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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
SDT20A60VCT Diodes Incorporated SDT20A60VCT 0,6988
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SDT20 Schottky To-220-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-SDT20A60VCT Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 10a 570 mv @ 10 a 200 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DDTA123JKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123JKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PD3Z284C20-7 Diodes Incorporated PD3Z284C20-7 0,4100
RFQ
 ECAD 4064 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung PowerDi ™ 323 PD3Z284 500 MW PowerDi ™ 323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 100 na @ 14 v 20 v 20 Ohm
DMN3053L-13 Diodes Incorporated DMN3053L-13 0,0974
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3053 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN3053L-13DI Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 4a (ta) 2,5 V, 10 V. 45mohm @ 4a, 10V 1,4 V @ 250 ähm 17.2 NC @ 10 V. ± 12 V 676 PF @ 15 V - - - 760 MW (TA)
ZXT11N20DFTA Diodes Incorporated ZXT11N20DFTA 0,6100
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXT11N20 625 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 20 v 2,5 a 100na Npn 130mv @ 250 mA, 2,5a 300 @ 100 mA, 2 V 160 MHz
MBR1660 Diodes Incorporated MBR1660 - - -
RFQ
 ECAD 5164 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 MBR1660 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBR1660DI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 750 mv @ 16 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 450pf @ 4V, 1 MHz
MMST2222A-7 Diodes Incorporated MMST2222A-7 - - -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMST2222A 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 600 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
1N5246B-T Diodes Incorporated 1n5246b-t - - -
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5246 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 Na @ 12 V. 16 v 17 Ohm
SDM2U20CSP-7 Diodes Incorporated SDM2U20CSP-7 0,3800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-xdfn SDM2U20 Schottky X3-WLB1608-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 470 mv @ 2 a 150 µa @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 115PF @ 4V, 1 MHz
DDZ8V2BSF-7 Diodes Incorporated Ddz8v2bsf-7 0,2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F Ddz8v2 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 7,5 µa Bei 7,39 V 7.99 v 30 Ohm
DDZ5V6CSF-7 Diodes Incorporated Ddz5v6csf-7 0,1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F Ddz5v6 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 7,5 µa @ 2 V 5.76 v 80 Ohm
DMN61D9U-7 Diodes Incorporated DMN61D9U-7 - - -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN61 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 380 Ma (TA) 1,8 V, 5 V. 2OHM @ 50 Ma, 5V 1V @ 250 ähm 0,4 NC @ 4,5 V. ± 20 V 28.5 PF @ 30 V - - - 370 MW (TA)
BAS40-04T-7-F-36 Diodes Incorporated BAS40-04T-7-F-36 - - -
RFQ
 ECAD 3799 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-523 Bas40 Schottky SOT-523 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 40 v 200 Ma (DC) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
ZTX10470ASTOB Diodes Incorporated ZTX10470ASTOB - - -
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads 1 w E-line (bis 92 kompatibel) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 10 v 4 a 10na Npn 185mv @ 10ma, 3a 300 @ 1a, 2v 150 MHz
BZX84C3V0-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C3V0-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 9235 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C3V0-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
DL4001-13-F Diodes Incorporated DL4001-13-F - - -
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) DL4001 Standard Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,1 V @ 1 a 5 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
S5MC-13-F Diodes Incorporated S5MC-13-F 0,5500
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC S5m Standard SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,15 V @ 5 a 10 µa @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4v, 1 MHz
DMP2104LP-7 Diodes Incorporated DMP2104LP-7 0,4300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn DMP2104 MOSFET (Metalloxid) DFN1411-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 1,5a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 150 MOHM @ 950 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 12 V 320 PF @ 16 V - - - 500 MW (TA)
BAS40-06T-7-F-36 Diodes Incorporated BAS40-06T-7-F-36 - - -
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-523 Bas40 Schottky SOT-523 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 40 v 200 Ma (DC) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
SDT10A100CT Diodes Incorporated SDT10A100CT 0,7100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SDT10 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 5a 660 mv @ 5 a 50 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
DDTA115ECA-7 Diodes Incorporated DDTA115eca-7 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTA115 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-ddta115eca-7dkr Ear99 8541.21.0075 3.000
AC847BWQ-7 Diodes Incorporated AC847BWQ-7 0,2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 AC847 200 MW SOT-323 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 20na (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
B330A-13-F Diodes Incorporated B330A-13-F 0,5200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B330 Schottky SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 200pf @ 4v, 1 MHz
DCX115EU-7-F-50 Diodes Incorporated DCX115EU-7-F-50 0,0357
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Dioden Eingenbaut DCX (xxxx) u Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX115 200 MW SOT-363 Herunterladen 31-DCX115EU-7-F-50 Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100kohm 100kohm
MBR735 Diodes Incorporated MBR735 - - -
RFQ
 ECAD 2907 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 MBR735 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MBR735DI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 840 mv @ 15 a 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C. 7.5a 400PF @ 4V, 1 MHz
APT27XZTR-G1 Diodes Incorporated APT27XZTR-G1 - - -
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet Apt27 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-APT27XZTR-G1TB Veraltet 2.000
ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA 0,8300
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMN10 MOSFET (Metalloxid) 1.25W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 2 n-kanal (dual) 100V 1.6a 250 MOHM @ 3.2a, 10 V 2V @ 250 ähm (min) 7.7nc @ 10v 405PF @ 50V Logikpegel -tor
B0520LW-7-F Diodes Incorporated B0520LW-7-F 0,3300
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 B0520 Schottky SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 385 MV @ 500 mA 250 µa @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C. 500 mA 170pf @ 0v, 1 MHz
DXTN3C100PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C100PSQ-13 0,2170
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DXTN3C100 5 w PowerDI5060-8 (Typ q) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 2.500 100 v 3 a 100na Npn 330 MV @ 300 Ma, 3a 150 @ 500 mA, 10V 140 MHz
FMMT493ATC Diodes Incorporated Fmmt493atc - - -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt493a 500 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 60 v 1 a 100na Npn 500mv @ 100 mA, 1a 300 @ 250 mA, 10V 150 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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