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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
ES2G-13-F Diodes Incorporated ES2G-13-F 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB Es2g Standard SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,25 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4v, 1 MHz
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated DST857BDJ-7 0,4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DST857 300 MW SOT-963 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 500 mV @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 340 MHz
SDT20A120CTFP Diodes Incorporated SDT20A120CTFP 0,6414
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SDT20 Schottky ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 10a 790 mv @ 10 a 100 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DMN3013LFG-13 Diodes Incorporated DMN3013LFG-13 0,3080
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerldfn DMN3013 MOSFET (Metalloxid) 2.16W (TA) PowerDI3333-8 (Typ D) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 9,5a (TA), 15a (TC) 14.3mohm @ 4a, 8v 1,2 V @ 250 ähm 5.7nc @ 4.5V 600PF @ 15V - - -
DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated DMP2035UFDF-7 0,5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP2035 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 8.1a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 29mohm @ 6.4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 20,5 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1808 PF @ 15 V - - - 2.03W (TA)
STPR1240 Diodes Incorporated STPR1240 0,6900
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 ECAD 48 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Standard To220ab (Typ WX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-STPR1240 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 6a 1,3 V @ 6 a 35 ns 10 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S5ACF Diodes Incorporated S5ACF - - -
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 ECAD 2578 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard SMC - - - UnberÜHrt Ereichen 31-S5ACF Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,15 V @ 5 a 10 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4v, 1 MHz
FZT600BQTA Diodes Incorporated FZT600BQTA 0,3627
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,2 w SOT-223 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-FZT600BQTATR Ear99 8541.29.0075 1.000 140 v 2 a 10 µA NPN - Darlington 1,2 V @ 10ma, 1a 10000 @ 500 mA, 10V 250 MHz
BCX51TA Diodes Incorporated BCX51ta 0,4000
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 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX51 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 150 MHz
DMT12H065LFDF-7 Diodes Incorporated DMT12H065LFDF-7 0,3605
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT12 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMT12H065LFDF-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 115 v 4.3a (TA) 3 V, 10V 65mohm @ 3a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 12 V 252 PF @ 50 V - - - 1W (TA)
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated DMNH6012SPS-13 0,5513
RFQ
 ECAD 6134 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMNH6012 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 50a (TC) 10V 11Mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 35.2 NC @ 10 V. ± 20 V 1926 PF @ 30 V. - - - 1.6W (TA)
BZT52C13LPQ-7 Diodes Incorporated BZT52C13LPQ-7 0,0672
RFQ
 ECAD 3950 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,53% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 0402 (1006 Metrik) BZT52 250 MW X1-DFN1006-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C13LPQ-7DI Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 13 v 30 Ohm
BZX84C16-7 Diodes Incorporated BZX84C16-7 - - -
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 ECAD 1295 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
DMN1019USN-7 Diodes Incorporated DMN1019USN-7 0,4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN1019 MOSFET (Metalloxid) SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 12 v 9.3a (ta) 1,2 V, 2,5 V. 10MOHM @ 9.7a, 4,5 V. 800 MV @ 250 ähm 50.6 NC @ 8 V. ± 8 v 2426 PF @ 10 V - - - 680 MW (TA)
BZT52C15-7-F Diodes Incorporated BZT52C15-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 531 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 10,5 V. 15 v 30 Ohm
MMBZ5242BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5242BQ-7-F 0,1900
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 ECAD 5794 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 9,1 V 12 v 30 Ohm
ZXTN2031FTA Diodes Incorporated ZXTN2031fta 0,7900
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTN2031 1,2 w SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 50 v 5 a 20na (ICBO) Npn 170mv @ 250 mA, 5a 200 @ 500 Ma, 2V 125 MHz
ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated ZXTN25012EFHTA 0,6000
RFQ
 ECAD 3717 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTN25012 1,25 w SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 12 v 6 a 50na (ICBO) Npn 190mv @ 120 Ma, 6a 500 @ 10 mA, 2V 260 MHz
MMBZ5242BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5242BTS-7-F 0,1300
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5242 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 9,1 V 12 v 30 Ohm
DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated DMN61D9UWQ-13 0,3500
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN61 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 400 mA (TA) 1,8 V, 5 V. 2OHM @ 50 Ma, 5V 1V @ 250 ähm 0,4 NC @ 4,5 V. ± 20 V 28.5 PF @ 30 V - - - 440 MW (TA)
PD3S160-7-2477 Diodes Incorporated PD3S160-7-2477 - - -
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 ECAD 2794 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung PowerDi ™ 323 Schottky PowerDi ™ 323 - - - 31-PD3S160-7-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 640 mv @ 1 a 50 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 38PF @ 10V, 1 MHz
BZT52C39S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C39S-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C39S-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
1N4148WT-7-G Diodes Incorporated 1N4148WT-7-G - - -
RFQ
 ECAD 3950 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet 1N4148 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1N4148WT-7-GDI Ear99 8541.10.0070 3.000
DMTH6002LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6002LPSWQ-13 1.0319
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 ECAD 9232 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (SWP) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH6002LPSWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 205a (TC) 4,5 V, 10 V. 2mohm @ 30a, 10V 3v @ 250 ähm 131 NC @ 10 V ± 20 V 8289 PF @ 30 V - - - 3W (TA), 167W (TC)
DDTC115EUA-7-F Diodes Incorporated DDTC115EUA-7-F 0,0435
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 ECAD 4617 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC115 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -DDTC115EUA-7-FDICT Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms 100 Kohms
SBR30A50CTFP Diodes Incorporated SBR30A50CTFP - - -
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 ECAD 6460 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR30 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SBR30A50CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 15a 550 mv @ 15 a 500 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C.
2DC2412R-7 Diodes Incorporated 2DC2412R-7 0,0621
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2DC2412 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 5ma, 50 mA 180 @ 1ma, 6v 180 MHz
BCX41TA Diodes Incorporated BCX41TA 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCX41 330 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 125 v 800 mA 100na Npn 900mv @ 30 mA, 300 mA 25 @ 100 µA, 1V 100 MHz
MBR20100CTP Diodes Incorporated MBR20100CTP - - -
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 isolierte RegisterKarte MBR20100CT Schottky Ito-220s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 10a 850 mV @ 10 a 100 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
APD260VDTR-E1 Diodes Incorporated APD260VDTR-E1 - - -
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 ECAD 3794 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial APD260 Schottky Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 2a - - -
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