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Diskrete Halbleiterprodukte(6960)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang | Widerstand - Basis (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R6010ANX | 2.3862 |  | 7247 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Schüttgut | Nicht für neue Designs | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | R6010 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220FM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 10A (Ta) | 10V | - | - | ±30V | - | 50 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PTZTE2530B | 0,2014 | | 3016 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | ±6 % | - | Oberflächenmontage | DO-214AC, SMA | PTZTE2530 | 1 W | PMDS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA bei 23 V | 31,6 V | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1730TL | 0,1890 | | 6502 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-SMD, flache Anschlüsse | 2SB1730 | 400 mW | TUMT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 2 A | 100nA (ICBO) | PNP | 180 mV bei 50 mA, 1A | 270 bei 200 mA, 2 V | 360 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | UMT2907AT106 | 0,3800 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | UMT2907 | 200 mW | UMT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 100nA | PNP | 1,6 V bei 50 mA, 500 mA | 100 bei 150 mA, 10 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RUL035N02FRATR | 0,5200 | | 300 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-SMD, flache Anschlüsse | RUL035 | MOSFET (Metalloxid) | TUMT6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 3,5A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 43 mOhm bei 3,5 A, 4,5 V | 1 V bei 1 mA | 5,7 nC bei 4,5 V | ±10V | 460 pF bei 10 V | - | 1W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||
| DTA144TUAT106 | 0,3000 | | 2515 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | DTA144 | 200 mW | UMT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | 500nA (ICBO) | PNP – Voreingestellt | 300 mV bei 500 µA, 5 mA | 100 bei 1 mA, 5 V | 250 MHz | 47 kOhm | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZT2RA6.2B | 0,0841 | | 8045 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | ±2 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | 2-SMD, Flachanschluss | CDZT2 | 100 mW | VMN2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 µA bei 3 V | 6,2 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RRL035P03TR | 0,4500 | | 936 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-SMD, flache Anschlüsse | RRL035 | MOSFET (Metalloxid) | TUMT6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 3,5A (Ta) | 4V, 10V | 50 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 8 nC bei 5 V | ±20V | 800 pF bei 10 V | - | 320 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||
 | RUE002N05TL | - | | 5627 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-75, SOT-416 | RUE002 | MOSFET (Metalloxid) | EMT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 V | 200mA (Ta) | 1,2 V, 4,5 V | 2,2 Ohm bei 200 mA, 4,5 V | 1 V bei 1 mA | ±8V | 25 pF bei 10 V | - | 150 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RW1E025RPT2CR | - | | 5974 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-SMD, flache Anschlüsse | RW1E025 | MOSFET (Metalloxid) | 6-WEMT | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 30 V | 2,5A (Ta) | 4V, 10V | 75 mOhm bei 2,5 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 5,2 nC bei 5 V | ±20V | 480 pF bei 10 V | - | 700 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||
 | SCT3160KW7TL | 11.2700 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 175°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA | SCT3160 | SiCFET (Siliziumkarbid) | TO-263-7 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 1200 V | 17A (Tc) | 208 mOhm bei 5 A, 18 V | 5,6 V bei 2,5 mA | 42 nC bei 18 V | +22V, -4V | 398 pF bei 800 V | - | 100W | ||||||||||||||||||||||||||
 | VT6X11T2R | 0,1117 | | 4234 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Letzter Kauf | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-SMD, flache Anschlüsse | VT6X11 | 150 mW | VMT6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 20V | 200mA | 100nA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV bei 10 mA, 100 mA | 120 bei 1 mA, 2 V | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2696T2L | 0,4300 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-723 | 2SD2696 | 150 mW | VMT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 30 V | 400mA | 100nA (ICBO) | NPN | 300 mV bei 2 mA, 100 mA | 270 bei 100 mA, 2 V | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA854STPQ | - | | 4444 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Klebeband & Box (TB) | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | SC-72 bildete Leads | 300 mW | SPT | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 32 V | 500mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 600 mV bei 50 mA, 500 mA | 120 bei 100 mA, 3 V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB168M150DDTR | 0,2155 | | 9856 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | Oberflächenmontage | SOD-123F | RB168 | Schottky | PMDU | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 150 V | 840 mV bei 1 A | 20 µA bei 150 V | 150 °C (max.) