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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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DSR15U600-G | - - - | ![]() | 7676 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Diodestar ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-dsr15U600-g | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,4 V @ 15 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B220AQ-13-F | 0,3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B220 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 40V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV116WQ-7-F | 0,0619 | ![]() | 1001 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV116 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAV116WQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 130 v | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 215 Ma | 2.4PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B290Q-13-F | 0,1530 | ![]() | 6384 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B290 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 790 mv @ 2 a | 7 µa @ 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 75PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
DDTC122LU-7-F | - - - | ![]() | 9938 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC122 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 56 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTP03200GTA | - - - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-ZXTP03200GTATR | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B130LAW-7-F-2477 | - - - | ![]() | 6253 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - - - | 31-B130LAW-7-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 420 mv @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 40pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMS3015SSS-13 | 0,4400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMS3015 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11,9 MOHM @ 11A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30.6 NC @ 10 V. | ± 12 V | 1276 PF @ 15 V | Schottky Diode (Körper) | 1,55W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3S130L-7 | 0,5300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | PD3S130 | Schottky | PowerDi ™ 323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 420 mv @ 1 a | 1,5 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 40pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3S160-7 | 0,4600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | PD3S160 | Schottky | PowerDi ™ 323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 640 mv @ 1 a | 50 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 38PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC143EKA-7-F | - - - | ![]() | 1416 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
BAT54CW-7-F | 0,2400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C12-13-F-79 | - - - | ![]() | 3496 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C12-13-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BAT64CW-7-F | 0,0469 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat64 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAT64CW-7-FDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 250 Ma | 750 MV @ 100 Ma | 3 ns | 2 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
DDTA123JCA-7-F | 0,2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
MBR1035 | - - - | ![]() | 1708 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | MBR103 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBR1035DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 840 mv @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 400PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30200CTFP-G | - - - | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30200 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR30200CTFP-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 980 mv @ 15 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54CDW-7 | - - - | ![]() | 8806 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bat54 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR05U20LP-7B | - - - | ![]() | 9473 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | Superbarriere | X1-DFN1006-2 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR05U20LP-7BTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 MV @ 500 mA | 50 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BAV23C-13-F | - - - | ![]() | 3588 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV23 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-BAV23C-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 400 mA (DC) | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1KP1M-7 | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | Standard | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 4PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR1504S-B | - - - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5mc_hf | 0,0878 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | SMC | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-s5mc_hf | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ525BT-7-F | 0,0736 | ![]() | 9015 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBZ5255 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMC2400UV-7 | 0,4000 | ![]() | 258 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMC2400 | MOSFET (Metalloxid) | 450 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 1.03a, 700 mA | 480MOHM @ 200 Ma, 5V | 900 MV @ 250 ähm | 0,5nc @ 4,5 V | 37.1pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC2004LPK-7 | 0,4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | DMC2004 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | DFN1612-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 750 mA, 600 mA | 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 150pf @ 16v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3040CTFP | 1.6200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR3040 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 15a | 550 mv @ 15 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4936GL-T | - - - | ![]() | 9549 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4936 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX955 | 0,4970 | ![]() | 3283 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX955 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 140 v | 3 a | 50na (ICBO) | PNP | 330 MV @ 300 Ma, 3a | 100 @ 1a, 5V | 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR103-T | - - - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SR103 | Schottky | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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