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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DMTH45M5SFVW-7 | 0,2842 | ![]() | 8192 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMTH45M5SFVW-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 18a (TA), 71a (TC) | 10V | 5,5 MOHM @ 25a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 13.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1083 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 51W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6T-7 | 0,2100 | ![]() | 6083 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2a02-t | - - - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 2A02 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 2 a | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1S-7-F | 0,2800 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ddta143ee-7-f | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA143 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5248BQ-7-F | 0,0368 | ![]() | 6441 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5248 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmsz5248bq-7-Ftr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5259b-t | - - - | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5259 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 30 V | 39 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C33W-7 | 0,1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,06% | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 23.1 V. | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1S-7-F-79 | - - - | ![]() | 3229 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,04% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52C9V1S-7-F-79TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDT694TC | - - - | ![]() | 2743 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT694 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 120 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 500mv @ 5ma, 400 mA | 400 @ 200 Ma, 2V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DP0150BLP4-7 | 0,4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DP0150 | 450 MW | X2-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBL3045CTP | - - - | ![]() | 8192 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 isolierte RegisterKarte | SBL3045 | Schottky | Ito-220s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBL3045CTPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 620 mv @ 15 a | 1 ma @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ16B-7 | 0,0435 | ![]() | 2446 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ16 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 12 v | 16 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx1051astz | 0,4494 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX1051 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 40 v | 4 a | 10na | Npn | 210mv @ 100ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 155 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
BSS126SK-7 | - - - | ![]() | 3507 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS126 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 30 mA (ta) | 0V, 10V | 500ohm @ 16ma, 10V | 1,4 V @ 8 ähm | 2 NC @ 5 V. | ± 20 V | 30.9 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DST3904DJ-7 | 0,4000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | DST3904 | 300 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C3V3-7 | - - - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1Q-7-F | 0,0384 | ![]() | 8691 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,04% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52C9V1Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zdt6705ta | - - - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6705 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 v | 1a | 10 µA | NPN, PNP Darlington (Dual) | 1,5 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 1a, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG1013T-7 | 0,3000 | ![]() | 140 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMG1013 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 460 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 700 MOHM @ 350 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,622 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 59.76 PF @ 16 V | - - - | 270 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
Fmmt491atc | 0,1088 | ![]() | 9854 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt491 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT40100CT | 0,9200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SDT40100 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 790 mv @ 20 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9713Q-7 | 0,0508 | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9713 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 22,8 V. | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP4025LSSQ-13 | 0,5054 | ![]() | 6386 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMP4025 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 3a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 33.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1640 PF @ 20 V | - - - | 1,52W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | 0,3500 | ![]() | 635 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BSS123 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 170 mA (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 170 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10150CT | 1.1600 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR10150 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 5a | 920 mv @ 5 a | 250 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B360B-13-G | - - - | ![]() | 4489 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B360 | Schottky | SMB | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5257BW-7-F | 0,0557 | ![]() | 5574 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5257 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS2100-7 | 0,5600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS2100 | Schottky | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 860 mv @ 2 a | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 36PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DDA142JH-7 | - - - | ![]() | 8156 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDA142 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 56 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 470ohm | 10kohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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