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MTZJT-7712C | - | | 1100 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J | Klebeband & Box (TB) | Veraltet | ±3 % | - | Durchgangsloch | DO-204AG, DO-34, Axial | 500 mW | MSD | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 200 nA bei 9 V | 12 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DAP222WMTL | 0,3100 | | 5 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-89, SOT-490 | DAP222 | Standard | EMD3F | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Anode | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 100 nA bei 70 V | 150 °C (max.) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DAP202UMTL | 0,3400 | | 168 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-85 | DAP202 | Standard | UMD3F | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar gemeinsame Anode | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 100 nA bei 70 V | 150 °C (max.) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | EDZVFHT2R16B | 0,3400 | | 25 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±2,06 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-79, SOD-523 | EDZVFHT2 | 150 mW | EMD2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 100 nA bei 12 V | 16 V | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RQ6C050BCTCR | 0,8900 | | 4833 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | RQ6C050 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 5A (Tc) | 4,5V | 36 mOhm bei 5 A, 4,5 V | 1,2 V bei 1 mA | 10,4 nC bei 4,5 V | ±8V | 740 pF bei 10 V | - | 1,25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
 | QS8M12TCR | 0,3776 | | 1980 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | QS8M12 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W | TSMT8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 30V | 4A | 42 mOhm bei 4 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 3,4 nC bei 5 V | 250pF bei 10V | Logikpegel-Gate | |||||||||||||||||||||||||||
 | RB161SS-30T2R | - | | 5794 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | 0603 (1608 metrisch) | RB161 | Schottky | KMD2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-RB161SS-30T2RTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 30 V | 520 mV bei 1 A | 500 µA bei 30 V | 125°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | R6003KND3TL1 | 1.6800 | | 117 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | R6003 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 3A (Tc) | 10V | 1,5 Ohm bei 1 A, 10 V | 5,5 V bei 1 mA | 8 nC bei 10 V | ±20V | 185 pF bei 25 V | - | 44W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
 | RB481Y-40FHT2R | - | | 5924 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | SC-75-4, SOT-543 | RB481 | Schottky | EMD4 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 40 V | 200mA | 450 mV bei 100 mA | 90 µA bei 40 V | 150 °C (max.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MTZJT-729.1C | - | | 3679 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J | Klebeband & Box (TB) | Veraltet | ±3 % | - | Durchgangsloch | DO-204AG, DO-34, Axial | MTZJT-72 | 500 mW | MSD | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | MTZJT729.1C | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 nA bei 6 V | 9,1 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS220KE2HRC | - | | 6362 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | Durchgangsloch | TO-247-3 | SCS220 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 10A (DC) | 1,55 V bei 10 A | 200 µA bei 600 V | 175 °C (max.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | UM6J1NTN | 0,4800 | | 19 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UM6J1 | MOSFET (Metalloxid) | 150 mW | UMT6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 30V | 200mA | 1,4 Ohm bei 200 mA, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | - | 30pF bei 10V | Logikpegel-Gate | |||||||||||||||||||||||||||
 | R6530ENZC17 | 6.5000 | | 300 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-3P-3 Komplettpaket | R6530 | MOSFET (Metalloxid) | TO-3PF | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-R6530ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 30A (Tc) | 10V | 140 mOhm bei 14,5 A, 10 V | 4 V bei 960 µA | 90 nC bei 10 V | ±20V | 2100 pF bei 25 V | - | 86W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
 | R5207ANDTL | 1.0419 | | 5617 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | R5207 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 525 V | 7A (Ta) | 10V | 1 Ohm bei 3,5 A, 10 V | 4,5 V bei 1 mA | 13 nC bei 10 V | ±30V | 500 pF bei 25 V | - | 40 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
| EDZFTE616.2B | - | | 8224 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Tape & Reel (TR) | Veraltet | - | -55 °C ~ 125 °C | Oberflächenmontage | EDZFT | 100 mW | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 846-EDZFTE616.2BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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