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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BZT52C24-7-F Diodes Incorporated BZT52C24-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 16,8 V. 24 v 70 Ohm
ZXMC4A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TC - - -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMC4A16 MOSFET (Metalloxid) 2.1W 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-und p-kanal-krementär 40V 5.2a (TA), 4,7a (TA) 50mohm @ 4,5a, 10 V, 60 Mohm @ 3,8a, 10 V 1v @ 250 mA (min) 17nc @ 10v 770pf @ 40V, 1000pf @ 20V Logikpegel -tor
BZT52C33-13 Diodes Incorporated BZT52C33-13 - - -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 23.1 V. 33 v 80 Ohm
DMN2011UFDE-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDE-13 0,2150
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMN2011 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 11.7a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 9,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 84 NC @ 10 V ± 12 V 3372 PF @ 10 V - - - 610 MW (TA)
MMBT123S-7-F Diodes Incorporated MMBT123S-7-F 0,3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT123 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 18 v 1 a 1 µA (ICBO) Npn 500mv @ 30 mA, 300 mA 150 @ 100 mA, 1V 100 MHz
RS2KA-13 Diodes Incorporated RS2KA-13 - - -
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA RS2K Standard SMA Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 1,5 a 500 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 30pf @ 4v, 1 MHz
1N5227B-T Diodes Incorporated 1n5227b-t - - -
RFQ
 ECAD 2031 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5227 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 15 µa @ 1 V 3.6 V 24 Ohm
BAV70W Diodes Incorporated BAV70W - - -
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 ECAD 9295 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BAV70 Standard SOT-323 - - - 31-BAV70W Ear99 8541.10.0070 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 75 V 300 ma 1,25 V @ 150 mA 4 ns 50 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DMN67D8LT-7 Diodes Incorporated DMN67D8LT-7 0,0644
RFQ
 ECAD 1607 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN67 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 210 mA (TA) 5v, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm 821 NC @ 10 V ± 20 V 22 PF @ 25 V. - - - 260 MW (TA)
BZT52C30SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C30SQ-7-F 0,0359
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,67% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 21 V 30 v 80 Ohm
FMMT591QTA Diodes Incorporated Fmmt591qta 0,3900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt591 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100na PNP 350 mV @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150 MHz
BZT585B22T-7 Diodes Incorporated BZT585B22T-7 0,0396
RFQ
 ECAD 6917 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 15.4 v 22 v 55 Ohm
ADC114YUQ-7 Diodes Incorporated ADC114YUQ-7 0,3200
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 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC114 270 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 NPN - Voresingenben (Dual) - - - - - - 250 MHz 10kohms, 47kohms 10kohms, 47kohms
MUR120-T Diodes Incorporated Mur120-t - - -
RFQ
 ECAD 4532 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Mur120 Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 875 mv @ 1 a 25 ns 2 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
BZX84C9V1TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C9V1TS-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 500 na @ 6 v 9.1 v 15 Ohm
MBR10150CTP Diodes Incorporated MBR10150CTP - - -
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 ECAD 1548 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 isolierte RegisterKarte MBR10150 Schottky Ito-220s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBR10150CTPDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 5a 910 mv @ 5 a 50 µa @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
DMHC4035LSD-13 Diodes Incorporated DMHC4035LSD-13 0,8700
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMHC4035 MOSFET (Metalloxid) 1,5W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) 40V 4,5a, 3,7a 45mohm @ 3,9a, 10V 3v @ 250 ähm 12.5nc @ 10v 574PF @ 20V Logikpegel -tor
MMBT3904-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT3904-7-F-52 0,0253
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 Herunterladen 31-MMBT3904-7-F-52 Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma 50na Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
BC847BVCQ-7 Diodes Incorporated BC847BVCQ-7 0,1203
RFQ
 ECAD 8295 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 BC847 150 MW SOT-563 - - - UnberÜHrt Ereichen 31-BC847BVCQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 300 mV @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
MMST4401-7 Diodes Incorporated MMST4401-7 - - -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMST4401 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 600 mA - - - Npn 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1V 250 MHz
DMTH10H032LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H032LFVWQ-13 0,2533
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMTH10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX - - - 31-DMTH10H032LFVWQ-13 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 26a (TC) 4,5 V, 10 V. 30mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 11.9 NC @ 10 V. ± 20 V 683 PF @ 50 V - - - 1.7W (TA)
FMMT718TA Diodes Incorporated Fmmt718ta 0,4000
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt718 625 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 20 v 1,5 a 100na PNP 220 MV @ 50 Ma, 1,5a 300 @ 100 mA, 2 V 180 MHz
MBR2060CT-LJ Diodes Incorporated MBR2060CT-LJ - - -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBR2060CT-LJDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 10a 640 mv @ 10 a 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
PD3S230H-7 Diodes Incorporated PD3S230H-7 0,4400
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 ECAD 79 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 323 PD3S230 Schottky PowerDi ™ 323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 600 mv @ 2 a 100 µa @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 40pf @ 10v, 1 MHz
DMNH45M7SCT Diodes Incorporated DMNH45M7SCT 1.5352
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 ECAD 8287 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMNH45 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 220a (TC) 10V 6mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 64.7 NC @ 10 V. ± 20 V 4043 PF @ 20 V - - - 240W (TC)
MMBT3906T-7-F Diodes Incorporated MMBT3906T-7-F 0,2500
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 MMBT3906 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma 50na PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
DMN6068LK3Q-13-52 Diodes Incorporated DMN6068LK3Q-13-52 0,3003
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN6068 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen 31-DMN6068LK3Q-13-52 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 6a (ta) 4,5 V, 10 V. 68mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 10.3 NC @ 10 V ± 20 V 502 PF @ 30 V - - - 2.12W (TA)
DDTA144GE-7-F Diodes Incorporated DDTA144GE-7-F 0,0605
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddta (r2-sery) e Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTA144 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDTA144GE-FDITR Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 47 Kohms
DMG2302UK-7 Diodes Incorporated DMG2302UK-7 0,3400
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG2302 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 2.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 90 MOHM @ 3,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 2,8 nc @ 10 v ± 12 V 130 PF @ 10 V. - - - 660 MW (TA)
MBR4030PT Diodes Incorporated MBR4030PT - - -
RFQ
 ECAD 4492 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 MBR4030 Schottky To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 40a 700 mV @ 20 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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