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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SB1443TV2Q | - - - |  | 8547 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 500 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTC115TMT2L | 0,3700 | | 8378 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC115 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RTQ045N03HZGTR | 0,7400 | | 4765 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 43mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 10.7 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 540 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| DTD513ZMT2L | 0,0955 | | 4729 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTD513 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DA227YT2R | - - - | | 2623 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75-4, SOT-543 | DA227 | Standard | EMD4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1427T100E | 0,6400 | | 257 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1427 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 2 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 390 @ 500 mA, 6V | 90 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | ES6U3T2CR | - - - | | 4984 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 30 v | 1,4a (ta) | 4 V, 10V | 240 MOHM @ 1,4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 1,4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 70 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | EMD30T2R | 0,1084 | | 8273 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD30 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V, 30 V | 200 ma | 500NA | 1 PNP Voreingensmen, 1 NPN | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v / 140 @ 100 mA, 2 V | 260 MHz | 10kohms, 1kohms | 10kohm | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RDR005N25TL | 0,7000 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RDR005 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 250 V | 500 mA (TA) | 4 V, 10V | 8,8ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | 3,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 70 PF @ 25 V. | - - - | 540 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | R6004Enxc7g | 2.5300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6004Exc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 980 MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | RUF020N02TL | 0,4100 | | 44 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | RUF020 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 2 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 180 PF @ 10 V. | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| RTQ035N03TR | 0,6500 | | 659 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ035 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 54mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 6,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 285 PF @ 10 V. | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | RB162L-60TE25 | 0,4200 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RB162 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 1 a | 100 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR372PT100Q | 0,3426 | | 9583 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR372 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 5V | 220 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RF05va1str | 0,0983 | | 3724 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | RF05va1 | Standard | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 980 mv @ 500 mA | 25 ns | 10 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | 500 mA | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
| BCX53-16T100 | 0,7600 | | 995 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX53 | Mpt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta144eubtl | 0,0355 | | 9067 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta144e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dta144 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | R6511enjtl | 4.0600 | | 90 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6511 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 400 MOHM @ 3,8a, 10V | 4 V @ 320 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 124W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Gdz8ept2r14 | - - - | | 3714 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-Gdz8ept2R14TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB095T-90 | 0,7613 | | 4435 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB095 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 90 v | 3a | 750 mv @ 3 a | 150 µa @ 90 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RB520ASA-30FHT2RB | 0,3700 | | 6180 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-882 | Schottky | DFN1006-2W | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 580 MV @ 200 Ma | 1 µa @ 10 V | 150 ° C. | 200 ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB451ft106 | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RB451 | Schottky | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 550 mV @ 100 mA | 30 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 ma | 6PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DA228UMFHTL | 0,3900 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | DA228 | Standard | Umd3f | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 10 Na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DTA114YMFHAT2L | 0,2600 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta114 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS84AHZGT116 | 0,4800 | | 190 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (Metalloxid) | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 230 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5.3OHM @ 230 mA, 10V | 2,5 V @ 100 µA | ± 20 V | 34 PF @ 30 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1189T100Q | 0,5300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1189 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 700 Ma | 500NA (ICBO) | PNP | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rs1l145gntb | 2.1000 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1L | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 14,5a (TA), 47A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,7mohm @ 14,5a, 10V | 2,7 V @ 200 ähm | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1880 PF @ 30 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | RSD050N06TL | 0,2999 | | 6469 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD050 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 109mohm @ 5a, 10V | 3V @ 1ma | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 290 PF @ 10 V. | - - - | 15W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Pdzvtr16a | 0,4500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5,56% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtr16 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 12 V | 16,2 v | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84B30VLYFHT116 | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 21 V | 30 v | 80 Ohm |
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