- Anfrage
- Stückliste
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Laotisch
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschanisch
- Weißrussisch
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsisch
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Philippinisch
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javanisch
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisisch
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxemburg..
- mazedonisch
- Madagassisch
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- Paschtu
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Singhalesisch
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schottisches Gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanesisch
- Suaheli
- Tadschikisch
- Tamilisch
- Telugu
- Thailändisch
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatarisch
- Oriya
- Turkmenisch
- Uigur
Diskrete Halbleiterprodukte(6960)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET-Typ | Testbedingung | Aktuell | Stromspannung | Spannung – Isolation | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektor gepulst (Icm) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Tor-Gebühr | Td (ein/aus) bei 25 °C | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTZTFTE2524B | 0,6100 |  | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±6,98 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | DO-214AC, SMA | 1 W | PMDS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA bei 19 V | 25,8 V | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VDZT2R22B | - | | 1972 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | ±2 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | SOD-723 | VDZT2 | 100 mW | VMD2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 100 nA bei 17 V | 22 V | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR10NS60ATL | 0,6690 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | RBR10 | Schottky | LPDS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-RBR10NS60ATLCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 60 V | 5A | 650 mV bei 5 A | 200 µA bei 60 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV199HMFHT116 | 0,2600 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV199 | Standard | SSD3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherstellung >500 ns, > 200 mA (Io) | 1 Paar Reihenschaltung | 80 V | 215mA (DC) | 1,25 V bei 150 mA | 3 µs | 5 nA bei 75 V | 150 °C (max.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QS8M11TCR | 0,9000 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | - | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | QS8M11 | - | - | TSMT8 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N- und P-Kanal | 30V | 3,5A | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS220AGC17 | 7.5200 | | 4999 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220ACFP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-SCS220AGC17 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,55 V bei 20 A | 0 ns | 400 µA bei 600 V | 175°C | 20A | 730pF bei 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RBQ10NS100ATL | 1.9000 | | 970 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | RBQ10 | Schottky | LPDS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 100 V | 10A | 770 mV bei 5 A | 80 µA bei 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ10BM65AFHTL | 0,8500 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | RBQ10 | Schottky | TO-252 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 65 V | 10A | 690 mV bei 5 A | 150 µA bei 65 V | 150 °C (max.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZVTR5.1A | 0,4500 | | 100 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | ±5,88 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-128 | PDZVTR5.1 | 1 W | PMDTM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA bei 1 V | 5,1 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54CHYT116 | 0,4200 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar gemeinsame Kathode | 30 V | 200mA (DC) | 800 mV bei 100 mA | 50 ns | 2 µA bei 25 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RRQ045P03TR | 0,8900 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6 | RRQ045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 4,5A (Ta) | 4V, 10V | 35 mOhm bei 4,5 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 14 nC bei 5 V | ±20V | 1350 pF bei 10 V | - | 600 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UDZVFHTE-1716B | 0,3500 | | 20 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±2,06 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-90, SOD-323F | UDZVFHTE | 200 mW | UMD2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 nA bei 12 V | 16 V | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6076KNZ4C13 | 20.3900 | | 9926 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | R6076 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-R6076KNZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 76A (Tc) | 10V | 42 mOhm bei 44,4 A, 10 V | 5 V bei 1 mA | 165 nC bei 10 V | ±20V | 7400 pF bei 25 V | - | 735 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RS1E280GNTB | 1.0000 | | 557 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 V | 28A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 2,6 mOhm bei 28 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 36 nC bei 10 V | ±20V | 2300 pF bei 15 V | - | 3W (Ta), 31W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SH8M11TB1 | 0,3152 | | 8795 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | SH8M11 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-SOP | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N- und P-Kanal | 30V | 3,5A | 98 mOhm bei 3,5 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 1,9 nC bei 5 V | 85pF bei 10V | Logikpegel-Gate | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZVT2R6.8B | 0,2700 | | 6 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | CDZV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | 150°C | Oberflächenmontage | 2-SMD, Flachanschluss | CDZVT2 | 100 mW | VMN2M | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 500 nA bei 3,5 V | 6,8 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS212AGC | - | | 2801 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Veraltet | Durchgangsloch | TO-220-2 | SCS212 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,55 V bei 12 A | 0 ns | 240 µA bei 600 V | 175 °C (max.) | 12A | 438pF bei 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FML9T148 | 0,2350 | | 7983 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-74A, SOT-753 | FML9T148 | 200 mW | SMT5 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1,5 A | 100nA (ICBO) | NPN + Diode (isoliert) | 200 mV bei 25 mA, 500 mA | 270 bei 200 mA, 2 V | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGW60TS65EHRC11 | 7.1200 | | 5127 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | RGW60 | Standard | 178 W | TO-247N | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-RGW60TS65EHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V | 146 ns | Grabenfeldstopp | 650 V | 64 A | 120 A | 1,9 V bei 15 V, 30 A | 84 nC | 37ns/101ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFN1LAM7STFTR | 0,6000 | | 6 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-128 | RFN1LAM7 | Standard | PMDTM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 700 V | 1,5 V bei 800 mA | 80 ns | 1 µA bei 700 V | 150 °C (max.) | 800mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C36VLYFHT116 | 0,3800 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±5,56 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 nA bei 25 V | 36 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBE05SM20AGJT2R | - | | 8317 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | SC-79, SOD-523 | Schottky | EMD2 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-RBE05SM20AGJT2RTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 20 V | 530 mV bei 500 mA | 150 µA bei 20 V | 125°C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RP1E075RPTR | - | | 5780 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-SMD, flache Anschlüsse | RP1E075 | MOSFET (Metalloxid) | MPT6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 30 V | 7,5 A (Ta) | 4V, 10V | 21 mOhm bei 7,5 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 21 nC bei 5 V | ±20V | 1900 pF bei 10 V | - | 2W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6004ENX | 1.6400 | | 109 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Schüttgut | Aktiv | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220FM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 4A (Tc) | 10V | 980 mOhm bei 1,5 A, 10 V | 4V bei 1mA | 15 nC bei 10 V | ±20V | 250 pF bei 25 V | - | 40 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KDZTR2.7B | 0,1836 | | 5623 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | KDZ | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | ±7 % | - | Oberflächenmontage | SOD-123F | KDZTR2.7 | 1 W | PMDU | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA bei 1 V | 2,7 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RBR15BM60AFHTL | 1.3100 | | 259 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | RBR15 | Schottky | TO-252 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 60 V | 15A | 580 mV bei 7,5 A | 400 µA bei 60 V | 150 °C (max.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR513P5T100 | 0,4800 | | 4 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-243AA | 2SAR513 | 500 mW | MPT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 mV bei 25 mA, 500 mA | 180 bei 50 mA, 2 V | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZTR30B | - | | 9560 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | ±10 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | 2-SMD, Flachanschluss | TDZTR30 | 500 mW | TUMD2 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA bei 21 V | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6530KNXC7G | 6.6700 | | 894 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | R6530 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220FM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-R6530KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 30A (Ta) | 10V | 140 mOhm bei 14,5 A, 10 V | 5 V bei 960 µA | 56 nC bei 10 V | ±20V | 2350 pF bei 25 V | - | 86W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BM63564S-VA | 25.1200 | | 39 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | 25-PowerDIP-Modul (1.134", 28,80 mm) | IGBT | BM63564 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 3-Phasen-Wechselrichter | 15 A | 600 V | 1500 Vrms |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lager vorrätig
Wunschliste (0 Artikel)