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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA015TBTL | 0,0351 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA015 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 250 MV @ 250 UA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3p01battl1 | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P01 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 10a (ta) | 6 V, 10V | 240MOHM @ 5a, 10V | 4v @ 1ma | 19,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 660 PF @ 50 V | - - - | 25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160L-90TE25 | 0,1205 | ![]() | 4993 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RB160 | Schottky | PMDs | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 730 mv @ 1 a | 100 µa @ 90 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4018KEC11 | 38.7800 | ![]() | 457 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4018KEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 81a (TJ) | 18V | 23.4mohm @ 42a, 18V | 4,8 V @ 22,2 mA | 170 NC @ 18 V. | +21V, -4v | 4532 PF @ 800 V | - - - | 312W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | YFZVFHTR7.5B | 0,4300 | ![]() | 986 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,62% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | YFZVFHTR7.5 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 4 v | 7.26 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB420S-30TE61 | - - - | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB420S-30TE61TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7710c | - - - | ![]() | 1566 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | 500 MW | MSD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR020P05Hzgtl | 0,6500 | ![]() | 4719 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RSR020 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 45 V | 2a (ta) | 4 V, 10V | 190mohm @ 2a, 10V | 3V @ 1ma | 4,5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 500 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tdztr10 | 0,3900 | ![]() | 593 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tdztr10 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 6 V | 10 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E220ATTB1 | 2.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 22A (TA), 76A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 2MA | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 5850 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3030AW7TL | 39.5900 | ![]() | 437 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | SCT3030 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 70a (TC) | 39mohm @ 27a, 18V | 5,6 V @ 13,3 mA | 104 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 1526 PF @ 500 V | - - - | 267W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA113ZU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta113 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E080GNTB | 0,5300 | ![]() | 3876 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E080 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 16.7mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.8 NC @ 10 V | ± 20 V | 295 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ydzvfhtr11 | 0,3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Ydzvfhtr11 | 500 MW | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 7 V. | 11 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB123YUT106 | 0,4300 | ![]() | 369 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTB123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD523YE3TL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTD523 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-DTD523ye3tltr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdzvtftr22b | 0,4400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,68% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Pdzvtftr22 | 1 w | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 17 V | 23.25 V. | 14 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdzvtftr3.6b | 0,4700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, KDZVTF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,56% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Kdzvtftr3.6 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 60 µa @ 1 V | 3,8 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M3FU6TB | - - - | ![]() | 9317 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M3 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 5a, 4,5a | 51mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5,5nc @ 5v | 230pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dan202umtl | 0,2800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dan202 | Standard | Umd3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS240KE2HRC11 | 24.0400 | ![]() | 5410 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SCS240 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 20a (DC) | 1,6 V @ 20 a | 0 ns | 400 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB557WMFHTL | 0,4300 | ![]() | 140 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RB557 | Schottky | EMD3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 100 ma | 490 mv @ 100 mA | 10 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RR255LA-400TR | - - - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-RR255LA-400TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B20VLT116 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rq6e040xntcr | 0,5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6E040 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4 V, 10V | 50mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,3 NC @ 5 V. | ± 20 V | 180 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS116HYFHT116 | 0,3900 | ![]() | 880 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas116 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C. | 215 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6K14TCR | - - - | ![]() | 8299 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MP6K14 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 25mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.3nc @ 5v | 470pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB451ft106 | 0,4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RB451 | Schottky | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 550 mV @ 100 mA | 30 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | 100 ma | 6PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1189T100Q | 0,5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1189 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 700 Ma | 500NA (ICBO) | PNP | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520ASA-30FHT2RB | 0,3700 | ![]() | 6180 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-882 | Schottky | DFN1006-2W | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 580 MV @ 200 Ma | 1 µa @ 10 V | 150 ° C. | 200 ma | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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