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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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BZX84C4V7-7-F | 0,1700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5616ta | 0,4000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX5616 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH8012LPS-13 | 0,3045 | ![]() | 8919 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH8012 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 10a (ta), 72a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1949 PF @ 40 V. | - - - | 2,6 W (TA), 136 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF30JG-T | - - - | ![]() | 7285 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mur140-t | 0,1675 | ![]() | 1545 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Mur140 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR02U100LPQ-7B | 0,1519 | ![]() | 2912 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | SBR02 | Superbarriere | X1-DFN1006-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 MV @ 200 Ma | 1 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FZT560ta | 0,7100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT560 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 500 V | 150 Ma | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 80 @ 50 Ma, 10 V | 60 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BC847BWQ-13-F | 0,0252 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BC847BWQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3U40S1FQ-7 | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SBR3U40 | Superbarriere | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 40 v | 490 mv @ 3 a | 180 µa @ 40 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zvn4424astoa | - - - | ![]() | 5815 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 240 V | 260 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 5.5OHM @ 500 mA, 10V | 1,8 V @ 1ma | ± 40 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
FZT869ta | 0,8600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT869 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 25 v | 7 a | 50na (ICBO) | Npn | 350 MV @ 150 Ma, 6,5a | 300 @ 1a, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 10a04-t | - - - | ![]() | 9099 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | R-6, axial | 10a04 | Standard | R-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 10 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN3067LW-7 | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN3067 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 67mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 447 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt620qta | 0,2131 | ![]() | 7078 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FMMT620QTATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 1,5 a | 100na | Npn | 200mv @ 20 mA, 1,5a | 300 @ 200 Ma, 2V | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B220-13-F-2477 | - - - | ![]() | 2134 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | - - - | 31-B220-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 40V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH6035SPDWQ-13 | 0,6174 | ![]() | 7825 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | DMNH6035 | MOSFET (Metalloxid) | 2,4 W (TA), 68W (TC) | PowerDI5060-8 (Typ R) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMNH6035SPDWQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 33a (TC) | 35mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16nc @ 10v | 879PF @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1006-T | 0,4900 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | UF1006 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Bas40-7-f | 0,2600 | ![]() | 9203 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
ADTC114ecaq-13 | 0,0376 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC114 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-attc114ecaq-13tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTC123TCA-7-F | 0,2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B6V2TQ-13 | 0,0417 | ![]() | 6892 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT585B6V2TQ-13TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | 0,4000 | ![]() | 9188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MmbTH10 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmbTH10Q-7-Ftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 25 v | 50 ma | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Bas116 | - - - | ![]() | 7919 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas116 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 85 V | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 215 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5943B-13 | 0,1300 | ![]() | 5635 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 1SMB5943 | 3 w | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 42,6 V. | 56 v | 86 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10100CTFP | 0,6976 | ![]() | 6721 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR10100 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR10100CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 800 mV @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BAV23A-7-F-52 | 0,0650 | ![]() | 9076 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV23 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-BAV23A-7-F-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 400 ma | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT5451-7 | - - - | ![]() | 9923 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt5451 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 V, 150 V | 200 ma | 50na (ICBO) | NPN, PNP | 200mv @ 5ma, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 80 @ 10 mA, 5 V / 60 @ 10 mA, 5 V. | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5258B-7-F | 0,2100 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5258 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 27 V | 36 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5226BQ-7-F | 0,0365 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5226 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmsz5226bq-7-Ftr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX455Stob | - - - | ![]() | 7251 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX455 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 140 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 700mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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