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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | Edzfjte6133b | - - - | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Edzfjt | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-edzfjte6133btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS21HMFHT116 | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-724.3a | - - - | ![]() | 5283 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mtzjt724.3a | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB085B-40TL | - - - | ![]() | 6496 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RB085B-40 | Schottky | CPD | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 5a | 550 mV @ 5 a | 200 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7224B | - - - | ![]() | 3588 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mtzjt7224b | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 200 na @ 19 V | 24 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-30GTE61 | - - - | ![]() | 9112 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB520 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB520S-30GTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn3b6stl | - - - | ![]() | 6233 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6006Jnjgtl | 2.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6006 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 6a (TC) | 15 v | 936mohm @ 3a, 15V | 7v @ 800 ähm | 15,5 NC @ 15 V | ± 30 v | 410 PF @ 100 V | - - - | 86W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta123yuat106 | 0,0536 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400CST2RA | 0,4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOD-923 | 1SS400 | Standard | Vmn2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 100 ma | 3PF @ 0,5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160lam-40TR | 0,4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RB160 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 100 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTFTE2513B | 0,6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6.01% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µa @ 10 V | 14.15 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1112a | - - - | ![]() | 6893 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 NA @ 9 V | 12 v | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta114tcat116 | 0,0488 | ![]() | 9887 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta114 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS21VMTE-17 | 0,3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Bas21 | Standard | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-1724B | 0,2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 19 V | 24 v | 120 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMT4403U3T106 | 0,5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | UMT4403 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTFTE2527B | 0,6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,26% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µa @ 21 V | 28,5 v | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB123TCT116 | 0,0658 | ![]() | 6757 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMX1T108 | 0,1469 | ![]() | 7697 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMX1 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-309HNTE61 | - - - | ![]() | 3198 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB520 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB520S-309HNTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E025TNTL | 0,5200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5E025 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 92mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 4,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 220 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Tfzgtr3.6b | 0,0886 | ![]() | 9658 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | Tfzgtr3.6 | 500 MW | Tumd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 1 V | 3.6 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta144tetl | 0,0678 | ![]() | 7637 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta144t | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta144 | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta143xcahzgt116 | 0,3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ550N10TL | 4.3200 | ![]() | 958 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ550 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 55a (ta) | 4 V, 10V | 16,8 MOHM @ 27,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 143 NC @ 10 V | ± 20 V | 6150 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RSF010P05TL | 0,4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | RSF010 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 45 V | 1a (ta) | 4 V, 10V | 460Mohm @ 1a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 2,3 NC @ 5 V. | ± 20 V | 160 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C18VLYFHT116 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,39% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 13 v | 18 v | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-117.5b | - - - | ![]() | 3647 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 500 na @ 4 v | 7.3 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S-30LTE61 | - - - | ![]() | 3584 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | RB521 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RB521S-30LTE61TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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