Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fmmt493qta | 0,5000 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt493 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 250 mA, 10 V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5407-t | - - - | ![]() | 8428 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5407 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C6V8W-7-F | 0,3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103ATW-7-F | 0,4000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SD103 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 40 v | 175 Ma | 500 mV @ 100 mA | 10 ns | 5 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC115TCA-7 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC115 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC4028SSD-13 | 0,8300 | ![]() | 1717 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMC4028 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6,5a, 4,8a | 28mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12.9nc @ 10v | 604PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4003-B | - - - | ![]() | 1493 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4003 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC144GCA-7 | 0,1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC144 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DCX114TH-7 | 0,0945 | ![]() | 9135 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX114 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH43M8LPSQ-13 | 1.2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH43 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 22A (TA), 100A (TC) | 5v, 10V | 3,3 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3367 PF @ 20 V | - - - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcx718ta | 0,6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX718 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 2,5 a | 100na | PNP | 300mv @ 200 Ma, 2,5a | 150 @ 2a, 2v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1n-13-F | 0,3500 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1n | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 5 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC113ZKA-7-F | - - - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC113 | 200 MW | SC-59-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52HC27WF-7 | 0,0439 | ![]() | 6777 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,04% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C16LP-7B-79 | - - - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C16LP-7B-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1060CT | - - - | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR106 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 950 mv @ 10 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B140BQ-13-F | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B140 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC1029UFDB-7 | - - - | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMC1029 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 12V | 5,6a, 3,8a | 29mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19.6nc @ 8v | 914PF @ 6v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN53D0LDWQ-7 | 0,1069 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN53 | MOSFET (Metalloxid) | 400 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN53D0LDWQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 460 Ma (TA) | 1,6OHM @ 500 mA, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | 49.5PF @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMHC4035LSDQ-13-52 | 0,4578 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMHC4035 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | 8-so | Herunterladen | 31-DMHC4035LSDQ-13-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) | 40V | 4,5a (TA), 3,7a (TA) | 45mohm @ 3,9a, 10 V, 65MOHM @ 4,2a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 12.5nc @ 10v, 11.1nc @ 10v | 574PF @ 20V, 587PF @ 20V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX549 | 0,6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX549 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX549-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 750 MV @ 200ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DDTA123TCA-7-F | 0,2200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LLSD101B-13 | - - - | ![]() | 4800 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Schottky | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | LLSD101B-13DI | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 950 mv @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2.1pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX694BSTZ | 0,8900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX694 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 120 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 400 mA | 400 @ 200 Ma, 2V | 130 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN10H220LFDF-7 | 0,1010 | ![]() | 1079 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN10H220LFDF-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 225mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 384 PF @ 25 V. | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5927B-13 | 0,4500 | ![]() | 474 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5927 | 550 MW | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 6,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN601TK-7 | 0,3700 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN601 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C36-7-F-79 | - - - | ![]() | 3262 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C36-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADTB122LCQ-7 | - - - | ![]() | 5535 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ADTB122 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-ATTB122LCQ-7TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ddta114ecaq-13-f | 0,0291 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-ddta114ecaq-13-Ftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus