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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Kdzvtr2.4b | 0,4300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,25% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | KDZVTR2.4 | 1 w | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µa @ 1 V | 2,4 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6035Knz1c9 | - - - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6035 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 35a (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10V | 5v @ 1ma | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 379W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6004Jnjgtl | 2.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 15 v | 1,43ohm @ 2a, 15 V | 7v @ 450 ähm | 10.5 NC @ 15 V | ± 30 v | 260 PF @ 100 V | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020Jnjgtl | 4.8900 | ![]() | 940 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 15 v | 234mohm @ 10a, 15V | 7v @ 3,5 mA | 45 NC @ 15 V | ± 30 v | 1500 PF @ 100 V | - - - | 252W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRQ045P03TR | 0,8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RRQ045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4 V, 10V | 35mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 14 NC @ 5 V | ± 20 V | 1350 PF @ 10 V | - - - | 600 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES6U3T2CR | - - - | ![]() | 4984 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 30 v | 1,4a (ta) | 4 V, 10V | 240 MOHM @ 1,4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 1,4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 70 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3p01battl1 | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P01 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 10a (ta) | 6 V, 10V | 240MOHM @ 5a, 10V | 4v @ 1ma | 19,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 660 PF @ 50 V | - - - | 25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6012Jnjgtl | 3.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6012 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 15 v | 390Mohm @ 6a, 15V | 7v @ 2,5 mA | 28 NC @ 15 V | ± 30 v | 900 PF @ 100 V | - - - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RE1E002SPTCL | 0,3600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RE1E002 | MOSFET (Metalloxid) | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 250 mA (TA) | 4 V, 10V | 1,4OHM @ 250 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 30 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6MA2TCR | 0,6500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | UT6MA2 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 4a (ta) | 46MOHM @ 4A, 10V, 70MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4,3nc @ 10v, 6,7nc @ 10v | 180pf @ 15V, 305pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dan202KFHT146 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dan202 | Standard | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DAN202KFHT146TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 100 ma | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS240KE2HRC11 | 24.0400 | ![]() | 5410 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SCS240 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 20a (DC) | 1,6 V @ 20 a | 0 ns | 400 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4062KRHRC15 | 15.5500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4062KRHRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 1200 V | 26a (TC) | 18V | 81mohm @ 12a, 18 V. | 4,8 V @ 6,45 mA | 64 NC @ 18 V | +21V, -4v | 1498 PF @ 800 V | - - - | 115W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168VAM-30TR | 0,3600 | ![]() | 630 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB168 | Schottky | Tumd2m | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 730 mv @ 1 a | 300 na @ 30 v | 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5L035GNTCL | 0,7800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5L035 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 3,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 2,7 V @ 50 µA | 7.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 375 PF @ 30 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B11VLT116 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SSD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS670T116 | 0,5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Optimos® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SST3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 650 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 680MOHM @ 650 mA, 10V | 2 V @ 10 µA | ± 20 V | 47 PF @ 30 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E200GNTB | 0,8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1080 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 25,1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ10BGE65ATL | 1.4500 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RBQ10 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 65 V | 10a | 690 mv @ 5 a | 70 µa @ 65 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD050N06TL | 0,2999 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD050 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 109mohm @ 5a, 10V | 3V @ 1ma | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 290 PF @ 10 V. | - - - | 15W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB218T-30NZC9 | 1.5400 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RB218 | Schottky | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 20a | 720 mv @ 10 a | 5 µa @ 30 V | 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdztr3.9a | 0,1836 | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Kdz | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Kdztr3.9 | 1 w | PMDU | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 40 µa @ 1 V | 3,9 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EEEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-dta114ee3HZgtltr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2018E3HZgtl | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SA2018 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 260 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6010anx | 2.3862 | ![]() | 7247 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6010 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 10a (ta) | 10V | - - - | - - - | ± 30 v | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65EHRC11 | 7.1200 | ![]() | 5127 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW60TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 146 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 64 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 84 NC | 37ns/101ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS21HYT116 | 0,4000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 150 ° C. | 200 ma | 2.5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR293PT100 | 0,1856 | ![]() | 7739 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR293 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA24B | 0,4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 2,21% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 100 na @ 19 V | 24.25 V. | 120 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS110AMC | - - - | ![]() | 8147 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS110 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 600 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (max) | 10a | 430pf @ 1V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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