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Diskette HalblerProdukte (13379)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMN62D0U-13	0,3200	RFQ	60	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMN62	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	10.000			N-Kanal	60 v	380 Ma (TA)	1,8 V, 4,5 V.	2OHM @ 100 mA, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	0,5 NC @ 4,5 V	± 20 V	32 PF @ 30 V	- - -	380 MW (TA)
Di9945t	- - -	RFQ	6612	Dioden Eingenbaut	- - -	Klebeband (CT) Schneiden	Veraltet			Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	Di9945	MOSFET (Metalloxid)	2W	8-Sop	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 n-kanal (dual)			60 v	3.5a		100mohm @ 3,5a, 10 V	- - -	30nc @ 10v		435PF @ 25V	- - -
DDC143XU-7	0,0650	RFQ	7209	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC143		200 MW	SOT-363	Herunterladen				31-DDC143XU-7	Ear99	8541.21.0075	3.000																							50V	100 ma	500NA (ICBO)			2 NPN - Voresingenben (Dual)	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 10ma, 5v	250 MHz	4.7kohm	10kohm
DMN1017UCP3-7	0,2035	RFQ	4374	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-xdfn	DMN1017	MOSFET (Metalloxid)		X3-dsn1010-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	12 v	7.5a (ta)	1,8 V, 3,3 V.	17mohm @ 5a, 3,3 V.	1V @ 250 ähm	16 NC @ 3,3 V	± 8 v	1503 PF @ 6 V	- - -	1.47W
B140BE-13	- - -	RFQ	5882	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	B140	Schottky		SMB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													40 v		500 mV @ 1 a		200 µa @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	50pf @ 4v, 1 MHz
MBR20150CTP	- - -	RFQ	7177	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3 isolierte RegisterKarte	MBR20150CT	Schottky		Ito-220s	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	MBR20150CTPDI	Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	150 v	10a	900 mv @ 10 a		100 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
BZT52C15-13-G	- - -	RFQ	9126	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					BZT52				- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BZT52C15-13-GDI	Ear99	8541.10.0050	10.000
MMBT2222A-7-F-52	0,0217	RFQ	5342	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			310 MW	SOT-23-3	Herunterladen				31-MMBT2222A-7-F-52	Ear99	8541.21.0075	3.000																							40 v	600 mA	10na			Npn	1v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150 mA, 10V	300 MHz
SB320-T	- - -	RFQ	3597	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	Do-201ad, axial	SB320	Schottky		Do-201ad	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	1.200		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	3a	- - -
BZX84C22TS-7-F	- - -	RFQ	7806	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bzx84		200 MW	SOT-363	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000	3 Unabhängig																900 mv @ 10 mA		100 Na @ 15,4 V.							22 v	55 Ohm
MBR1030	- - -	RFQ	1847	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-2	MBR1030	Schottky		To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													30 v		840 mv @ 10 a		100 µa @ 30 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	10a	400PF @ 4V, 1 MHz
BAT54BRW-7-F	0,4700	RFQ	117	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bat54	Schottky		SOT-363	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												2 Paar Serie Verbindung	30 v	200 Ma (DC)	1 V @ 100 mA	5 ns	2 µa @ 25 V.	-65 ° C ~ 125 ° C.
MBR10150CTF-G1	0,5900	RFQ	2928	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-3 Full Pack	MBR10150	Schottky		To-220f-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	150 v	5a	920 mv @ 5 a		100 µA @ 150 V	175 ° C (max)
DMN2215UDM-7	0,5600	RFQ	7	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6	DMN2215	MOSFET (Metalloxid)	650 MW	SOT-26	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000	2 n-kanal (dual)			20V	2a		100MOHM @ 2,5A, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	- - -		188pf @ 10v	Logikpegel -tor
1n5393g-t	- - -	RFQ	8770	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	DO-204AC, DO-15, Axial	1N5393	Standard		Do-15	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	4.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													200 v		1,1 V @ 1,5 a		5 µa @ 200 V.	-65 ° C ~ 175 ° C.	1,5a	15PF @ 4V, 1 MHz
BAS16LPQ-7B	0,0323	RFQ	2676	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	0402 (1006 Metrik)	Bas16	Standard		X1-DFN1006-2	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-Bas16LPQ-7BTR	Ear99	8541.10.0080	10.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													75 V		1,25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	300 ma	2PF @ 0V, 1MHz
DMN2029uvt-7	0,1127	RFQ	9171	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	DMN2029	MOSFET (Metalloxid)		TSOT-26	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	DMN2029uvt-7di	Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	20 v	6.8a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	24MOHM @ 6.2a, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	7.1 NC @ 4.5 V.	± 10 V	646 PF @ 10 V.	- - -	700 MW (TA)
DSR10F600PI	- - -	RFQ	6246	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Veraltet			K. Loch	To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte		Standard		ITO-220AC	Herunterladen				31-dsr10F600PI	Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													600 V		3,2 V @ 10 a	30 ns	20 µa @ 600 V	175 ° C.	10a	26pf @ 10V, 1 MHz
BZT52HC15WF-7	0,2500	RFQ	21	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mv @ 10 mA		50 na @ 10,5 V.							15 v	15 Ohm
DMN61D8LQ-7	0,4600	RFQ	5162	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMN61	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000			N-Kanal	60 v	470 mA (TA)	3V, 5V	1,8OHM @ 150 mA, 5V	2V @ 1ma	0,74 NC @ 5 V	± 12 V	12.9 PF @ 12 V.	- - -	390 MW (TA)
DFLS2100Q-7-52	0,3500	RFQ	8841	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	PowerDI®123	DFLS2100	Schottky		PowerDi ™ 123	Herunterladen				31-DFLS2100Q-7-52	Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													100 v		860 mv @ 2 a	9 ns	1 µa @ 100 V.	-55 ° C ~ 175 ° C.	2a	36PF @ 5V, 1 MHz
SBR30A150CTFP-JT	- - -	RFQ	2257	Dioden Eingenbaut	SBR®	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	SBR30	Superbarriere		ITO-220AB	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		31-SBR30A150CTFP-JT	Ear99	8541.10.0080	50		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	150 v	15a	880 mv @ 15 a		100 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
DDTC114YUA-7-F-50	0,0306	RFQ	3801	Dioden Eingenbaut	Automotive, AEC-Q101, DDTA (R1 ≠ R2-Serie) UA	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DDTC114		200 MW	SOT-323	Herunterladen				31-DDTC114YUA-7-F-50	Ear99	8541.21.0095	3.000																							50 v	100 ma	500NA			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 250 ua, 5 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	10 Kohms	47 Kohms
MMBD4448HADW-7	- - -	RFQ	9579	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBD4448HA	Standard		SOT-363	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												2 Kombinierte Gemeinsame -Anode	80 v	250 Ma	1,25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 70 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
MBR2550CT	- - -	RFQ	3089	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3	MBR2550	Schottky		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	MBR2550CTDI	Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	50 v	15a	750 mv @ 15 a		1 ma @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C.
BAS40DW-06-7-F-2477	- - -	RFQ	7424	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Lets Kaufen			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		Schottky		SOT-363	- - -				31-Bas40DW-06-7-F-2477			1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												2 Kombinierte Gemeinsame -Anode	40 v	200 ma	1 V @ 40 mA	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C.
DDA114EK-7-F	- - -	RFQ	6007	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	SOT-23-6	DDA114		300 MW	SOT-26	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																							50V	100 ma	- - -			2 PNP - Voreeinnensmen (Dual)	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5ma, 5v	250 MHz	10kohm	10kohm
DMP2006UFGQ-7	0,3819	RFQ	8536	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	DMP2006	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000			P-Kanal	20 v	17,5a (TA), 40a (TC)	1,5 V, 4,5 V.	5,5 MOHM @ 15a, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	200 nc @ 10 v	± 10 V	7500 PF @ 10 V.	- - -	2,3 W (TA), 41W (TC)
1SMB5933B-13	0,4500	RFQ	5	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	1SMB5933		550 MW	SMB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0050	3.000																	1,5 V @ 200 Ma		1 µA @ 16,7 V							22 v	17,5 Ohm
DMTH4014LPDQ-13	0,4208	RFQ	9330	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	DMTH4014	MOSFET (Metalloxid)	2,41W (TA), 42,8W (TC)	PowerDI5060-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 n-kanal (dual)			40V	10.6a (TA), 43,6a (TC)		15mohm @ 20a, 10V	3v @ 250 ähm	10.2nc @ 10v		733PF @ 20V	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (13379)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²