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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
MBR1640 Diodes Incorporated MBR1640 - - -
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 ECAD 3822 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 630 mv @ 16 a 200 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 450pf @ 4V, 1 MHz
D3Z2V4BF-7 Diodes Incorporated D3Z2V4BF-7 0,4400
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F D3Z2v4 400 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 µa @ 1 V 2,53 v 100 Ohm
DDTA143EUA-7 Diodes Incorporated DDTA143EUA-7 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA143 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
S5BC-13 Diodes Incorporated S5BC-13 - - -
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC S5B Standard SMC Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,15 V @ 5 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4v, 1 MHz
SBR3040CTFP Diodes Incorporated SBR3040CTFP 1.6200
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 ECAD 29 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR3040 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 15a 550 mv @ 15 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C.
ZTX753 Diodes Incorporated ZTX753 0,8600
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 ECAD 1591 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX753 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZTX753-NDR Ear99 8541.29.0075 4.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a - - - 140 MHz
DDA142TH-7 Diodes Incorporated DDA142th-7 - - -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DDA142 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 470ohm - - -
B1100-13-F Diodes Incorporated B1100-13-F 0,3500
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 ECAD 79 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B1100 Schottky SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 790 mv @ 1 a 500 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1 MHz
DDTB122TC-7 Diodes Incorporated DDTB122TC-7 0,4000
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 ECAD 540 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTB122 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 100 @ 5ma, 5v 200 MHz 220 Ohm
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 0,7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN6022 MOSFET (Metalloxid) 1.2W (TA) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 60 v 6a (ta), 14a (TC) 29mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 32nc @ 10v 2110pf @ 30v - - -
ZTX796ASTOA Diodes Incorporated Ztx796astoa - - -
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 ECAD 7923 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads Ztx796a 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 200 v 500 mA 100na PNP 300 mV @ 20 mA, 200 mA 300 @ 10 mA, 5V 100 MHz
MBR3060CTP Diodes Incorporated MBR3060CTP - - -
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 isolierte RegisterKarte Schottky Ito-220s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBR3060CTPDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 15a 750 mv @ 15 a 100 µa @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BAS40-6-7-F Diodes Incorporated Bas40-6-7-F - - -
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23-3 - - - 31-Bas40-6-7-F 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 40 v 200 ma 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
DDTC144WE-7-F Diodes Incorporated DDTC144WE-7-F 0,0605
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 ECAD 1731 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddtc (r1 r2 -serie) e Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTC144 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDTC144WE-FDICT Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
FMMT593QTA Diodes Incorporated Fmmt593qta 0,4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt593 500 MW SOT-23 (Typ DN) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 100 v 1 a 100na PNP 300 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 500 mA, 5V 50 MHz
T8M30T800HC Diodes Incorporated T8M30T800HC 0,6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv T8M30 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-t8m30T800HC Ear99 8541.30.0080 50
ZX5T951GTA Diodes Incorporated ZX5T951GTA 0,8900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZX5T951 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 5.5 a 20na (ICBO) PNP 250mv @ 500 mA, 5a 100 @ 2a, 1V 120 MHz
MBR10200CS2-G1 Diodes Incorporated MBR10200CS2-G1 - - -
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MBR10200 Schottky To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 5a 950 mv @ 5 a 150 µa @ 200 V. 150 ° C (max)
DDTC123YUA-7-F Diodes Incorporated DDTC123YUA-7-F 0,2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC123 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10ma, 5v 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
DMC3071LVT-13 Diodes Incorporated DMC3071LVT-13 0,0948
RFQ
 ECAD 7607 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMC3071 MOSFET (Metalloxid) 700 MW (TA) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-und p-kanal-krementär 30V 4,6a (TA), 3,3a (TA) 50MOHM @ 3,5A, 10V, 95MOHM @ 3,8a, 10 V. 2,5 V @ 250 ähm 4,5nc @ 10v, 6,5nc @ 10v 190pf @ 15V, 254pf @ 15V - - -
RS1M-13 Diodes Incorporated RS1M-13 - - -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA RS1M Standard SMA Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
B330A-13-F Diodes Incorporated B330A-13-F 0,5200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B330 Schottky SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 200pf @ 4v, 1 MHz
ZTX788ASTZ Diodes Incorporated Ztx788astz - - -
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX788 1 w E-line (bis 92 kompatibel) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 15 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 330mv @ 200ma, 3a 300 @ 10 mA, 1V 150 MHz
DDTA144TE-7-F Diodes Incorporated DDTA144TE-7-F 0,0605
RFQ
 ECAD 4803 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddta (r1-nur-serie) e Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTA144 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDTA144TE-FDITR Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 47 Kohms
1N4001-B Diodes Incorporated 1N4001-B - - -
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4001 Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1N4001-BDI Ear99 8541.10.0080 1.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 1 a 5 µa @ 50 V 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
SDT10A100CT Diodes Incorporated SDT10A100CT 0,7100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SDT10 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 5a 660 mv @ 5 a 50 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
ZXMN4A06KTC Diodes Incorporated ZXMN4A06KTC 1.2500
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMN4A06 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 7.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 4,5a, 10 V 1V @ 250 ähm 17.1 NC @ 10 V. ± 20 V 827 PF @ 20 V - - - 2.15W (TA)
DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated DMN10H100SK3-13 0,7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN10 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 18a (TC) 4,5 V, 10 V. 80MOHM @ 3.3a, 10V 3v @ 250 ähm 25,2 NC @ 10 V. ± 20 V 1172 PF @ 50 V - - - 37W (TC)
DDTA114EUA-7-F Diodes Incorporated DDTA114EUA-7-F 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA114 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
DCP51-16-13 Diodes Incorporated DCP51-16-13 - - -
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DCP51 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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