SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BSS138DW-7 Diodes Incorporated BSS138DW-7 - - -
RFQ
ECAD 2153 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (Metalloxid) 200 MW SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 50V 200 ma 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. 1,5 V @ 250 ähm - - - 50pf @ 10v Logikpegel -tor
DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated DMP4050SSD-13 0,9200
RFQ
ECAD 213 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP4050 MOSFET (Metalloxid) 1,8W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 40V 4a 50mohm @ 6a, 10V 3v @ 250 ähm 13.9nc @ 10v 674PF @ 20V - - -
ZV931V2TA Diodes Incorporated Zv931v2ta 0,4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-Zv931v2tadkr Ear99 8541.10.0080 3.000
DMN62D0UW-13 Diodes Incorporated DMN62D0UW-13 0,0411
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN62 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN62D0UW-13DI Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 340 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 2OHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,5 NC @ 4,5 V ± 20 V 32 PF @ 30 V - - - 320 MW (TA)
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated DMP58D0SV-7 - - -
RFQ
ECAD 3575 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMP58 MOSFET (Metalloxid) 400 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 50V 160 ma 8ohm @ 100 mA, 5V 2,1 V @ 250 ähm - - - 27pf @ 25v Logikpegel -tor
ZVNL120CSTZ Diodes Incorporated ZVNL120CSTZ - - -
RFQ
ECAD 5964 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet - - - K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 200 v 180 ma (ta) 3V, 5V 10ohm @ 250 mA, 5V 1,5 V @ 1ma ± 20 V 85 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
DI9952T Diodes Incorporated Di9952t 1.5500
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Di9952 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500
SDT10H50P5-13 Diodes Incorporated SDT10H50P5-13 0,2010
RFQ
ECAD 5000 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-SDT10H50P5-13TR Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 450 mV @ 10 a 300 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
ZXMN6A08E6TC Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TC - - -
RFQ
ECAD 5899 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 60 v 2.8a (TA) 4,5 V, 10 V. 80MOHM @ 4.8a, 10V 1V @ 250 ähm 5.8 NC @ 10 V ± 20 V 459 PF @ 40 V. - - - 1.1W (TA)
DMTH62M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH62M8LPS-13 0,5722
RFQ
ECAD 5052 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH62 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ K) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,8 MOHM @ 50A, 10V 3v @ 250 ähm 96,3 NC @ 10 V. ± 20 V 4515 PF @ 30 V - - - 3.13W
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0,4200
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (Metalloxid) 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 50V 200 ma 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. 1,5 V @ 250 ähm - - - 50pf @ 10v - - -
DMT10H010LCT Diodes Incorporated DMT10H010LCT 1.6100
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMT10 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DMT10H010LCTDI Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 98a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,5 MOHM @ 13A, 10V 3v @ 250 ähm 71 NC @ 10 V ± 20 V 3000 PF @ 50 V - - - 2W (TA), 139W (TC)
DMP6180SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP6180SK3Q-13 0,6400
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMP6180 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 14a (TC) 4,5 V, 10 V. 110Mohm @ 12a, 10V 2,7 V @ 250 ähm 17.1 NC @ 10 V. ± 20 V 984.7 PF @ 30 V - - - 1.7W (TA)
ULN62003AS16-13 Diodes Incorporated ULN62003AS16-13 0,6500
RFQ
ECAD 4250 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) ULN62003 - - - 16 Also Herunterladen 31-uln62003as16-13 Ear99 8541.10.0070 4.000 50V 500 mA - - - - - - - - - - - - - - -
BSS84WQ-7-F Diodes Incorporated BSS84WQ-7-F 0,4000
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 50 v 130 mA (ta) 5v 10ohm @ 100 mA, 5V 2V @ 1ma ± 20 V 45 PF @ 25 V. - - - 200 MW (TA)
ZXTN4004KQTC-52 Diodes Incorporated ZXTN4004KQTC-52 0,1521
RFQ
ECAD 4836 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 3,8 w To-252-3 Herunterladen 31-ZXTN4004KQTC-52 Ear99 8541.29.0075 2.500 150 v 1 a 50na Npn 250mv @ 5ma, 100 mA 100 @ 150 mA, 250mV - - -
MMSZ5227BS-7-F Diodes Incorporated Mmsz5227bs-7-f 0,3400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 MMSZ5227 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 15 µa @ 1 V 3.6 V 24 Ohm
DMN32D0LFB4-7B Diodes Incorporated DMN32D0LFB4-7B 0,0739
RFQ
ECAD 1554 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN32 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN32D0LFB4-7BDI Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 440 Ma (TA) 1,8 V, 2,5 V, 4,5 V. 1,2OHM @ 100 mA, 4V 1,2 V @ 250 ähm 0,6 NC @ 4,5 V. ± 10 V 44.8 PF @ 15 V - - - 350 MW (TA)
DDA122LH-7 Diodes Incorporated DDA122LH-7 - - -
RFQ
ECAD 2990 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DDA122 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 56 @ 10ma, 5V 200 MHz 220 Ohm 10kohm
DMN6013LFGQ-7 Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-7 0,8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN6013 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 10.3a (TA), 45A (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 55,4 NC @ 10 V. ± 20 V 2577 PF @ 30 V - - - 1W (TA)
SBR40100CTFP Diodes Incorporated SBR40100CTFP 2.6000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR40100 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 820 MV @ 20 a 100 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
BZT52C9V1-13-F-79 Diodes Incorporated BZT52C9V1-13-F-79 - - -
RFQ
ECAD 3053 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C9V1-13-F-79DI Ear99 8541.10.0050 10.000
MBR10100CS2TR-G1 Diodes Incorporated MBR10100CS2TR-G1 - - -
RFQ
ECAD 4075 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MBR1010 Schottky To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 5a 850 mv @ 5 a 100 µa @ 100 V. 150 ° C (max)
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated DMG7401SFG-7 0,5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMG7401 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 30 v 9,8a (ta) 4,5 V, 20V 11mohm @ 12a, 20V 3v @ 250 ähm 58 NC @ 10 V ± 25 V 2987 PF @ 15 V - - - 940 MW (TA)
DMP2010UFV-13 Diodes Incorporated DMP2010UFV-13 0,6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP2010 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 50a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 9,5 MOHM @ 3,6a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 103 NC @ 10 V ± 10 V 3350 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
DDTA115EUA-7 Diodes Incorporated DDTA115EUA-7 - - -
RFQ
ECAD 1024 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA115 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms 100 Kohms
SDT12A120P5-7 Diodes Incorporated SDT12A120P5-7 0,3200
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 SDT12 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 120 v 800 mV @ 12 a 500 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
1N5230B-T Diodes Incorporated 1N5230b-t - - -
RFQ
ECAD 6723 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5230 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 2 V. 4,7 v 19 Ohm
DCX114YK-7-F Diodes Incorporated DCX114YK-7-F - - -
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 DCX114 300 MW SC-74R Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 10kohm 47kohm
DMP1011LFV-13 Diodes Incorporated DMP1011LFV-13 0,2761
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP1011 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 12 v 19A (TC) 2,5 V, 4,5 V. 11,7 MOHM @ 12A, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 9,5 NC @ 6 V -6v 913 PF @ 6 V - - - 2.16W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus