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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DMN62D1SFB-7B | 0,4600 | ![]() | 151 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 410 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,4OHM @ 40 mA, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 2,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 80 PF @ 40 V | - - - | 470 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BLP-7B | 0,4000 | ![]() | 606 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | BC857 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
DZ23C10-7 | - - - | ![]() | 2095 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23C10 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 10 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC807-16-7-F | 0,2100 | ![]() | 220 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3A40SA-13 | 0,0804 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SBR3A40 | Superbarriere | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 400 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4936G-T | 0,0756 | ![]() | 8723 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4936 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA142JU-7 | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTA142 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U150CT | - - - | ![]() | 1355 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SBR40 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR40U150CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 860 mv @ 20 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zlls400qta | 0,4400 | ![]() | 1978 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Zlls400 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 MV @ 400 mA | 3 ns | 10 µa @ 30 V | 150 ° C (max) | 520 Ma | 15PF @ 30V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
DSS4140U-7 | 0,4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DSS4140 | 400 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBL4035PT | - - - | ![]() | 2250 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | SBL4035 | Schottky | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 40a | 580 mv @ 20 a | 1 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT2L40CP3-7B | 0,0916 | ![]() | 9422 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | Schottky | X3-dsn1608-2 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDT2L40CP3-7BTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 520 mv @ 2 a | 150 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 285PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
ADTC144ECAQ-7 | 0,3500 | ![]() | 7603 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC144 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-ATTC144ECAQ-7CT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C6V2W-7-F | 0,3400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C15T-7 | 0,2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR1004G-T | 0,0738 | ![]() | 6363 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | PR1004 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN16M8UCA6-7 | 0,2928 | ![]() | 3873 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | X3-DSN2718-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMN16M8UCA6-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 12V | 15,5a (TA) | 5,6 MOHM @ 3a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 45,4nc @ 6v | 2333pf @ 6v | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2991UT-13 | 0,0544 | ![]() | 8611 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN2991 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2991UT-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 300 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 3OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,35 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 21.5 PF @ 15 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
BZX84C11-7 | - - - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B390-13-F | 1.6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | B390 | Schottky | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 790 mv @ 3 a | 500 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 100pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLZ6V8-7 | 0,4900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLZ6 | 1 w | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 3 V | 6,8 v | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS2BA-13 | - - - | ![]() | 2496 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS2B | Standard | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9693-7 | 0,3400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9693 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 5.7 V. | 7,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6006SPS-13 | 0,3837 | ![]() | 6310 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH6006 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMTH6006SPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 17,8a (TA), 100A (TC) | 10V | 6.2mohm @ 10.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 27.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1721 PF @ 30 V | - - - | 2,94W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTP07040CFG-7 | 0,1911 | ![]() | 2826 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DXTP07040 | 900 MW | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 3 a | 20na (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 2a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6005LFG-7 | 0,5078 | ![]() | 2590 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMTH6005 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-DMTH6005LFG-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 19,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48,7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3150 PF @ 30 V | - - - | 2,38W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19W-7-G | - - - | ![]() | 6299 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BAV19 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAV19W-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTDAM832TA | - - - | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDAM832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 4,5a | 25na | 2 NPN (Dual) | 280 MV @ 50 Ma, 4,5a | 200 @ 3a, 2v | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5AC-13 | - - - | ![]() | 2262 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S5a | Standard | SMC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bst16ta | - - - | ![]() | 6952 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BST16 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V | 500 mA | 50 µA | PNP | 2v @ 5ma, 50 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 15 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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