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Diskrete Halbleiterprodukte(6960)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET-Typ | Testbedingung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | IGBT-Typ | Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | Strom - Kollektor (Ic) (Max) | Strom – Kollektor gepulst (Icm) | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | Energie wechseln | Tor-Gebühr | Td (ein/aus) bei 25 °C | Strom – Kollektorabschaltung (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Transistortyp | Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | Häufigkeit – Übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTZTE258.2B | 0,2014 |  | 7812 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | ±6 % | - | Oberflächenmontage | DO-214AC, SMA | PTZTE258.2 | 1 W | PMDS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 20 µA bei 5 V | 8,7 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR513P5T100 | 0,5200 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-243AA | 2SCR513 | 500 mW | MPT3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 V | 1 A | 1µA (ICBO) | NPN | 350 mV bei 25 mA, 500 mA | 180 bei 50 mA, 2 V | 360 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RDX100N60FU6 | - | | 2763 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Schüttgut | Veraltet | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | RDX100 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220FM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 10A (Ta) | 10V | 650 mOhm bei 5 A, 10 V | 4V bei 1mA | 45 nC bei 10 V | ±30V | 1600 pF bei 25 V | - | 45W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR554PHZGT100 | 0,6900 | | 175 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-243AA | 500 mW | SOT-89 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 V | 1,5 A | 1µA (ICBO) | NPN | 300 mV bei 25 mA, 500 mA | 120 bei 100 mA, 3 V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB480SFTE61 | - | | 5700 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | 846-RB480SFTE61TR | VERALTET | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KDZVTR47A | 0,4700 | | 130 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±6,38 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-123F | KDZVTR47 | 1 W | PMDU | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA bei 36 V | 47 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSJ400N10FRATL | 2.9000 | | 25 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | RSJ400 | MOSFET (Metalloxid) | LPTS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 V | 40A (Tc) | 4V, 10V | 27 mOhm bei 40 A, 10 V | 2,5 V bei 1 mA | 90 nC bei 10 V | ±20V | 3600 pF bei 25 V | - | 1,35 W (Ta), 50 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DAN217UMFHTL | 0,3800 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | Oberflächenmontage | SC-85 | DAN217 | Standard | UMD3F | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar Reihenschaltung | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 200 nA bei 70 V | 150 °C (max.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6547KNZ4C13 | 15.3400 | | 7294 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | R6547 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-R6547KNZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 47A (Tc) | 10V | 80 mOhm bei 25,8 A, 10 V | 5 V bei 1,72 mA | 100 nC bei 10 V | ±20V | 4100 pF bei 25 V | - | 480 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | EDZVT2R6.2B | 0,2800 | | 23 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | EDZV | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±2 % | -55 °C ~ 150 °C | Oberflächenmontage | SC-79, SOD-523 | EDZVT2 | 150 mW | EMD2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 1 µA bei 3 V | 6,2 V | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR564F3TR | 0,9000 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 3-UDFN freiliegendes Pad | 1 W | HUML2020L3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 V | 4 A | 1µA (ICBO) | PNP | 360 mV bei 100 mA, 2 A | 120 bei 500 mA, 3 V | 220 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ10NS45ATL | 1.1600 | | 150 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | RBQ10 | Schottky | LPDS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 45 V | 10A | 650 mV bei 5 A | 70 µA bei 45 V | 150 °C (max.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | 6.2900 | | 100 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | R6520 | MOSFET (Metalloxid) | LPTS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 20A (Tc) | 10V | 205 mOhm bei 9,5 A, 10 V | 4 V bei 630 µA | 61 nC bei 10 V | ±20V | 1400 pF bei 25 V | - | 231W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS212AGC17 | 5.9100 | | 189 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220ACFP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-SCS212AGC17 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,55 V bei 12 A | 0 ns | 240 µA bei 600 V | 175°C | 12A | 438pF bei 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6507ENJTL | 3.1400 | | 998 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | R6507 | MOSFET (Metalloxid) | LPTS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 7A (Tc) | 10V | 665 mOhm bei 2,4 A, 10 V | 4 V bei 200 µA | 20 nC bei 10 V | ±20V | 390 pF bei 25 V | - | 78W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-1124B | - | | 3331 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | ±3 % | - | Oberflächenmontage | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | RLZTE-1124 | 500 mW | LLDS | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 nA bei 19 V | 23,2 V | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSX068MP2STR | 0,5100 | | 4355 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 200 V | 890 mV bei 2 A | 100 nA bei 200 V | 175°C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RS1E220ATTB1 | 2.7700 | | 7 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 V | 22A (Ta), 76A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,1 mOhm bei 22 A, 10 V | 2,5 V bei 2 mA | 130 nC bei 10 V | ±20V | 5850 pF bei 15 V | - | 3W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84B13VLYT116 | 0,4500 | | 5 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±2,31 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 nA bei 8 V | 13 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FMS1AT148 | 0,1382 | | 6466 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | * | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | FMS1AT148 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB088LAM100TR | 0,6100 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-128 | RB088 | Schottky | PMDTM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 100 V | 870 mV bei 5 A | 3 µA bei 100 V | 150°C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QS8J13TR | 0,8700 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | QS8J13 | MOSFET (Metalloxid) | 1,25 W | TSMT8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 12V | 5,5A | 22 mOhm bei 5,5 A, 4,5 V | 1 V bei 1 mA | 60 nC bei 4,5 V | 6300pF bei 6V | Logikpegel-Gate | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB521CM-40T2R | 0,2700 | | 23 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | 2-SMD, Flachanschluss | RB521 | Schottky | VMN2M | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 40 V | 610 mV bei 100 mA | 100 µA bei 40 V | 125 °C (max.) | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-05HYT116 | 0,5200 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar gemeinsame Kathode | 40 V | 120mA (DC) | 1 V bei 40 mA | 10 µA bei 40 V | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KDZVTFTR2.7B | 0,4700 | | 2958 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101, KDZVTF | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±7,41 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-123F | KDZVTFTR2.7 | 1 W | PMDU | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA bei 1 V | 2,9 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UMZ8.2TFHT106 | 0,5700 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±5,37 % | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-70, SOT-323 | UMZ8.2 | 200 mW | UMD3 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar gemeinsame Kathode | 500 nA bei 5 V | 8,2 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB851YGT2R | - | | 4966 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 846-RB851YGT2RTR | VERALTET | 8.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 3 V | 30mA (DC) | 460 mV bei 1 mA | 700 nA bei 1 V | 125 °C (max.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RF4E110GNTR | 0,5600 | | 6 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerUDFN | RF4E110 | MOSFET (Metalloxid) | HUML2020L8 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 11A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 11,3 mOhm bei 11 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 7,4 nC bei 10 V | ±20V | 504 pF bei 15 V | - | 2W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS400SMT2R | 0,2400 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-79, SOD-523 | 1SS400 | Standard | EMD2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 80 V | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 100 nA bei 80 V | 150 °C (max.) | 100mA | 3 pF bei 0,5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGTH00TK65GC11 | 6.8200 | | 405 | 0,00000000 | Rohm Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-3PFM, SC-93-3 | RGTH00 | Standard | 72 W | TO-3PFM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V | Grabenfeldstopp | 650 V | 35 A | 200 A | 2,1 V bei 15 V, 50 A | - | 94 nC | 39ns/143ns |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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