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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | BSS138DW-7 | - - - | ![]() | 2153 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 200 ma | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | - - - | 50pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP4050SSD-13 | 0,9200 | ![]() | 213 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMP4050 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 40V | 4a | 50mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 13.9nc @ 10v | 674PF @ 20V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zv931v2ta | 0,4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-Zv931v2tadkr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN62D0UW-13 | 0,0411 | ![]() | 1202 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN62D0UW-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 340 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 2OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,5 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 32 PF @ 30 V | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
DMP58D0SV-7 | - - - | ![]() | 3575 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMP58 | MOSFET (Metalloxid) | 400 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 50V | 160 ma | 8ohm @ 100 mA, 5V | 2,1 V @ 250 ähm | - - - | 27pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVNL120CSTZ | - - - | ![]() | 5964 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 180 ma (ta) | 3V, 5V | 10ohm @ 250 mA, 5V | 1,5 V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Di9952t | 1.5500 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Di9952 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT10H50P5-13 | 0,2010 | ![]() | 5000 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDT10H50P5-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 450 mV @ 10 a | 300 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN6A08E6TC | - - - | ![]() | 5899 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 2.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 80MOHM @ 4.8a, 10V | 1V @ 250 ähm | 5.8 NC @ 10 V | ± 20 V | 459 PF @ 40 V. | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH62M8LPS-13 | 0,5722 | ![]() | 5052 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH62 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ K) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 50A, 10V | 3v @ 250 ähm | 96,3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4515 PF @ 30 V | - - - | 3.13W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138DWQ-7 | 0,4200 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 200 ma | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | - - - | 50pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT10H010LCT | 1.6100 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMT10H010LCTDI | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 98a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 13A, 10V | 3v @ 250 ähm | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3000 PF @ 50 V | - - - | 2W (TA), 139W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP6180SK3Q-13 | 0,6400 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMP6180 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 14a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 110Mohm @ 12a, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 17.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 984.7 PF @ 30 V | - - - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ULN62003AS16-13 | 0,6500 | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ULN62003 | - - - | 16 Also | Herunterladen | 31-uln62003as16-13 | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | 50V | 500 mA | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
BSS84WQ-7-F | 0,4000 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BSS84 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 130 mA (ta) | 5v | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 45 PF @ 25 V. | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTN4004KQTC-52 | 0,1521 | ![]() | 4836 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 3,8 w | To-252-3 | Herunterladen | 31-ZXTN4004KQTC-52 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 150 v | 1 a | 50na | Npn | 250mv @ 5ma, 100 mA | 100 @ 150 mA, 250mV | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmsz5227bs-7-f | 0,3400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5227 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 15 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
DMN32D0LFB4-7B | 0,0739 | ![]() | 1554 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN32 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN32D0LFB4-7BDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 440 Ma (TA) | 1,8 V, 2,5 V, 4,5 V. | 1,2OHM @ 100 mA, 4V | 1,2 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 44.8 PF @ 15 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
DDA122LH-7 | - - - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDA122 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 56 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10kohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN6013LFGQ-7 | 0,8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN6013 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 10.3a (TA), 45A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 55,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2577 PF @ 30 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40100CTFP | 2.6000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR40100 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 820 MV @ 20 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1-13-F-79 | - - - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C9V1-13-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10100CS2TR-G1 | - - - | ![]() | 4075 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBR1010 | Schottky | To-263-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 850 mv @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG7401SFG-7 | 0,5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMG7401 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 30 v | 9,8a (ta) | 4,5 V, 20V | 11mohm @ 12a, 20V | 3v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 25 V | 2987 PF @ 15 V | - - - | 940 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2010UFV-13 | 0,6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP2010 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 50a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 9,5 MOHM @ 3,6a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 103 NC @ 10 V | ± 10 V | 3350 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
DDTA115EUA-7 | - - - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA115 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT12A120P5-7 | 0,3200 | ![]() | 1433 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT12 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 800 mV @ 12 a | 500 µA @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5230b-t | - - - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5230 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX114YK-7-F | - - - | ![]() | 1244 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | DCX114 | 300 MW | SC-74R | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP1011LFV-13 | 0,2761 | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP1011 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 19A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 11,7 MOHM @ 12A, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 9,5 NC @ 6 V | -6v | 913 PF @ 6 V | - - - | 2.16W |
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