SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FRS1MEQ-7 Diodes Incorporated FRS1MEQ-7 0,4600
RFQ
ECAD 3784 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219aa Standard Do-219aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 5PF @ 4V, 1 MHz
BAV116HWF-7 Diodes Incorporated BAV116HWF-7 0,0652
RFQ
ECAD 4659 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F BAV116 Standard SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 130 v 1,25 V @ 150 mA 3 µs 5 Na @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 215 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
BZX84C2V4S-7 Diodes Incorporated BZX84C2V4S-7 - - -
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 50 µa @ 1 V 2,4 v 100 Ohm
B140-13-F Diodes Incorporated B140-13-F 0,3900
RFQ
ECAD 492 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B140 Schottky SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
BAT760-7 Diodes Incorporated Bat760-7 0,5300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 Bat760 Schottky SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 550 mV @ 1 a 50 µa @ 15 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 25pf @ 5v, 1 MHz
S5116D Diodes Incorporated S5116d - - -
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
SBR40U200CTB Diodes Incorporated SBR40U200CTB 1.9200
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SBR40 Superbarriere To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SBR40U200CTBDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 20a 930 mv @ 20 a 50 ns 200 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010GTA 0,8200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXTN2010 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 6 a 50na (ICBO) Npn 260mv @ 300 mA, 6a 100 @ 2a, 1V 130 MHz
DMTH15H017SPS-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPS-13 0,6125
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH15 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH15H017SPS-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 11A (TA), 61A (TC) 8 V, 10V 19Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 2344 PF @ 75 V - - - 1,5 W (TA), 107W (TC)
PDU420-13 Diodes Incorporated PDU420-13 0,8700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 PDU420 Standard PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 890 mv @ 4 a 25 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
B340CE-13 Diodes Incorporated B340CE-13 0,1305
RFQ
ECAD 8230 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC B340 Schottky SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 140pf @ 4v, 1 MHz
MBR1040CT-LS Diodes Incorporated MBR1040CT-LS - - -
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack MBR104 Schottky To-220ab - - - 31-MBR1040CT-LS Veraltet 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 5a 650 mv @ 5 a 100 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX84B4V3-7-F Diodes Incorporated BZX84B4V3-7-F 0,1900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 90 Ohm
DMN3008SCP10-7 Diodes Incorporated DMN3008SCP10-7 0,4319
RFQ
ECAD 7323 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - - - - - DMN3008 MOSFET (Metalloxid) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 14,6a (TA) 4,5 V, 10 V. 7,8 MOHM @ 7A, 10V 2,3 V @ 250 ähm 31.3 NC @ 10 V. ± 20 V 1476 PF @ 15 V - - - 2.7W (TA)
SD1A180G Diodes Incorporated SD1A180G 0,4600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv SD1A180 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 4.000
MMDTA42-7-F Diodes Incorporated Mmdta42-7-f 0,4000
RFQ
ECAD 9267 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Mmdta42 300 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 500 mv @ 2MA, 20 mA 40 @ 30 ma, 10V 50 MHz
ES2DA-13-F Diodes Incorporated ES2DA-13-F 0,4900
RFQ
ECAD 479 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Es2d Standard SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 920 mv @ 2 a 25 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4v, 1 MHz
SDT3A45SAF-13 Diodes Incorporated SDT3A45SAF-13 0,4500
RFQ
ECAD 6164 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Flat Leads SDT3A45 Schottky Smaf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 45 V 480 mv @ 3 a 280 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
FR302-T Diodes Incorporated Fr302-T - - -
RFQ
ECAD 8553 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial Fr302 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,3 V @ 3 a 150 ns 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
BAS40DW-6-7-F Diodes Incorporated Bas40DW-6-7-F - - -
RFQ
ECAD 8593 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bas40 Schottky SOT-363 - - - 31-Bas40DW-6-7-F 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode 40 v 200 ma 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
MMSZ5240BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5240BQ-7-F 0,2400
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5240 370 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 8 V 10 v 17 Ohm
1N5391-T Diodes Incorporated 1n5391-t - - -
RFQ
ECAD 6595 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial 1N5391 Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 1,1 V @ 1,5 a 5 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
FMMT591AQTC Diodes Incorporated Fmmt591aqtc 0,1234
RFQ
ECAD 7442 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 500 MW SOT-23-3 - - - UnberÜHrt Ereichen 31-FMMT591AQTCTR Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 1 a 100na PNP 500mv @ 100 mA, 1a 300 @ 100 mA, 5V 150 MHz
BZX84C3V6Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V6Q-7-F 0,0357
RFQ
ECAD 1055 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,56% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C3V6Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
BZT52C6V8-13-F-79 Diodes Incorporated BZT52C6V8-13-F-79 - - -
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C6V8-13-F-79DI Ear99 8541.10.0050 10.000
MBR30100CT-G1 Diodes Incorporated MBR30100CT-G1 0,7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 MBR30100 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 850 mv @ 15 a 100 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBZ5225B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5225B-7-F 0,1500
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5225 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 µa @ 1 V 3 v 30 Ohm
ZVN0545A Diodes Incorporated ZVN0545A 1.6300
RFQ
ECAD 2370 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) ZVN0545 MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZVN0545A-NDR Ear99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 450 V 90 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
STPR2020 Diodes Incorporated STPR2020 0,8800
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 STPR20 Standard To220ab (Typ WX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-STPR2020 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 10a 1,1 V @ 10 a 30 ns 10 µA @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBTA42-7 Diodes Incorporated MMBTA42-7 - - -
RFQ
ECAD 6227 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA42 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 2MA, 20 mA 40 @ 30 ma, 10V 50 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus