SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
KDZVTR2.4B Rohm Semiconductor Kdzvtr2.4b 0,4300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,25% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F KDZVTR2.4 1 w PMDU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 200 µa @ 1 V 2,4 v
R6035KNZ1C9 Rohm Semiconductor R6035Knz1c9 - - -
RFQ
ECAD 6824 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 R6035 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 35a (TC) 10V 102mohm @ 18.1a, 10V 5v @ 1ma 72 NC @ 10 V ± 20 V 3000 PF @ 25 V. - - - 379W (TC)
R6004JNJGTL Rohm Semiconductor R6004Jnjgtl 2.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab R6004 MOSFET (Metalloxid) Lpts Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 4a (TC) 15 v 1,43ohm @ 2a, 15 V 7v @ 450 ähm 10.5 NC @ 15 V ± 30 v 260 PF @ 100 V - - - 60 W (TC)
R6020JNJGTL Rohm Semiconductor R6020Jnjgtl 4.8900
RFQ
ECAD 940 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab R6020 MOSFET (Metalloxid) Lpts Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 20A (TC) 15 v 234mohm @ 10a, 15V 7v @ 3,5 mA 45 NC @ 15 V ± 30 v 1500 PF @ 100 V - - - 252W (TC)
RRQ045P03TR Rohm Semiconductor RRQ045P03TR 0,8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 RRQ045 MOSFET (Metalloxid) TSMT6 (SC-95) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 4,5a (TA) 4 V, 10V 35mohm @ 4,5a, 10V 2,5 V @ 1ma 14 NC @ 5 V ± 20 V 1350 PF @ 10 V - - - 600 MW (TA)
ES6U3T2CR Rohm Semiconductor ES6U3T2CR - - -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Flache Leitungen MOSFET (Metalloxid) 6-wemt Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 8.000 N-Kanal 30 v 1,4a (ta) 4 V, 10V 240 MOHM @ 1,4a, 10V 2,5 V @ 1ma 1,4 NC @ 5 V. ± 20 V 70 PF @ 10 V. Schottky Diode (Isolier) 800 MW (TA)
RD3P01BATTL1 Rohm Semiconductor Rd3p01battl1 1.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 RD3P01 MOSFET (Metalloxid) To-252 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 100 v 10a (ta) 6 V, 10V 240MOHM @ 5a, 10V 4v @ 1ma 19,4 NC @ 10 V. ± 20 V 660 PF @ 50 V - - - 25W (TA)
R6012JNJGTL Rohm Semiconductor R6012Jnjgtl 3.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab R6012 MOSFET (Metalloxid) Lpts Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 12a (TC) 15 v 390Mohm @ 6a, 15V 7v @ 2,5 mA 28 NC @ 15 V ± 30 v 900 PF @ 100 V - - - 160W (TC)
RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor RE1E002SPTCL 0,3600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 RE1E002 MOSFET (Metalloxid) EMT3F (SOT-416FL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 250 mA (TA) 4 V, 10V 1,4OHM @ 250 mA, 10V 2,5 V @ 1ma ± 20 V 30 PF @ 10 V - - - 150 MW (TA)
UT6MA2TCR Rohm Semiconductor UT6MA2TCR 0,6500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn UT6MA2 MOSFET (Metalloxid) 2W (TA) Huml2020l8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N und p-kanal 30V 4a (ta) 46MOHM @ 4A, 10V, 70MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 1ma 4,3nc @ 10v, 6,7nc @ 10v 180pf @ 15V, 305pf @ 15V - - -
DAN202KFHT146 Rohm Semiconductor Dan202KFHT146 0,4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Dan202 Standard Smd3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-DAN202KFHT146TR Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 80 v 100 ma 1,2 V @ 100 mA 4 ns 100 na @ 70 V 150 ° C (max)
SCS240KE2HRC11 Rohm Semiconductor SCS240KE2HRC11 24.0400
RFQ
ECAD 5410 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 SCS240 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 20a (DC) 1,6 V @ 20 a 0 ns 400 µa @ 1200 V 175 ° C (max)
SCT4062KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT4062KRHRC15 15.5500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4l Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-SCT4062KRHRC15 Ear99 8541.29.0095 450 N-Kanal 1200 V 26a (TC) 18V 81mohm @ 12a, 18 V. 4,8 V @ 6,45 mA 64 NC @ 18 V +21V, -4v 1498 PF @ 800 V - - - 115W
RB168VAM-30TR Rohm Semiconductor RB168VAM-30TR 0,3600
RFQ
ECAD 630 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei RB168 Schottky Tumd2m Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 730 mv @ 1 a 300 na @ 30 v 150 ° C. 1a - - -
RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor RQ5L035GNTCL 0,7800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-96 RQ5L035 MOSFET (Metalloxid) Tsmt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 3,5a (TA) 4,5 V, 10 V. 50 MOHM @ 3,5A, 10V 2,7 V @ 50 µA 7.3 NC @ 10 V ± 20 V 375 PF @ 30 V - - - 700 MW (TA)
BZX84B11VLT116 Rohm Semiconductor BZX84B11VLT116 0,2600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs ± 2% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 250 MW SSD3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 8 v 11 v 20 Ohm
BSS670T116 Rohm Semiconductor BSS670T116 0,5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor Optimos® Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SST3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 650 Ma (TA) 2,5 V, 10 V. 680MOHM @ 650 mA, 10V 2 V @ 10 µA ± 20 V 47 PF @ 30 V - - - 200 MW (TA)
RS1E200GNTB Rohm Semiconductor RS1E200GNTB 0,8600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn RS1E MOSFET (Metalloxid) 8-hsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 20a (ta) 4,5 V, 10 V. 4.6mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 1ma 16,8 NC @ 10 V. ± 20 V 1080 PF @ 15 V - - - 3W (TA), 25,1W (TC)
RBQ10BGE65ATL Rohm Semiconductor RBQ10BGE65ATL 1.4500
RFQ
ECAD 171 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 RBQ10 Schottky To-252ge Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 65 V 10a 690 mv @ 5 a 70 µa @ 65 V 150 ° C.
RSD050N06TL Rohm Semiconductor RSD050N06TL 0,2999
RFQ
ECAD 6469 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 RSD050 MOSFET (Metalloxid) CPT3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 5a (ta) 4 V, 10V 109mohm @ 5a, 10V 3V @ 1ma 8 NC @ 10 V ± 20 V 290 PF @ 10 V. - - - 15W (TC)
RB218T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB218T-30NZC9 1.5400
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack RB218 Schottky To-220fn Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 20a 720 mv @ 10 a 5 µa @ 30 V 150 ° C.
KDZTR3.9A Rohm Semiconductor Kdztr3.9a 0,1836
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Rohm Semiconductor Kdz Band & Rollen (TR) Nicht für Designs ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOD-123F Kdztr3.9 1 w PMDU - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 40 µa @ 1 V 3,9 v
DTA114EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA114EEEE3HZGTL 0,4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 Dta114 150 MW Emt3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-dta114ee3HZgtltr Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
2SA2018E3HZGTL Rohm Semiconductor 2SA2018E3HZgtl 0,4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 2SA2018 150 MW Emt3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 12 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10ma, 200 mA 270 @ 10ma, 2v 260 MHz
R6010ANX Rohm Semiconductor R6010anx 2.3862
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Schüttgut Nicht für Designs 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack R6010 MOSFET (Metalloxid) To-220fm Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 600 V 10a (ta) 10V - - - - - - ± 30 v - - - 50W (TC)
RGW60TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65EHRC11 7.1200
RFQ
ECAD 5127 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 RGW60 Standard 178 w To-247n Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 846-RGW60TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. 146 ns TRABENFELD STOPP 650 V 64 a 120 a 1,9 V @ 15V, 30a 84 NC 37ns/101ns
BAS21HYT116 Rohm Semiconductor BAS21HYT116 0,4000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas21 Standard SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. 150 ° C. 200 ma 2.5PF @ 0V, 1 MHz
2SCR293PT100 Rohm Semiconductor 2SCR293PT100 0,1856
RFQ
ECAD 7739 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2SCR293 2 w Mpt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 30 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 350 MV @ 25ma, 500 mA 270 @ 100 mA, 2V 320 MHz
CDZFHT2RA24B Rohm Semiconductor CDZFHT2RA24B 0,4800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm Semiconductor Automotive, AEC-Q101, CDZFH Band & Rollen (TR) Nicht für Designs ± 2,21% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-923 CDZFHT2 100 MW Vmn2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 8.000 100 na @ 19 V 24.25 V. 120 Ohm
SCS110AMC Rohm Semiconductor SCS110AMC - - -
RFQ
ECAD 8147 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 SCS110 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220fm Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 600 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 200 µA @ 600 V 150 ° C (max) 10a 430pf @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus