 µa @ 10 V	125 ° C (max)
RF4C100BCTCR	0,8500	RFQ	3	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerudfn	RF4C100		MOSFET (Metalloxid)		Huml2020l8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal		20 v	10a (ta)	1,8 V, 4,5 V.	15,6 MOHM @ 10A, 4,5 V.	1,2 V @ 1ma	23,5 NC @ 4,5 V.	± 8 v	1660 PF @ 10 V.	- - -	2W (TA)
SCT4026DW7TL	19.2700	RFQ	1	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca			Sicfet (Silziumkarbid)		To-263-7l	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000			N-Kanal		750 V	51a (TJ)	18V	34mohm @ 29a, 18V	4,8 V @ 15,4 mA	94 NC @ 18 V	+21V, -4v	2320 PF @ 500 V	- - -	150W
SH8KB6TB1	0,9100	RFQ	4	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	SH8KB6		MOSFET (Metalloxid)	2W (TA)	8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 n-kanal (dual)				40V	8.5a (TA)		19,4mohm @ 8,5a, 10V	2,5 V @ 1ma	10.6nc @ 10v		530pf @ 20V	- - -
Umf17ntr	- - -	RFQ	6657	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Umf17			150 MW	Umt6	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	846-umf17ntr			3.000																									50V	100 mA, 150 mA						500NA, 100NA (ICBO)			1 NPN - VoreInensmen, 1 PNP	300 mV @ 500 µA, 10 mA / 500 mV @ 5 mA, 50 mA	20 @ 20 mA, 5v / 180 @ 1ma, 6v	250 MHz, 140 MHz	2.2ko	2.2ko
Udzste-172.4b	0,3500	RFQ	375	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F	Udzste			200 MW	Umd2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																				120 µa @ 1 V													2,4 v	100 Ohm
R6020ENZ1C9	- - -	RFQ	2772	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Veraltet		150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3			MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	450			N-Kanal		600 V	20A (TC)	10V	196mohm @ 9.5a, 10V	4v @ 1ma	60 nc @ 10 v	± 20 V	1400 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
RB160SS-40T2R	- - -	RFQ	4182	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	2-smd, Keine Frotung	RB160		Schottky		Kmd2	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	8.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)														40 v		550 MV @ 700 Ma		50 µa @ 40 V	150 ° C (max)	1a	- - -
SP8J66FRATB	1.2240	RFQ	1793	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	SP8J66		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 p-kanal (dual)					9a (ta)		18,5 MOHM @ 9A, 10V	2,5 V @ 1ma				- - -
DTA043ZUBTL	0,3000	RFQ	7724	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-85	DTA043			200 MW	Umt3f	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																									50 v	100 ma						- - -			PNP - VoreInensmen	150 mV @ 500 µA, 5 mA	80 @ 5ma, 10V	250 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
RQ3E150BNTB	0,6600	RFQ	5410	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	RQ3E150		MOSFET (Metalloxid)		8-HSMT (3,2x3)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		30 v	15a (ta)	4,5 V, 10 V.	5.3mohm @ 15a, 10V	2,5 V @ 1ma	45 nc @ 10 v	± 20 V	3000 PF @ 15 V	- - -	2W (TA)
Tfzgtr15b	0,4800	RFQ	959	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	- - -	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	2-smd, Flaches Blei	Tfzgtr15			500 MW	Tumd2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																				200 na @ 11 v													15 v	16 Ohm
PTZTE258.2B	0,2014	RFQ	7812	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	± 6%	- - -	Oberflächenhalterung	Do-214AC, SMA	PTZTE258.2			1 w	PMDs	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1.500																				20 µa @ 5 V													8,7 v	4 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (6960)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²