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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Strom - Max | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | ZVN4306AVSTOB | - - - | ![]() | 4241 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 1.1a (ta) | 5v, 10V | 330mohm @ 3a, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas40DW-4-7-F | - - - | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas40 | Schottky | SOT-363 | - - - | 31-Bas40DW-4-7-F | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 40 v | 200 ma | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52HC18WFQ-7 | 0,0616 | ![]() | 2174 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,38% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52HC18WFQ-7DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 12,6 V. | 18 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTC144EUA-7-F-50 | 0,0391 | ![]() | 1007 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, DDTC (R1 = R2-Serie) UA | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 31-DDTC144EUA-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMG302PU-7 | 0,1247 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMG302 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 25 v | 170 mA (ta) | 2,7 V, 4,5 V. | 10OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,35 NC @ 4,5 V. | -8v | 27.2 PF @ 10 V | - - - | 330 MW | |||||||||||||||||||||||||||||||
BCV46QTA | 0,0981 | ![]() | 9822 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCV46 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-bcv46qtatr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5245b-t | - - - | ![]() | 7581 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5245 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP31D7LDW-13 | 0,0565 | ![]() | 7096 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP31 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP31D7LDW-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 p-kanal (dual) | 550 Ma (TA) | 900mohm @ 420 mA, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2040UVT-7 | 0,0927 | ![]() | 2540 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN2040 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.7a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7,5 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 667 PF @ 10 V. | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMMT2907A-7 | 0,1238 | ![]() | 1525 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMMT2907 | 900 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 307MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC1017UPD-13 | - - - | ![]() | 4146 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMC1017 | MOSFET (Metalloxid) | 2.3W | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-und p-kanal-krementär | 12V | 13a (ta), 9,4a (ta) | 17mohm @ 11,8a, 4,5 V, 32MOHM @ 8,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18,6nc @ 4,5V, 23,7nc @ 4,5 V | 1787pf @ 6v, 2100pf @ 6v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2056U-7 | 0,3900 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2056 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 38mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 339 PF @ 10 V. | - - - | 940 MW | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT3U40P1-7-52 | 0,0824 | ![]() | 9607 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | SBRT3 | Superbarriere | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | 31-SBRT3U40P1-7-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 40 v | 490 mv @ 3 a | 180 µa @ 40 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT8A120p5q-13d | - - - | ![]() | 7999 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 840 mv @ 8 a | 300 µa @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C33SQ-7-F | 0,0359 | ![]() | 8585 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,06% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52C33SQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 23.1 V. | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C16-7-G | - - - | ![]() | 3634 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C16-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP10H4D2S-13 | 0,0766 | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP10H4D2S-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 100 v | 270 Ma (TA) | 4 V, 10V | 4.2ohm @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 87 PF @ 25 V. | - - - | 380 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ16BQ-7 | 0,0508 | ![]() | 6084 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ16 | 310 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 12 v | 15.65 V. | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9V1BQ-7 | 0,0508 | ![]() | 6728 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Ddz9v1 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V6-7 | - - - | ![]() | 1027 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | Bzx84 | 350 MW | SOT-23F | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ33S-7 | 0,4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ33 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 27 v | 33 v | 75 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DRDNB16W-7 | 0,3700 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DRDNB16 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 600 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C22-7-F-79 | - - - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C22-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3016LDV-13 | 0,2427 | ![]() | 3675 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN3016 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 21a (TC) | 12mohm @ 7a, 10V | 2v @ 250 ähm | 9,5nc @ 4,5 V | 1184PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9708-7 | 0,3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9708 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 16.7 V. | 22 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR1502G-T | - - - | ![]() | 6899 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | PR1502 | Standard | Do-15 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8B60P5-7D | - - - | ![]() | 3506 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8B60 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 600 mv @ 8 a | 220 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB240-T | - - - | ![]() | 4836 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-SB240-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMS2800TC | - - - | ![]() | 1788 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | ZMS2800 | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 15 Ma | 250 MW | 2PF @ 0V, 1MHz | Schottky - Single | 70V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V0-13 | - - - | ![]() | 3503 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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