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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) |
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Mtzjt-7239c | - - - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | MTZ J. | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 3% | - - - | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Mtzjt7239c | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 200 na @ 30 v | 39 v | 85 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzwte-172.0b | - - - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR10NS60ATL | 0,6690 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RBR10 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RBR10NS60ATLCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 650 mv @ 5 a | 200 µa @ 60 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB058lam100TR | 0,5100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | RB058 | Schottky | PMDTM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB058lam100TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 810 mv @ 3 a | 3 µa @ 100 V. | 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdztr2.7b | 0,1836 | ![]() | 5623 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Kdz | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 7% | - - - | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZTR2.7 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µa @ 1 V | 2,7 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3060ArHRC15 | 15.2000 | ![]() | 6091 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3060 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-4l | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT3060ArHRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 650 V | 39a (TC) | 18V | 78mohm @ 13a, 18 V. | 5,6 V @ 6.67 Ma | 58 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 852 PF @ 500 V | - - - | 165W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR502U3T106 | 0,4200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SCR502 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 200na (ICBO) | Npn | 300mV @ 10ma, 200 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 360 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdzlvtftr120 | 0,4500 | ![]() | 723 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Kdzlvtftr120 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µa @ 91 V | 120 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-1747 | 0,3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,32% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 36 v | 47 v | 600 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ045N03TR | 0,8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4 V, 10V | 38mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | 520 PF @ 10 V | - - - | 600 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZLDTE6111B | - - - | ![]() | 1756 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | EDZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -55 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | Edzldt | 100 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-edzldte6111btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030ex | 5.8900 | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6030 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 4v @ 1ma | 85 NC @ 10 V | ± 30 v | 2100 PF @ 25 V | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
SCS315AHGC9 | 8.2400 | ![]() | 412 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SCS315 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 0 ns | 75 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 15a | 750pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6014ynd3tl1 | 2.9100 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6014 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 14a (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12V | 6v @ 1,4 mA | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 890 PF @ 100 V | - - - | 132W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
SP8K31HZGTB | 1.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K31 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-sp8k31hzgtbtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3,5a (TA) | 120 MOHM @ 3,5A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 5.2nc @ 5v | 250pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TU3T106 | 0,3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS205KGC | - - - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS205 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 5 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (max) | 5a | 270pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3G07CGNC16 | 2.4700 | ![]() | 602 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | RX3G07 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RX3G07CGNC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 4,7mohm @ 70a, 10V | 2,5 V @ 500 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2410 PF @ 20 V | - - - | 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD150N06TL | 0,5924 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD150 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 15a (ta) | 4 V, 10V | 40mohm @ 15a, 10V | 3V @ 1ma | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 930 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C27VLT116 | 0,2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 7,04% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 19 V | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1579U3T106S | 0,4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA1579 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SA1579U3T106str | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ5.1NFHT106 | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5,19% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Umz5.1 | 200 MW | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 2 µa @ 1,5 V | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR523MT2L | 0,3500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SAR523 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB048RSM15stftl1 | 1.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 880 mv @ 8 a | 3,7 µa @ 150 V | 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ20BM100AFHTL | 2.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBQ20 | Schottky | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 690 mv @ 10 a | 200 µA @ 100 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB400VYM-50FHTR | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB400 | Schottky | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 MV @ 500 mA | 7.35 ns | 50 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 500 mA | 130pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdztr11b | 0,5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Kdz | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZTR11 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 8 V | 11.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DA2JF8100L | - - - | ![]() | 7617 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-DA2JF8100LTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-1718B | 0,3000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 13 v | 18 v | 65 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB075BM40SFNSTL | 0,6000 | ![]() | 6505 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | To-252 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 2.500 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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