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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZDX130N50 | 1.6372 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | ZDX130 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZDX130N50CT-ND | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.5a, 10V | 4,5 V @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 2180 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn3bge2stl | 1.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Rfn3b | Standard | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 980 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DW7TL | 12.2500 | ![]() | 996 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7l | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 750 V | 31a (TJ) | 18V | 59mohm @ 17a, 18 V. | 4,8 V @ 8.89 Ma | 63 NC @ 18 V | +21V, -4v | 1460 PF @ 500 V | - - - | 93W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTFTE2518B | 0,6100 | ![]() | 945 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6.01% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µa @ 13 V | 19.15 v | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFL60TZ6SGC13 | 7.6400 | ![]() | 653 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | RFL60 | Standard | To-247ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RFL60TZ6SGC13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,5 V @ 60 a | 75 ns | 10 µa @ 650 V | 175 ° C. | 60a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6530Knzc8 | - - - | ![]() | 6614 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6530 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6530Knzc8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 30a (TC) | 10V | 140MOHM @ 14.5A, 10V | 5 V @ 960 ua | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2350 PF @ 25 V. | - - - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SP8J62TB1 | - - - | ![]() | 4034 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | SP8J62 | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-SP8J62TB1TR | Veraltet | 2.500 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HP8MA2TB1 | 1.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8MA2 | MOSFET (Metalloxid) | 3W (TA) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 18a (ta), 15a (ta) | 9,6 MOHM @ 18A, 10V, 17,9 Mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 22nc @ 10v, 25nc @ 10v | 1100pf @ 15V, 1250pf @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6515KNX3C16 | 3.5300 | ![]() | 956 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | R6515 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6515KNX3C16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 5 V @ 430 ähm | 27,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1050 PF @ 25 V. | - - - | 161W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088BGE-60TL | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RB088 | Schottky | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 830 mv @ 5 a | 3 µa @ 60 V | 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1111b | - - - | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 8 v | 11 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ8.2TFHT106 | 0,5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,37% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Umz8.2 | 200 MW | Umd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 500 NA @ 5 V. | 8.2 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65CHRC11 | 12.8100 | ![]() | 8029 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW60TS65CHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 34 ns | - - - | 650 V | 64 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 70 µJ (EIN), 220 µJ (AUS) | 84 NC | 37ns/91ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B7V5LYT116 | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR2MM30ATFTR | 0,3900 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RBR2MM30 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 530 mv @ 2 a | 50 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020YNZ4C13 | 6.5700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-R6020YNZ4C13 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V, 12V | 185mohm @ 6a, 12V | 6 V @ 1,65 mA | 28 NC @ 10 V | ± 30 v | 1200 PF @ 100 V | - - - | 182W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVTE-1718B | 0,3000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 13 v | 18 v | 65 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB480YNPT2R | - - - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RB480YNPT2RTR | Veraltet | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 30 v | 100 ma | 530 mv @ 100 mA | 1 µa @ 10 V | 125 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS310AHGC9 | 6.5500 | ![]() | 407 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SCS310 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ACP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 500PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR586D3FRATL | 1.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR586 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | 320mv @ 100 mA, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB238NS150FHTL | 2.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RB238 | Schottky | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 40a | 920 MV @ 20 a | 20.2 ns | 30 µA @ 150 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB068VWM-40TR | 0,4800 | ![]() | 2305 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Flaches Blei | RB068 | Schottky | PMDE | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 790 mv @ 2 a | 500 NA @ 40 V. | 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBLQ2MM10TR | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | RBLQ2 | Schottky | PMDU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 2 a | 10 µa @ 100 V. | 175 ° C. | 2a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rf6e045ajtcr | 0,6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RF6E045 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 v | 23,7 MOHM @ 4,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 8.1 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 900 PF @ 15 V | - - - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R8003Knd3tl1 | 2.3200 | ![]() | 988 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R8003 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 800 V | 3a (ta) | 10V | 1,8OHM @ 1,5a, 10 V | 4,5 V @ 2MA | 11,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 300 PF @ 100 V | - - - | 45W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS205KGC | - - - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SCS205 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 5 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (max) | 5a | 270pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3G07CGNC16 | 2.4700 | ![]() | 602 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | RX3G07 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RX3G07CGNC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 4,7mohm @ 70a, 10V | 2,5 V @ 500 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2410 PF @ 20 V | - - - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD150N06TL | 0,5924 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD150 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 15a (ta) | 4 V, 10V | 40mohm @ 15a, 10V | 3V @ 1ma | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 930 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE258.2A | 0,2014 | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | ± 6% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | PTZTE258.2 | 1 w | PMDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 20 µa @ 5 V | 8.2 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Emz1fhat2r | 0,0967 | ![]() | 1483 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emz1fhat2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus