Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DCX122LH-7 | - - - | ![]() | 9579 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX122 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 56 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM02L30CP3-7 | 0,2600 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-xdfn | SDM02 | Schottky | X3-WLB0603-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDM02L30CP3-7DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 380 mv @ 200 mA | 120 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 10pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D3Z36BF-7 | 0,4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | D3Z36 | 400 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 27 v | 35,97 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C12Q-7-F | 0,0384 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,42% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52C12Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZX5T851ZTA | - - - | ![]() | 8141 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZX5T851 | 2.1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 5 a | 20na (ICBO) | Npn | 230 MV @ 300 Ma, 6a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BC847A-7-F | 0,2000 | ![]() | 123 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
FZT956QTA | 0,5778 | ![]() | 3513 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FZT956QTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 200 v | 2 a | 50na | PNP | 275mv @ 400 mA, 2a | 100 @ 1a, 5V | 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBTA28-13-F | - - - | ![]() | 1389 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-MMBTA28-13-F | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 80 v | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC123TE-7-F | 0,0605 | ![]() | 4009 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC123 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDTC123TE-FDITR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
FZT651QTC | 0,7500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT651 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH10H028SK3-13 | 0,5880 | ![]() | 2569 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMNH10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 55a (TC) | 10V | 28mohm @ 20a, 10V | 3,3 V @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 2245 PF @ 50 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT3906Q-7 | 0,0898 | ![]() | 7125 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt3906 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | 31-mmdt3906q-7 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5241B-7-F | 0,2200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5241 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS760Q-13 | 0,8200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDS760 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 620 mv @ 7 a | 200 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ6V2BQ-7 | 0,2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Ddz6v2 | 310 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 4 v | 6.2 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAZ22-13 | - - - | ![]() | 5603 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAZ22 | 1 w | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 16.7 V. | 22 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B390BE-13 | - - - | ![]() | 7911 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B390 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 790 mv @ 3 a | 200 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 105PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2060CTI | - - - | ![]() | 6245 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | SBR2060 | Standard | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 10 a | 150 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9T-7-F | 0,0630 | ![]() | 4902 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bzx84 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR5H150VPTR-G1 | - - - | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Schottky | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 920 mv @ 5 a | 8 µA @ 150 V | 175 ° C (max) | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SBL850 | - - - | ![]() | 7939 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 8 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0TS-7-F | 0,4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B160B-13-F-2477 | - - - | ![]() | 8717 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | - - - | 31-B160B-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B230Q-13-F | 0,1193 | ![]() | 1512 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B230 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 40V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LZ52C5v6ws | - - - | ![]() | 3022 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0805 (Metrik 2012) | LZ52C | 500 MW | 0805 | - - - | 31-lz52c5v6ws | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC1510W | - - - | ![]() | 2166 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC1510 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC1510WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µA @ 1000 V | 15 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX601 | 0,8700 | ![]() | 3098 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX601 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX601-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 160 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA125TUA-7 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTA125 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5246BQ-7-F | 0,0365 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5246 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmsz5246bq-7-Ftr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20A150CTFP | 0,9380 | ![]() | 1909 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR20 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 820 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus